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    三星在举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上,三星代工业务总裁兼负责人Siyoung Choi博士介绍了其半导体工艺的研发和量产情况,公布了新版的技术路线图。这表明三星将继续开发先进半导体制造技术,与台积电(TSMC)和英特尔竞争晶圆代工市场。

    为了在半导体工艺上赶上台积电,三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,分为早期的3GAE以及3GAP。虽然在今年上半年已成功流片,但由于技术难度较高,第一代3nm工艺已推迟到2022年上半年量产,第二代3nm工艺将会在2023年量产。MBCFET多桥-通道场效应晶体管工艺是GAAFET工艺的全新形式,不但保留了GAAFET工艺的优点,而且兼容之前的FinFET工艺技术,新版技术路线图中的2nm制程节点(MBCFET)将于2025投入生产。

    三星表示,与原来的5nm工艺相比,首个采用采用MBCFET工艺的3nm GAA制程节点的芯片面积减少了35%,性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面积(PPA)上的改进,随着制程技术成熟,3nm工艺的良品率将会接近4nm工艺。竞争对手之一的英特尔在Intel 7/4/3制程节点仍依赖FinFET,最早会在2024年才转向新型晶体管(称为RibbonFET)。另一个竞争对手台积电在N4和N3制程节点仍使用FinFET,要到N2制程节点才引入GAA工艺,大概会在2024年投入生产。

    除此以外,三星还介绍了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工艺,即Low Power Value的17nm工艺。这是28nm工艺的演进版,在28nm工艺基础上加入了14nm工艺使用的FinFET工艺技术,以相对低成本享受到新的技术优势。与原来的28nm工艺相比,芯片面积可减少43%,性能提高39%或功耗降低49%。

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