三星仍需解决3nm工艺良品率问题，目前在50%附近徘徊

近年来，良品率一直是三星晶圆代工业务所要面对的最大问题。特别是在3nm制程节点上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别，也使得良品率问题进一步放大。

据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方面依然有一些问题需要解决。不过这次的消息里，没有具体说明到底是初代的3nm GAA / 3GAE，还是已经试产、且今年即将量产的第二代3GAP。三星去年曾表示，其3nm工艺量产后的良品率已达到60%以上，不过现在看来，似乎有点过于乐观。

有行业分析师表示，三星GAA流程方法尚未稳定，这多少能解释为什么良品率一直都上不去。不过在4nm工艺上，三星的表现明显更好，良品率已提升至75%，过去一系列的努力终于有了回报。对于谷歌来说也是个好消息，毕竟今年用于新款Pixel 9系列旗舰智能手机的Tensor G4将采用4LPP+工艺制造。

如果三星想要在未来与台积电（TSMC）甚至英特尔代工服务竞争，必须要提升良品率。三星对明年的Exynos 2500寄予厚望，被认为是其SoC设计的翻身之作，计划采用3nm工艺制造，如果良品率问题得不到解决，很难想象如何与高通及联发科的同类产品抗衡。