关于 32层 的消息
美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品
美光宣布，已开始量产232层QLC NAND闪存，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron 2500 NVMe SSD。
美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案：基于232层3D NAND闪存，最高1TB
美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，称可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载，并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。
传小米采购长存232层3D NAND闪存，用于最新款智能手机
长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度，也是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案。目前X3-9070主要用于国内销售的存储产品上，不过很快可能会出现在全球销售的终端设备里。
英睿达推出T500 PCIe 4.0 SSD：采用美光232层3D TLC，带独立缓存
英睿达（Crucial）近日推出了新款T500 M.2 PCIe 4.0 NVMe SSD，提供500GB、1TB、2TB和4TB的容量可选以及带散热马甲和不带散热马甲的版本。官方宣称马甲款专门为PlayStation 5 (PS5)和PC游戏设备等平台设计，而普通版本则适用于笔记本电脑、台式机和工作站。
美光推出7500系列SSD：面向数据中心，采用232层3D TLC NAND闪存
美光宣布，推出7500系列SSD，相比之前的7450系列SSD，性能有所提升。新产品沿用了PCIe 4.0 x4接口，主要面向数据中心存储应用，包括了云服务器和企业服务器，是全球目前唯一一款搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。
美光推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案：采用232层3D TLC NAND闪存
美光宣布，推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案，目前正在向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。美光表示，最新的移动闪存在几个关键的NAND基准测试中领先于竞争对手，可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载。
美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘：采用232层TLC NAND闪存
据之前报道，美光（Micron）几个月前已推出232层TLC NAND闪存，并计划2022年底开始正式生产。近日美光宣布开始出货采用232层TLC NAND闪存的2550系列PCIe 4.0 NVMe固态硬盘，美光称该系列固态硬盘具有密度与功耗优势，相比自家上代产品，写入带宽提高了100%。
长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存，领先于三星、美光、SK海力士等厂商
长江存储在2022年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片，名为X3-9070。相比上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。
美光量产全球首款232层3D TLC NAND闪存：密度最高，最先用于英睿达SSD
美光宣布，已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，采用领先行业的创新技术，为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比，232层的NAND闪存有着业界最高的密度，并提供了更大的容量和更高的能效，从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。
美光推出232层3D TLC NAND闪存：初始容量1Tb，2022年末量产
美光宣布，将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在2022年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片，并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。
长江存储32层堆栈3D闪存4季度量产，64层闪存明年量产
国内的三大存储基地中，紫光旗下的长江存储主攻方向是NAND闪存，长江存储前者是武汉新芯科技，后被紫光收购，整合成为现在的长江存储。日前主管紫光半导体业务的联席总裁刁石京表示长江存储的32层堆栈3D NAND闪存今年Q4季度量产，64层堆栈的3D NAND闪存则会在2019年量产。
32层堆栈，国产3D NAND闪存性能、功能、可靠性已达标
闪存芯片是国家大基金确立的半导体芯片产业最优先的方向之一，也是目前最紧迫的产业，因为全球的NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、SK Hynix等公司手中，基本上没有中国公司能染指NAND生产，更影响不了定价和技术发展。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，他们的主要产品就是国产3D NAND闪存。来自中科院的消息称，长江存储研发的3D NAND闪存已经取得标志性进展，堆栈层数达到了32层，性能、功能、可靠性等关键指标已经达到了预期要求。
2017年中国将推自主生产3D NAND闪存，32层堆栈
由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。
