从过去一段时间的报道来看,台积电(TSMC)在3nm和2nm工艺的开发上取得了不错的进展。此前台积电总裁魏哲家证实,N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,制造的过程仍依赖于极紫外(EUV)光刻技术,预计2024年末将做好风险生产的准备,并在2025年末进入大批量生产。
随着2nm工艺在开发上取得突破,台积电已开始考虑推进下一个制程节点了,传闻可能会在6月份举办的技术研讨会上正式宣布1.4nm级别的技术,届时可能会公布一些技术细节。据Business Korea报道,台积电打算在6月份将其N3制程节点的团队做重新分配,以组建1.4nm级制造工艺的研发队伍。
暂时还不清楚英特尔和三星将采用哪一款工艺与台积电的1.4nm级工艺对标,按照英特尔去年公布的制程工艺的技术路线图,目前仅安排到Intel 18A(1.8nm级别)。英特尔计划在Intel 20A制程节点将引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术。近期还誓言在2024年末将推出对RibbonFET改进后的Intel 18A(1.8nm级别),抢先于台积电的2nm工艺,以取得每瓦性能的领先。
不少业内人士对晶圆代工厂的制造工艺计划抱有怀疑的态度,担忧研发上会遇到更多不可预知的障碍,从而导致量产时间延后,或者良品率不如人意。随着芯片的尺寸变得越来越小,工艺技术的壁垒越来越高,电路必须绘制得更精确,同时在生产管理上也变得越来越困难。
hstjm2008一代宗师 2022-05-22 16:46 | 加入黑名单
支持(1) | 反对(0) | 举报 | 回复
5#
梦の黑白教授 2022-05-21 23:41 | 加入黑名单
不直接叫1400pm吗
支持(4) | 反对(0) | 举报 | 回复
4#
旅途一代宗师 2022-05-21 00:21 | 加入黑名单
AMD:台积电是我的晶圆厂,所以我可以喷INTEL工艺
已有8次举报支持(6) | 反对(2) | 举报 | 回复
3#
QQ23870862终极杀人王 2022-05-20 22:46 | 加入黑名单
台积电大陆建厂了吗?
已有2次举报支持(0) | 反对(5) | 举报 | 回复
2#
英特尔博士 2022-05-20 18:10 | 加入黑名单
英特尔:我制程14nm比你高10倍
已有8次举报支持(6) | 反对(7) | 举报 | 回复
1#
提示:本页有 5 个评论因未通过审核而被隐藏