根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。

集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。

DRAM均价小涨带动原厂第一季获利能力提升第一季因疫情导致出货受阻，「价涨量缩」的情况下，三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌，三星跌幅约3%、SK海力士约4%，美光则约11%（本次财报季区间为2019年12月至2020年2月）。市占方面，三星约44.1%、SK海力士为29.3%，美光则为20.8%。展望第二季，由于产能规划大致相同，因此集邦咨询预期市占比例不会有太大变化。

三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。

三大原厂产能规划保守，资本支出续降观察各厂产能与技术能力，三星持续将部份产能(Line13)由DRAM转向图像传感器(CMOS image sensor)，不过平泽二厂预计下半年投入DRAM生产，弥补Line13的投片下滑，同时提高1Z制程的比重。整体而言，考量疫情对需求面的冲击，三星审慎规划产出，2020年产能增加幅度不高；SK海力士持续将M10厂的DRAM投片转向图像传感器，并增加M14的产出，另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高，主要由1Y纳米制程比重提升贡献；美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。

整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。

台厂重心皆为先进制程的研发与转换南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

尽管营收表现分歧，但台厂今年重心都在下一代制程的研发，如南亚科宣布不使用美光授权后专注于1A/1B纳米，华邦持续提升25纳米新制程的良率和产品多样性，力晶则专攻25纳米DDR4产品的稳定度与兼容性。

据digitimes报道，华邦电子的总裁詹东义最近发言称，虽然中国众多城市受冠状病毒疫情而被封锁，给今年的存储器市场蒙上了不确定的阴影，但是得益于5G技术，DRAM市场需求仍然良好，2020年下半年存储芯片的需求将与供应持平或超过供应。

闪存方面，由于对TWS耳塞，Wi-Fi 6，IoT和5G相关设备的强劲需求，预计2020年上半年NOR闪存和SLC NAND领域将实现健康的供需平衡，下半年的供应还可能会出现短缺。詹东义表示，尽管市场受到冠状病毒的影响，华邦仍觉得存储器市场在2020年对公司有利。

此前由于华邦内部开发的25nm制造工艺的良率不令人满意，致使DRAM产品的平均价下降，最终导致该公司在2019年第四季度陷入亏损。詹东义此次表示，该工艺的良率正在提高，所以公司对今年的运营感到乐观。

NAND闪存方面，长江存储和武汉新芯都在武汉市内，非一线的人员都在家上班，厂里的人依然按照春节排班正常运作，并且严格控制人员进出，但受封城影响，2月9日复工时应该会有不少麻烦，不过说真的，长江存储武汉厂目前仅占全球NAND闪存供应的1%，整体影响其实有限，但对他们原本第二季度的扩产计划可能会有影响，这个就得看疫情发展了。

除了武汉之外，三星在西安，Intel在大连都设有NAND闪存工厂，目前这两个工厂受疫情冲击比较小，除了基本的防疫措施外，人员基本都在2月3日复工，工厂运作正常。

说真的，半导体晶圆厂生产车间可能是这次疫情最安全的地方之一，原因嘛，你们去查查晶圆厂内工人要穿成怎样就知道了。

而尽管市场观察人士担心我国的新型冠状病毒疫情会抑制第一季度的消费者需求，但据digitimes报道，威刚科技董事长陈立白仍然认为，DRAM和NAND闪存的价格稍后将继续上涨。陈立白预计，如果可以有效遏制疫情爆发，对存储芯片的需求将在5月或6月恢复增长。陈立白说，预计第一季度的疫情将削弱实体店的销售，但亏损将被在线购物平台的大幅增长所弥补。

自2019年第四季度以来，NAND闪存价格一直在上涨，到目前为止已经上涨了30-40％。同时由于我国最近将某些省份的农历新年假期延长到2月上旬，以遏制该病毒的传播，最初预计在假期后享受强劲订单的内存模块厂商很可能会看到订单延缓的迹象。

截至2019年底，威刚固态硬盘（SSD）产品的月收入同比增长了一倍以上，占公司总收入的30％以上。随着数据中心公司开始补充存储设备和5G手机的需求拉动以及从HDD切换到SSD的PC用户开始增加，NAND闪存最早可能在2020年上半年开始供应紧张。

而总部位于韩国的SK Hynix对于疫情的影响持谨慎态度，并认为市场将充满不确定性，该公司正在采取保守的生产和投资策略。由于担心该病毒对中国市场的影响，该公司还计划削减2020年的资本支出。2019年，SK海力士的资本支出已同比下降25％至12.7万亿韩元（114.3亿美元）。

