SK海力士宣布与Solidigm进行首次技术与产品的合作，将SK海力士的128层堆叠的4D NAND闪存与Solidigm的SSD主控和固件专业知识相结合，推出双方第一款合作产品：新型企业级固态硬盘（eSSD）P5530。该款产品支持PCIe 4.0接口，提供了1TB、2TB和4TB容量，并针对特定数据中心用例和目标部署的性能进行了优化。

SK海力士表示，未来将会和Solidigm一起优化双方公司的运营，创造协同效应和合作伙伴关系。SK海力士期望通过与Solidigm的合作，将其NAND闪存业务的竞争力提升至与其DRAM业务相同的程度。

Solidigm首席执行官Rob Crooke表示：

“在创立Solidigm的初期，我们很高兴能与SK海力士建立强有力的合作关系。双方齐心协力优化我们的产品，为我们的客户提供了无与伦比的解决方案。P5530只是我们定义为合作伙伴关系后的第一个例子，我们将巩固在NAND行业的领导地位并创建了固态存储的新范例。”

虽然英伟达的收购没有成功，但抱有同样想法的企业可不止一间，毕竟Arm是目前最炙手可热的CPU架构之一，应用范围覆盖客户端、超级计算机、云端服务、人工智能和机器人技术等重要领域。有点让人惊讶的是，SK海力士在近日的年度股东大会上表示，正在审查是否应该与战略合作伙伴组成财团收购Arm，不过该计划仍处于初级阶段。

在SK海力士看来，他们的计划与英伟达的并不一样。SK海力士的首席执行官朴正浩表示，不一定要购买其大部分股票才能控制公司。这意味着即便软银让Arm上市，SK海力士也会尝试其他方式控制Arm，如果与其他合作伙伴组成财团参与，似乎是一个更为明智的选择。事实上，此前英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）就曾表示，若有财团打算收购Arm，非常愿意以某种方式参与其中。

SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，在DRAM和NAND闪存方面都有着相当大的市场份额。如果可以投资Arm，将会扩展其业务范围，在全球半导体行业和供应链中扮演更重要的角色。

这周美国联邦第九巡回上诉法院裁定，针对DRAM芯片制造三巨头的指控缺乏足够可信的证据，因此驳回了起诉。原告提出了多项“证据”，以证明被告的商业行为是事先约定的。不过法院考虑了各项因素，认为更多的是作为一个整体考虑，认为这些指控并不构成原告的主张，需要通过“进一步强化事实”来予以支持。

法院在法庭案件分析里提到，被告的行为“更有可能通过行业中的合法、未经设计的自由市场行为来解释”，而不是通过非法协议。简单来说，就是三星、SK海力士和美光相似的行为，原因在于理性地分析市场后做出了较为一致的决定。这意味着三星、SK海力士和美光躲过了这一次反垄断案，若再次提起，则需要更多额外、过往不曾看见的证据。

三星和SK海力士过去曾因涉嫌操纵价格，被美国司法部罚以巨款。三星在2005年，因涉及限定DRAM价格和妨碍公平竞争的行为被罚3亿美元。SK海力士也因类似的行为在同一年被指控，最后认罪并支付了1.85亿美元的罚款。

韩国另一间DRAM大厂SK海力士今天宣布，已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术，首款基于该技术的产品为GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。在2月24日举行的ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路会议）上，SK海力士将公开PIM芯片技术的开发成果。

与一般GDDR6标准工作电压（1.35V）相比，GDDR6-AiM的工作电压降低至1.25V，加上与CPU和GPU数据传输的减少，功耗降低了80%，从而可以减少设备的碳排放，改善ESG表现。SK海力士表示，与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM与CPU、GPU相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍，新产品有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。

SK海力士相信未来存储半导体可以在智能手机等ICT产品中发挥更为核心的作用，甚至实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。接下来SK海力士计划与SAPEON Inc.合作，推出与人工智能半导体相结合的全新技术。

无论三星还是SK海力士，看起来都将PIM技术视为未来存储半导体发展的关键。前者似乎优先选择在数据中心方面切入，目前已经有厂商使用了加入PIM技术的AXDIMM内存在服务器上进行测试，而后者更在意与AI技术和ITC产品之间的结合。

此外，SK海力士在2021年第四季度的合并收入为12.377万亿韩元（约合99.01亿美元），同比增长了55%，利润为4.22万亿韩元（约合33.76亿美元）。销售额历史上首次按季度突破12万亿韩元，利润连续两个季度达到4万亿韩元。随着第一阶段收购英特尔NAND闪存以及存储业务结束，SK海力士预计在新公司Solidigm的加持下，NAND闪存的销售规模会进一步增长，销售额将比去年翻一番。

SK海力士计划扩大招聘计划，具体日程会在下个月公布。SK海力士将会在今年第一季度启动一系列校园招聘，以及招募有丰富经验的业界资深人士，为接下来的增长做准备。无论是美国子公司Solidigm，还是全面进入运营的M16晶圆厂，都需要大量制程工艺、器件、设计、测试、封装、SoC、软件、数据科学、产品规划与战略等人才。

JEDEC表示，HBM3是一种创新的方法，是更高带宽、更低功耗和单位面积容量的解决方案，对于高数据处理速率要求的应用场景来说至关重要，比如图形处理和高性能计算的服务器。新一代HBM3内存主要属性包括：

