关于 EUV 的消息
三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数30%以上，1.4nm工艺预计超过30层
2022年三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公布了未来的技术路线图，其中2nm（SF2）工艺计划2025年开始大规模量产。三星上个月还发布公告，将与Preferred Networks Inc.合作，基于2nm GAA工艺和2.5D封装技术的Interposer-Cube S（I-Cube S），提供一站式的半导体解决方案，为对方制造AI加速器所使用的芯片。
ASML公布2024Q2财报：EUV系统带动销售，毛利率高于预期
近日，ASML（阿斯麦）公布了2024年第一季度财报。ASML新任首席执行官Christophe Fouquet表示，第二季度的净销售额处于预期的上限，毛利率更是高于51%的预期上限，不过市场仍存在不确定性，主要受到宏观环境因素的影响，预计行业将在下半年继续复苏，同时与前几个季度一样，整体半导体库存水平继续改善，2024年属于过渡年份，将继续在产能提升和技术方面进行投资。
ASML或将Hyper-NA EUV光刻机定价翻倍，让台积电、三星和英特尔犹豫不决
ASML去年末向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机，业界准备从EUV迈入High-NA EUV时代。不过ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案，计划在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻机。
台积电今明两年将接收60台以上EUV光刻机，投入超过123亿美元
按照台积电（TSMC）的安排，将在2nm制程节点将首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管，同时制造过程仍依赖于极紫外（EUV）光刻技术，计划2025年进入大批量生产阶段，客户在2026年就能收到首批采用N2工艺制造的芯片。
美光正在试产1γ工艺芯片，目标2025年量产EUV DRAM
美光已开始采用1γ（1-gamma）工艺试产DRAM芯片，并计划明年进入大批量生产阶段。直到目前为止，美光所有的存储芯片都完全依赖于DUV光刻设备，反观DRAM领域主要的竞争对手三星和SK海力士，都投资了更为昂贵的EUV光刻设备。美光通过标准的DUV多重曝光，在1α和1β工艺上开发出具有性能和成本竞争力的DRAM芯片，而切换到EUV技术可以进一步提高制程节点的经济性。
ASML瞄准下一代Hyper-NA EUV技术：2030年左右提供新的光刻设备
近年来，ASML站到了世界半导体技术的中心位置，成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图，在EUV之后是High-NA EUV技术，去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。虽然业界才刚刚准备迈入High-NA EUV时代，但是ASML已经开始对下一代Hyper-NA EUV技术进行研究，寻找合适的解决方案。
台积电迈向High-NA EUV时代，ASML证实年内将交付新设备
此前有报道称，近期台积电（TSMC）首席执行官魏哲家访问了ASML的总部，同时也拜访了激光供应商Trumpf，与对方的高层会面。台积电似乎改变了之前对High-NA EUV光刻技术的一些看法，或许会加快引入新技术和新设备的步伐。
Rapidus已向IBM派遣100名工程师：学习使用EUV设备，进行2nm工艺开发
Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。Rapidus已在2022年底与IBM签署了技术授权协议，计划其位于日本北海道千岁市的晶圆厂在2025年启动生产线，试产2nm芯片，并在2027年开始实现批量生产。
台积电CEO访问ASML总部，或改变对High-NA EUV光刻技术的态度
前一段时间，台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，首次公布了A16制程工艺，将结合纳米片晶体管和背面供电解决方案，以提升逻辑密度和能效，预计2026年量产。随后台积电确认，A16制程工艺并不需要下一代High-NA EUV光刻系统的参与。
ASML每年大概生产5台High-NA EUV光刻机，其中2025H1前大部分送往英特尔
上个月英特尔晶圆代工（Intel Foundry）宣布，已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。随后开始在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
三星电子会长访问蔡司总部，将扩大在EUV技术和先进半导体设备的合作
三星官方发布公告，德国当地时间26日，三星电子李在镕近期访问了位于巴登符堡州奥伯科亨市的蔡司总部，并与蔡司首席执行官Karl Lamprecht等高管就加强双方的合作进行了讨论。双方同意进一步扩大在EUV技术和先进半导体设备方面的合作，以加强晶圆代工和存储器业务的竞争力。
台积电表示A16工艺不需要High-NA EUV参与，A14工艺研发进展顺利
近日台积电（TSMC）举办了2024年北美技术论坛，揭示了其最新的制程技术、先进封装技术、以及三维立体电路（3D IC）技术，以驱动下一代人工智能（AI）的创新。其中台积电首次公布了A16制程工艺，将结合纳米片晶体管和背面供电解决方案，以提升逻辑密度和能效，预计2026年量产。
ASML称High-NA EUV光刻机已印刷首批图案，并向新客户交付第二台同类设备
近日ASML（阿斯麦）表示，本月将向第二位客户交付High-NA EUV光刻机，安装工作也即将开始。不过ASML并没有透露，具体交付给哪一家公司。其提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。
英特尔宣布完成业界首台High-NA EUV光刻机组装工作，目前正在进行校准步骤
英特尔晶圆代工（Intel Foundry）宣布，在先进半导体制造领域取得了一个关键的里程碑，已在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地完成了业界首台High-NA EUV光刻机组装工作。目前英特尔正在Fab D1X进行校准步骤，为未来工艺路线图的生产做好准备。
ASML已交付第三代EUV光刻机，可用于制造2nm芯片
最近ASML（阿斯麦）交付了第三代极紫外（EUV）光刻工具，新设备型号为Twinscan NXE:3800E，配备了0.33数值孔径透镜。相比于之前的Twinscan NXE:3600D，性能有了进一步的提高，可以支持未来几年3nm及2nm芯片的制造。
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