另外，价格首先出现上涨的将会是NAND而不是DRAM，根据供应商Lam Research的说法，进入12月之后，NAND的需求量在增加，其供过于求的现象正在发生变化。他们还预计到2019年结束，NAND的位供应量将会上升30%，这比预期的要低很多，所以在2020年上半年，NAND存量就应该会恢复正常水平。而DRAM的存量则仍然还在保持增长，可能会在2020年下半年中才能够恢复正常。

而Lam Research的报告中称明年引起内存价格上涨的因素有服务器和移动端应用的强烈需求，明年OEM将会越来越多地采用新一代平台，而智能手机方面则是受到5G潮流的影响，将推动整个市场的发展。

所以，现在真的是升级内存的最好时间点了。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第四季DRAM均价相较前一季仍小幅下跌，但跌幅已缩小至约5%。10月交易量与先前季度的首月相比明显放大，显示买方购货的意愿逐渐增强。一旦供给商的库存降低，降价求售的必要性便大幅下降，有助于2020年DRAM价格的止稳反弹。针对近期可能影响供给面的市场消息，如三星计划重启扩产，以及中国DRAM厂2020年增加投片等，集邦咨询认为，三星明年上半年暂无增加投片的打算，目前的资本支出规划仅为购入新机台，用于转进1Znm制程。而SK海力士近期重申将减少明年度的资本支出，代表明年的供给位元年成长将较今年趋缓；美光半导体虽未正式宣布明年的资本支出规划，但预估也会较今年保守。在中国DRAM产业发展上，虽然合肥长鑫已宣布将于年底正式导入量产，但初期产能规划仍非常保守，预估真正放量最快也要到明年年末，且中国DRAM产业整体良率提升需要一段时间的学习曲线，对于2020年整体DRAM产业的位元供给成长贡献有限。

相较于合约市场，现货市场的动能显得疲弱许多。由于现在现货市场的交易量已经大幅萎缩，因此价格容易因市场面消息出现剧烈震荡，例如七月中受到日韩贸易战事件影响所造成的连日飙涨。然而，在日本核准并且开放化学原物料进口至韩国后，DRAM供货疑虑消失，现货价格便呈现每日小跌的态势，在十月下旬已经跌破七月飙涨前的新低点。集邦咨询认为，目前的现货价格走势都还在预期范围内，只要合约价格走势平稳，需求端也未见重大下修，短期现货价格偏弱的走势并不会对后续整体市况造成影响。

根据财报数据，2019年第3季度，SK海力士的总收入相对于上个季度有所上升，涨幅达6％，不过相较于去年同期仍然是没有办法比的，少了40％。营业利润与总收入呈现出来的情况相反，相比上季度还下降了26％，比去年同期更是低了93％，主营业务可以说是非常惨淡的了。而收到种种因素影响，虽然收入在涨，但是净收入仍然是在下跌的，不过所幸的是，仍然没有到亏损的地步，但是与去年同期相比低了89％的数据还是会让投资者感到心寒。

主要DRAM和NAND颗粒厂在今年的财务状况都不太好看，大体上还是因为产业大环境呈现一种供过于求的关系，并且这种关系还将继续持续一段时间，最近的固态硬盘与内存价格走势总体平稳，没有再出现去年年末到今年年初那种价格雪崩的情况。很难说之后会出现什么样的行情，目前三家DRAM厂都在推进新工艺与更大容量的颗粒生产，而NAND那边也没歇着，都在推更高堆叠层数的3D NAND，等新工艺成熟之后产能又是一波暴增，当然也说不定会有其他情况出现。

根据台湾中央社的报道，美光在台中扩建的A3工厂主要是扩大无尘工作室以容纳更多的设备，并且进行设备升级，预计明年第四季度完工，扩建此工厂的目的是为了准备下一代DRAM内存芯片的生产，也就是DDR5内存，而此前扩建新加坡Fab 10工厂的目的则是为了生产96层堆叠的3D NAND，两个工厂的扩建目的有所不同。

另外美光还将进一步投资台湾，在台中继续寻求新用地，不过他们否认了要在台中兴建A5工厂的传闻，所以并不清楚美光准备在台湾新建些啥。

至于扩建工厂是否会增加产能，美光给出的答案是否定的，美光在全球的扩厂计划并不打算增加晶圆产能，毕竟现在DRAM和NAND的价格都在不断往下掉，完全供过于求，继续增大产能是不必要的，还不如趁此机会升级工厂已准备下一代产品的生产，这也是美光这次升级新加坡Fab 10工厂和台湾A3工厂的目的。

