最近一段时间全球半导体产能紧张，让不少行业巨头纷纷加大投资，以应对未来几年市场的高需求。近日，韩国政府批准了SK海力士新厂区的兴建计划。

据ComputerBase报道，SK海力士的新厂区位于首都首尔以南50公里的龙仁市，整个项目的总投资额将达到1060亿美元，面积约为4.15万平方米。与SK海力士的投资相比，英特尔之前计划投资约200亿美元，在美国亚利桑那州的Octillo园区新建两座晶圆厂的计划显得有点微不足道了。

SK海力士计划新厂区在今年第四季度破土动工，于2025年完成所有工程项目，并开始进行批量生产。整个厂区将由四个晶圆厂组成，每个月的晶圆产量约为80万片。这些晶圆厂将负责生产常规的DRAM芯片，以及采用下一代DRAM技术的芯片。

SK海力士的下一代DRAM技术就是前一段时间，IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上，SK海力士CEO李锡熙介绍的600层堆叠的3D NAND，以及使用EUV光刻技术生产的DRAM。目前为止，SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，在实现正式批量生产前，还有不少问题需要解决。引入了EUV光刻设备，主要是解决以往DUV光刻的局限性，能使用10nm或更先进工艺来制造DRAM。

作为韩国仅次于三星的第二大NAND闪存制造企业，SK海力士希望通过这项工程加强其在业界的地位，并缓解当前半导体产能的短缺，以及应付未来全球对存储产品的需求持续增长。