蓝天的路线图上显示的2014年2月份实际上还不是GTX 800M系列的发布时间，欧洲BTO笔记本电脑公司（其产品应该也是蓝天电脑代工的）的产品总监Remco van Doorn（范·多尔恩）对Hardware.info表示，Maxwell芯片将在明年2月份开始测试，而3月份还有德国CeBIT展会，之后搭配Maxwell显卡的笔记本就会发布上市了，BTO自己的Maxwell显卡笔记本将在3月底上市。

现在基本上可以确认明年3月份会发布Maxwell显卡家族的移动版了，但是我们对Maxwell架构的改进知之甚少，此前流出过Maxwell显卡架构的传闻，GM110级别的旗舰核心将有6144个CUDA核心，最低端的GM108也有576个CUDA核心，规格都很夸张。

另外，TSMC表示2014年1月份就能量产20nm工艺，按说Maxwell也能赶得上20nm，只是现在还无法证实移动版Maxwell是否会上20nm工艺。

　　目前TSMC的主要产能还在28nm工艺上，他们占据了全球90%以上的28nm代工量，高通和联发科都是TSMC的大客户。受此影响，TSMC在去年半导体市场整体只增长9%的情况下依然保持了17-18%的强劲增长，2014年有望继续保持双位数增长。

　　Mark Liu还公布了TSMC的28nm工艺2013年营收将达到54亿美元，占据了TSMC本年度23%的晶圆销售额。

　　展望2014，他预计全球半导体市场将增长5%，比2013年的4%增长高1个百分点。具体到晶圆制造方面，2014年的增长速度则会从2013年的11%下降到9%。

　　当然，作为晶圆代工的老大，TSMC还会继续保持领先，2013年增长了17-18%，2014年有望继续保持双位数增长。

　　目前移动处理器的主流工艺是28nm，三星和TSMC的主力都是，下一代工艺则是20nm，现在正在准备量产的过程中，TSMC明年初会正式量产。正常规划下三星也会在明年进入20nm工艺，不过三星打算给TSMC更多压力，所以Exynos 6会越过20nm工艺阶段，直接上马14nm FinFET（鳍式晶体管，跟Intel的3D晶体管工艺原理一样）工艺。

　　根据业内消息的说法，今年今年底会拿出14nm FinFET工艺的ES工程样品（Engineering Sample），明年初则会推出BS商业样品（Business Sample），这么看14nm FinFET的进度已经非常快了。

　　明年的Exynos 6理应升级到64位ARMv8指令集，三星已经获得了Cortex-A57/A53的授权，目前的Exynos 5使用的是big.LITTLE架构，使用了4个Cotrex-A15和4个Cortex-A7核心，Exynos 6应该使用4个A57和4个A53核心。

　　TSMC在最近的投资者会议上宣布将2013年的资本支出提高到95-100亿美元，之前的支出数据是90亿美元。2013年TSMC的28nm产能和营收达到了2012年的三倍，因此这家公司现在可以把更新的工艺提上日程了。

　　TSMC预计在2014年早些时候量产20nm工艺，之后的一年也就是2015年开始上马16nm工艺。

　　20nm工艺提前量产对TSMC还有更多意义，那就是苹果的A系处理器代工。现在的A7还使用了三星28nm HKMG工艺生产，但是业界一直传闻苹果从20nm工艺阶段把A系处理器代工交给TSMC。如果能在明年Q1季度量产，TSMC代工的芯片或许还能赶上明年春季的苹果发布会，希望到时候iPad mini 2能用上TSMC代工的处理器。

　　三星今年初已经展示了16GB的DDR4模组，目前推出的是32GB容量的，他们都是面向2014年下一代数据中心的企业服务器市场的。

　　图中的ITRS（半导体国际技术路线图）并非一家公司，而是国际组织制定的、反应NAND整体工艺进展的路线图。从ITRS的路线图来看，业界在2012年的主流是20nm工艺阶段，今年的主流则是18nm，年底则会升级到16nm。

　　还是来看各个厂商的具体工艺路线图吧。美光、Intel合资的IMFT会在2013年Q3季度升级到18nm工艺，三星及SK Hynix升级新工艺的节点也在Q3季度，但是前者会升级到16nm工艺，SK Hynix则会升级到15nm。

　　东芝、SanDisk合资的NAND厂升级19nm比其他厂商要晚一些，不过升级到未来的1xnm工艺进度要比其他厂商快，今年Q2季度就会开始制程转换，只是现在还不知道东芝的1xnm工艺到底是多少。

