台积电R&D高级副总裁蒋尚义

　　日前在日本横滨举行的台积电日本高管论坛上，台积电研发部门高级副总裁蒋尚义谈及了近来招受热议的多个话题，包括40nm产能和良品率、28nm工艺、高K材料技术以及未来的22nm工艺等。

1、40nm工艺产能

　　蒋尚义表示，40nm工艺推出初期客户需求量就非常高，远远超过此前任何一代工艺，因此在产能上很难及时满足。

　　目前台积电Fab 12工厂每季度能够生产约8万块基于40nm工艺的12英寸晶圆，Fab 14也将很快加入生产行列，到今年底产能预计将翻一番，达到16万块。

2、40nm工艺良品率

　　蒋尚义称，40nm工艺的良率问题已经在去年下半年得以解决，目前台积电正在迅速扩充产能以满足客户的大量需求。

　　他指出，向45/40nm过渡过程中所遭遇的挑战是前所未有的，这是台积电第一次运用193nm沉浸式光刻技术，出现缺陷的几率更高。一开始台积电使用的是K值为2.5的第二代低K材料，材料非常脆弱，因此40nm量产初期很有难度。

3、28nm工艺

　　台积电28nm工艺的第一个版本是低功耗的28nm LP，引入了多晶硅栅和二氧化硅硝酸盐，将于今年六月底开始投产。

4、高K金属栅极

　　高性能版本的28nm HP工艺将首次引入高K金属栅极（HKMG）技术，预计在今年九月份投产，十二月还将增加28nm HPL。

5、22nm工艺计划

　　台积电计划在推出28nm工艺两年后过渡到22nm技术，因此，22nm技术的首次投产应该会在2012年第三季度前后，初期为高性能版本，2013年第一季度末再发布低功耗版本。

6、光刻技术

　　在短期内台积电将继续使用193nm沉浸式光刻技术，如果超远紫外线（EUV）或多重电子束直接写入技术发展更成熟、成本更低的话，台积电会考虑引入。

　　蒋尚义透露，新技术的利用成本相当高，单单一套EUV设备就需要8000万美元左右。