由于内存和闪存的价格暴跌，SK海力士今年第二季度收入同比下降了5%，营业利润同比下降了53%，与去年同期相比，收入更是下跌了38%，营业利润下跌了89%之多。作为SK海力士的核心业务之一的DRAM内存，它的环比出货量增长了13%，然而由于价格疲软，平均售价下跌了24%，而另一个核心业务NAND闪存，环比出货量增长了40%，然而平均售价下跌了25%。

面对存储市场惨淡的市场状况，SK海力士将从第四季度开始削减其DRAM产能，下半年开始就把韩国利川的M10工厂部分DRAM生产线转换为CMOS图形传感器生产线，以此降低DRAM的产能。此外NAND的产能也打算削减15%以上，而去年他们预计只打算降低10%的产能。

至于未来的计划，今年年底前1X和1Y nm的DRAM占比将提高的80%，并在今年下半年开始销售1Y nm的内存，NAND闪存方面，SK海力士将继续专注其72层堆叠NAND，同时还计划通过下半年增加96层的4D NAND来瞄准高端智能手机和SSD市场，他们还准备批量生产和销售128层堆叠的1Tb TLC 4D NAND。

DRAM颗粒的价格上涨会影响到内存条价格的上涨，直接影响到消费者选购内存条。即使到目前8Gb DDR4内存颗粒的现货价格依旧在3.736美元。

在本月初时日本宣布对韩国实施制裁，导致半导体工业中的如聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢成为管控目标，缺少这些原材料可能会使芯片的生产停滞。同时三星及海力士是全球存储芯片领域的巨头，全球75%的DRAM芯片产自韩国，但由于生产所需原料依旧大部分依旧需要进口获得，所以产量的减少可能会导致价格的再次上涨。

不过根据DRAMeXchange发布的公告称，DRAM芯片的短期价格会受到日韩贸易争端的影响，但长期的影响依旧取决于库存水平。然而在KBS World的报道中，一位观察员称如果三星和SK海力士遭遇实际产能挫折，内存价格可能会飙升。

虽然现在三星等厂商已经开始寻找生产材料的供应商，想办法维持产能，但目前DRAM芯片价格上涨已成为事实。也希望日韩争端能尽快解决，毕竟内存等芯片价格上涨对消费者来说也不是好事情。

据digitimes报道，IC行业著名的调研机构IC Insights最近的报告指出，由于经济和贸易的不确定性，以及需求疲软对DRAM售价造成的压力，DRAM市场的资本投资今年将暴跌28％。

IC Insights指出，2019年下半年IC行业面临的一个重要问题是DRAM市场是否会出现反弹。目前的估计是，如果出现任何反弹也将是由新的制造技术所带动。在2017年和2018年DRAM市场的巨额资本投入后，新的产能将在多大程度上上线是问题所在，以及由于这种技术累积，DRAM每GB容量的单价将下降多少。

太多的资本投入通常会导致产能过剩和随后的价格疲软，并且这种情况会因经济疲软和最终用户需求的疲软而放大。随着三星、SK海力士和美光在2018年积极投入增加DRAM产能，并且随着经济和贸易的不确定性继续渗透到全球市场，IC Insights认为DRAM产能过剩的风险以及随后的价格疲软将继续在2019年的剩余时间里持续下去。

IC Insights继续表示，2019年的实际DRAM资本投入预计将低于维持20％的销量增长所需的开支。这可以抵消2018年的超支，并有助于DRAM市场在2020年开始回归到正常的供需平衡。

根据中国工业新闻网的报道，经过多年的发展，紫光集团目前已经在存储相关的设计和制造领域形成了一定的实力基础，并拥有了从生产、设计、测试、方案构建到全球量产销售等研发和产品化方面的经验。紫光旗下的西安紫光生产出了全球首个支持内嵌自检测修复的DRAM存储器产品（ECC DRAM），并且涵盖了SDR、DDR、DDR2、DDR3和DDR4，以及在低功耗方面的LPDDR2和LPDDR4等产品标准，其中二十余款产品已经量产并销售。紫光在服务器内存模组（RDIMM,NVDIMM）、笔记本内存模组（SODIMM）和台式机内存模组（UDIMM）也已经有40多款产品实现了量产并已经面世。