　　虽然制程工艺在升级，MLC依然会是四大NAND厂商的主要选择，但是线宽的降低也给MLC带来更多的挑战，漏电流控制栅极都会导致可靠性进一步减少。低电压及低线宽（工艺越高线宽刻度越小）都会给MLC带来严重挑战。

　　为了进一步提高芯片密度，厂商们还准备将目前的2D工艺升级到3D工艺，这样可以在一个上硅芯片上布置2层电路，这就是常说的3D堆叠工艺。

　　期待在2013年晚些时候见到3D堆叠的NAND。

　　4Gb LPDDR3的数据传输速度可以达到2133Mbps，高于LPDDR2移动DRAM（800Mbps）的两倍。

　　三星20纳米LPDDR3移动DRAM能为5英寸或更大尺寸屏幕的智能手机提供良好的全高清视频播放效果，和30纳米LPDDR3移动DRAM相比，20纳米的产品能提升30%的性能，节省20%的功耗。

　　通过新技术，OEM厂商可以在2GB的单个封包里实现4颗DRAM芯片的封装，而厚度为0.8毫米。

　　三星还计划在今年迟些时候增产新产品。预测2013年DRAM市场与去年相比将增长13%，达到296亿美元，而移动DRAM的销售将超过100亿美元，占DRAM市场总额的35%。

　　据OCZ提供的资料显示，Vertex 3.20系列固态硬盘仍然采用SATA 6Gbps接口设计，仍然使用目前主流的SandForce SF-2281主控，厚度仍然维持9mm不变，唯一改变的就是更换为20nm MLC NAND闪存。至于闪存颗粒由哪一家厂商提供，按照目前来看很有可能是IMFT，至于是采购成品还是自行封装就不得而知了。

　　换用20nm工艺闪存的Vertex 3.20在性能上相比Vertex 3变化不大，前者的最高连续写入/读取速度分别为550MB/s和520MB/s，120GB版本的Vertex 3.20在连续写入上要比同容量的Vertex 3高一点。而4K随机读写的性能则根据SSD容量的不同有所区别，其中120GB版的4K随机读取和4K随机写入速率平均为20000 IOPS和40000 IOPS，240GB版则为35000 IOPS和65000 IOPS。

　　另外由于20nm工艺闪存颗粒的功耗更低，因此Vertex 3.20的活动功耗与待机功耗都要低于Vertex 3。按照OCZ给出的数据，Vertex 3的活动功耗以及待机功耗分别为3W和1.65W，而Vertex 3.20只有2.15W和0.55W。

　　目前Vertex 3.20固态硬盘已经开始出货，有120GB以及240GB两个版本，未来还会加入480GB版本，统一享受3年质保服务，不过具体的产品售价暂未确定，预计和同容量的Vertex 3维持同一水平。

　　UMC CEO孙世伟在财务分析会议上宣布了这一消息，他表示：基于IBM的FinFET工艺授权，UMC决定在20nm工艺基础上发展更先进的14nm工艺，通过双重光刻技术（double patterning lithography）它能提供最优化的低功耗、高性能解决方案。

　　虽然还不知道UMC公布的具体细节，但是他们的FinFET工艺都是授权自IBM公司，如今所宣布的内容也是一样，因此具体作法与GF应该是相似的，都是在20nm后端程序上使用14nm刻度的FinFET晶体管而已。

　　对UMC来说最大的问题是速度，GF将在2014年启用14nm-XM工艺（如果不出意外的话），而UMC的时间进度未知，但是考虑到他们在2014年才会上马28nm HKMG工艺，那么间隔了一个20nm工艺阶段的14nm FinFET工艺的应用时间实在不可预知。

　　除了20nm及14nm工艺研发之外，UMC未来也会配合客户做一些特别的工艺，比如HV、嵌入式非易失性内存、BSI COMS背照式摄像头、2.5寸中介芯片之类的。

　　翻看以前的消息，苹果和台积电将展开合作的消息已经不是第一次传出，不过到目前为止苹果的处理器代工商仍然是三星。只是两者之间的关系已经日益恶化，苹果正想方设法摆脱对三星的依赖，并逐步削减提供给三星的订单。如果台积电的产能可以满足苹果的需要，那么彻底抛开三星也不是不可能的事情。

　　另外有业内人士指出，苹果不愿意继续与三星合作的原因还有一点，就是三星再生产苹果处理器是使用的“高成本低效率”方式。按照计划显示，苹果的四核处理器成本预计在15美元左右，如果通过台积电的代工，应该还能再下降10%左右，对于订单数量很大的苹果来说，这相当于一笔很大的收入，这也将促使他们不再与三星合作。