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    此前有报道称,高通出于对台积电(TSMC)3nm产能有限的考虑,未来骁龙8平台或采用双代工厂策略,分别采用台积电和三星的3nm工艺。高通原打算在2024年开始执行该计划,第四代骁龙8一方面采用台积电N3E工艺,另一方面供应Galaxy系列智能手机的版本采用三星3GAP(SF3)工艺。

    据TrendForce报道,由于三星对明年3nm产能扩张计划趋于保守,加上良品率并不稳定,高通已正式取消了第四代骁龙8采用三星代工的计划,双代工厂策略将推迟至2025年,未来一年仍完全依赖台积电。

    三星在去年6月量产了SF3E(3nm GAA)工艺,这是其首次引入全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,打破了FinFET原有的性能限制,通过降低工作电压水平来提高能耗比,同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。明年三星将带来SF3(3GAP),这是其第二代3nm工艺技术,使用了“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做了进一步的优化,高通原本有望成为首个采用新工艺的客户。

    目前台积电3nm月产能大概在每月6至7万片晶圆,预计明年底会提升至每月10万片晶圆,对营收的贡献率也由5%提高至10%。

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