在3D NAND方面，紫光旗下的长江存储已经研发并小规模批量生产了32层3D NAND闪存芯片，并在产品当中采用了Xtacking TM技术，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，使得NAND获取更高的I/O接口速度及更强的操作功能。

紫光此次组建DRAM事业群的目的是整合自己相关的技术和产品，扩展在存储器领域的布局，并深化其“从芯到云”产业链的建设。其中被任命为DRAM事业群董事长的刁石京现担任紫光集团联席总裁、紫光国微董事长、紫光展锐执行董事长、长江存储执行董事等职务；被任命为DRAM事业群CEO的高启全现担任紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事及代行董事长、武汉新芯CEO。

小编认为，国内企业能够进一步整合技术和产业对于消费者肯定是有利的，所以还是希望国内企业可以越做越好。

据DRAMeXchange报道，DRAM市场供给过剩导致价格不断下跌，DRAM厂虽然尽量减产但仍然无法让价格明显止跌，维持获利的唯一方法就是微缩制程来降低单位生产成本。不过，DRAM制程向1z纳米或1α纳米制程推进的难度愈来愈高，随着EUV量产技术获得突破，或可有效降低DRAM成本。

据悉，三星预期在今年11月开始量产采用EUV技术的1z纳米DRAM，量产初期将与三星晶圆代工共享EUV设备，初期使用量虽不大，但却等于宣示DRAM光罩微影技术会朝EUV方向发展。至于SK海力士及美光也已表明开始评估采用EUV技术，业界预期将可能在1α纳米或1β纳米世代开始导入。

三星的1z纳米属于第三代10nm级工艺，10nm级工艺并不是10nm工艺，由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后还有1α及1β工艺。由于先进制程采用EUV微影技术已是趋势，在台积电第二季EUV技术7+纳米进入量产阶段并获华为海思订单后，三星晶圆代工也采用EUV量产7纳米制程，英特尔预期2021年7纳米会首度导入EUV技术。而随着制程持续推进至5纳米或3纳米后，EUV光罩层会明显增加2～3倍以上，对EUV光罩盒需求亦会出现倍数成长。

根据Digitime给出的数据，台湾内存模组厂商在今年第一季度的表现不一，威刚从上一季度的亏损转为净利润1.52亿新台币，利润创下六个季度的新高；十铨第一季度收入增长3.78%到16.9亿新台币，为同一季度的9年新高；但创见第一季度净利润下降6.89%，同比下滑23%至3.68亿新台币。

过了第一季度这个淡季，第二季度市场对DRAM和NAND的需求都会有所增加，这些公司的销售业绩也会有所好转，不过内存的价格在第二季度依然会继续下跌，只是降幅不会有那么大，DRAM和NAND的合约价格也会在这个季度内触底，到了第三季度这个旺季，价格可能会有所反弹。

在过去一年的时间里，DRAM和NAND上游供应商由于产能过剩都面临着巨大的降价压力，这也影响了他们的盈利能力，部分厂商比如三星，他们并不怎么愿意降价，这也最终导致他们失去了部分市场份额和利润，随着厂商的联合减产，今年存储芯片的价格将趋向稳定，甚至可能会反弹。

SK Hynix海力士半导体（中国）有限公司自2005年在锡设立以来，历经5期重大投资建设，累计投资额达105亿美元，是国内半导体投资规模最大﹑技术最先进的项目，也是江苏省单体投资规模最大的外商投资项目。目前在无锡的内存厂每月产能高达13万片晶圆，占据SK Hynix公司近一半产能，占全球产能约为15%。

2017年6月，SK海力士无锡二工厂项目正式开工，项目总投资86亿美元，经过一年多的建设，4月18日工厂正式竣工。昨天无锡市委市政府领导、SK Hynix CEO李锡熙、韩国驻上海总领事崔泳杉等人出席了竣工仪式。

SK Hynix无锡二厂达产之后，月产能将达到18万片12英寸晶圆，年销售额预计为83亿美元，这将是全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地，可将SK Hynix在中国DRAM市场上的份额从目前的35%提升到45%的水平。

SK Hynix无锡二厂宣布开工正是DRAM内存价格高涨的时候，不过时至今日DRAM内存价格江河日下，18万片/月的产能对内存市场的供应来说影响可不小，尽管现在还不会立即达到目标产能，但是无锡工厂的产能大增对全球DRAM内存价格可能是雪上加霜，导致DRAM内存价格持续下滑。

当然，对消费者来说，DRAM内存降价就不是什么坏事了，8GB内存单条跌倒200元是很多人都在期待的好事。