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关于 晶圆厂 的消息

英特尔德国新建晶圆厂工地发现古墓,或影响项目工程进度

去年6月,英特尔与德国联邦政府达成了协议,双方宣布签署了一份修订的投资意向书,计划投资超过300亿欧元,在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。初期的两座晶圆厂分别为Fab 29.1和Fab 29.2,目前正在建设当中。

SK海力士斥资900亿美元打造全新半导体生产设施,首座晶圆厂2027年投入运营

作为全球最大的半导体企业之一,SK海力士最近乘着人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的东风,凭借旗下的HBM和DDR5产品,快速地走出了2023年存储器市场消极萎靡的阴霾,并期待着有更大的发展。

SEMI预计全球12英寸晶圆厂设备支出:2025年将首次突破1000亿美元

近日,代表全球电子产品设计和制造供应链的行业协会组织,国际半导体产业协会(SEMI)发布了截至2027年的《季度300mm晶圆厂展望报告》,预计2025年全球晶圆厂用于前端设施的设备支出将首次1000亿美元。

英特尔俄亥俄州新建晶圆厂或再推迟,延至2027年到2028年之间

2022年1月,英特尔宣布投资超过200亿美元,在美国俄亥俄州兴建两座新的晶圆厂。作为IDM 2.0战略的一部分,这项投资将有助于提高产能,以满足市场对先进半导体不断增长的需求,为英特尔新一代产品提供动力,并满足代工客户的需求。此前有报道称,由于市场问题和美国政府补贴资金的延迟,英特尔已经将投产时间表从原计划的2025年延后至2026年底。

英特尔提交德国新建晶圆厂示意图:安装High-NA EUV光刻机,2027Q4投入使用

去年6月,英特尔与德国联邦政府达成了协议,双方宣布签署了一份修订的投资意向书,计划投资超过300亿欧元,在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。德国联邦政府已同意提供100亿欧元补贴,包含了来自《欧洲芯片法案》和来自政府的激励措施及补贴。

英特尔寻求募集20亿美元股权融资,用于扩建爱尔兰Fab 34晶圆厂

英特尔的Fab 34晶圆厂位于爱尔兰都柏林市中心以西约10英里的莱克斯利普,在2022年4月完成了第一台EUV光刻机的安装,这是欧洲首个具备EUV工艺的晶圆厂,也是英特尔安装其首台EUV光刻机的地方。去年9月,Fab 34晶圆厂完成了EUV光刻机的安装调试工作,实现了Intel 4工艺的量产,生产包括Meteor Lake在内的产品。

SK海力士拟在美国印第安纳州兴建晶圆厂:投资150亿美元,生产和封装HBM产品

虽然去年存储器市场行情低迷,相当部分厂商损失惨重,不过SK海力士却把握住了服务器市场更换DDR5内存及人工智能(AI)爆发的机会,凭借针对性的产品线和市场策略,拿下了不少市场份额,甚至出现了“赢家通吃”的局面。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前向其大量供应HBM3和HBM3E芯片。

英特尔俄亥俄州新建晶圆厂或推迟投产,从2025年延后至2026年底

2022年1月,英特尔宣布投资超过200亿美元,在美国俄亥俄州兴建两座新的晶圆厂。作为IDM 2.0战略的一部分,这项投资将有助于提高产能,以满足市场对先进半导体不断增长的需求,为英特尔新一代产品提供动力,并满足代工客户的需求。其原计划于2025年投入使用,近期有消息称,由于市场问题和美国政府补贴资金的延迟,英特尔已经将投产时间表延后至2026年底。

台积电为1nm工艺做准备:计划建造一座尖端晶圆厂,总开发成本超320亿美元

去年末,台积电(TSMC)在IEEE国际电子元件会议(IEDM 2023)上透露,其1.4nm制程节点的研发工作已全面展开,进展顺利。这是台积电首次对外披露其1.4nm制程节点的开发情况,对应工艺的正式名称为“A14”,至于工艺的具体规格和量产时间,暂时还不清楚。

SEMI预计2024年全球芯片产能创新高,中国大陆地区新建18座晶圆厂

近日,代表全球电子产品设计和制造供应链的行业协会组织,国际半导体产业协会(SEMI)发布了新的《世界晶圆厂预测报告(SEMI World Fab Forecast)》,预计2024年全球晶圆厂的产能将增长6.4%,突破每月3000万片晶圆(WPM)的关卡,将创下历史新高。

传台积电第二间2nm晶圆厂提早完成准备工作,或同时部署两间新晶圆厂

此前有报道称,台积电(TSMC)将为中国台湾新竹科技园的2nm晶圆厂安装设备,计划2024年4月开始执行,这预示着N2工艺项目的重大进展。这里毗邻台积电负责N2工艺开发的R1研发中心,显然也是为了方便试产的工作。近期台积电也再次强调,下一代2nm制程节点会在2025年实现量产,将为旗下半导体工艺首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。

英特尔将在以色列建造新晶圆厂:投资250亿美元,2028年启用

英特尔在以色列一直设有开发中心,承担了相当部分的技术研发工作。2021年初,帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)担任英特尔CEO不久,就制定了扩张计划,打算在海法的马塔姆科技园建造一个占地数千平米的新开发中心(IDC21),距离英特尔原有的设施(IDC9)不远。不过在今年初,英特尔取消了该项目,但这并不代表其减慢了在当地投资的步伐。

台积电将为2nm晶圆厂安装设备,计划2024年4月开始执行

近日台积电(TSMC)在IEEE国际电子元件会议(IEDM 2023)上再次强调,下一代的2nm制程节点会在2025年实现量产,将为旗下半导体工艺首次引入Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。

德国政府挪用预算被裁定违宪,或影响英特尔和台积电新建晶圆厂补助

今年台积电(TSMC)和英特尔先后宣布在德国兴建半导体工厂的计划,前者将与博世、英飞凌和恩智浦半导体共同投资位于德国德累斯顿的欧洲半导体制造公司(ESMC),后者将在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。之所以选择在德国建设新的晶圆厂,能获得大额的补贴是重要因素之一。

三星计划扩建美国德州的晶圆厂,已开始推进项目

去年5月,三星宣布在美国德克萨斯州泰勒市新建晶圆厂,投资额为170亿美元。从去年12月起,三星就开始为工厂采购设备,同时项目投资额也上涨到250亿美元。三星计划2024年开始运营,会使用EUV光刻设备,采用5nm制程节点。三星在美国奥斯汀原有的晶圆厂只推进到14nm制程节点,未来使用5nm工艺可以进一步满足美国地区客户的需求。

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