将经过验证的HBM2架构扩展到更高的带宽，将HBM2的每引脚数据速率提高一倍，并定义高达6.4 Gb/s的数据传输速率，相当于819GB/s。

将独立通道的数量从HBM2的8个增加到16个，每个通道有两个伪通道，HBM3实际上支持32个通道。

支持4层、8层和12层TSV堆栈，并为未来扩展至16层TSV堆栈做好准备。

支持单层8Gb到32Gb的存储密度，意味着容量从4GB（4层8Gb）到64GB（16层32Gb），预计第一代HBM3设备将基于单层16Gb。

为了满足市场对高级平台RAS（可靠性、可用性、可维护性）的需求，HBM3引入了片上纠错技术（ECC），以及实时错误报告和透明度。

通过在主机接口上使用低摆幅（0.4V）信号和较低 （1.1V）工作电压来提高能效。

技术营销总监兼JEDEC HBM小组委员会主席Barry Wagner表示，凭借HBM3内存更强的性能和可靠性，将对需要海量内存带宽和容量的新应用提供有力的支持。此外，美光、SK海力士和Synopsys等企业的负责人也对HBM3内存标准的发布感到高兴。

在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。SK海力士提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。

SK海力士是对于HBM内存的研发一直非常积极，早在去年6月份就展示了第一款HBM3内存，提供了665 GB/s的带宽。随后在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。

SK海力士提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，前者的芯片高度也仅为30微米。这些HBM3内存可提供819 GB/s的带宽，比上一代HBM2E的带宽则是460GB/s，带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。

这次SK海力士带来的HBM3内存仍然是采用12层硅通孔技术，最大容量也是24GB（196Gb），不过带宽提高到了896 GB/s。暂时还不清楚SK海力士的这些HBM3内存是处于原型阶段，还是打算大规模批量生产。

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "HBM内存规格对比", header: ["型号", "HBM3", "HBM2E", "HBM2"], width: '92%', columnWidth: 'MAX', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["最大容量", "24GB", "16GB", "8GB"], ["堆栈芯片数量", "12", "8", "8"], ["位宽", "1024bit",], ["带宽", "896GB/s", "460.8GB/s", "256GB/s"] ] });此外，三星还将展示速率为27 Gbps的GDDR6，采用了T-coil电路结构，以实现更高的传输速度，比目前最高的24 Gbps产品更快。其容量为2GB（16Gb），与美光的GDDR6X相同。

Platinum P41系列SSD采用了176层堆叠的3D NAND闪存，搭配了SK海力士代号为“Aries”的主控芯片，并配有DDR4 DRAM缓存。Platinum P41系列SSD最大的顺序读写速度分别为7000 MB/s和6500 MB/s，随机读取为1400K IOPS、随机写入为1300K IOPS。TBW会随着容量减小而降低，从容量2TB型号的1200TB，到容量500GB型号的500TB。SK海力士向PCIe 4.0标准规范的SSD进军，意味着其产品很快将会与三星980 Pro等产品竞争。

Platinum P41系列SSD提供了三种不同的存储容量，分别是2TB、1TB和500GB，均享有五年保修。虽然SK海力士只是刚刚发布Platinum P41系列SSD，但实际上市应该不会等太久，应该会在2022年第一季度内。

近期SK海力士已完成收购英特尔NAND闪存以及存储业务的第一阶段计划，支付了70亿美元购入了包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。这些业务将转移到名为Solidigm的新公司运营，属于SK海力士的子公司，总部将设于美国加利福利亚州的圣何塞。相信在下一阶段，SK海力士将继续扩大其NAND闪存业务。

12月29日，英特尔发布公告，表示已收到SK海力士第一阶段交易所支付的70亿美元，SK海力士购入了包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。交易在2025年3月份完成后，SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩下的资产，包括NAND闪存的制造和设计、研发团队和大连晶圆厂的队伍。在此期间，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

这些业务将转移到名为Solidigm的新公司运营，该名字反映了固态存储的新模式。Solidigm属于SK海力士的子公司，总部将设于美国加利福利亚州的圣何塞。英特尔资深员工Rob Crooke将担任Solidigm的首席执行官，过往他曾担任英特尔非易失性内存解决方案事业部的高级副总裁兼总经理，而SK海力士总裁兼联席首席执行官李锡熙将担任Solidigm的执行主席。

Rob Crooke表示，Solidigm有望成为下一家全球性的大型半导体企业，为重塑数据存储器和存储行业提供了前所未有的机会，未来将坚定不移地以推动人类进步的方式引领数据行业发展。

据Business Korea报道，SK海力士与英特尔的这笔交易可能在今年年底获得中国监管机构的批准。此前，美国、韩国和英国的监管机构已先后通过了这笔交易的审批。相比之下，AMD收购Xilinx（赛灵思）仍在等待中，此前也有传言指会在年内得到通过，目前处于第二阶段的监管审查中，如有必要还可能进行第三阶段的调查，为期大概两个月。

在获得全球各地监管机构批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。交易在2025年3月份完成后，SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩下的资产。在此期间，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。此前有报道称，SK海力士在接收英特尔的业务后，会作为一家独立公司运营，总部将设在美国。

按照英特尔的说法，通过出售其NAND闪存以及存储业务获得的收益，将用于推进未来长期增长的重点项目，包括人工智能、5G网络、以及智能和自主的边缘计算等。英特尔旗下负责汽车自动驾驶业务的Mobileye估计也是重点关注对象，近期英特尔表示有意将其单独上市。

所谓4D NAND闪存本质上也是3D NAND闪存，只是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从原有的位置挪到了底部。好处是每个晶圆的产量得以提升，最终每GB的存储容量可以使用更少的硅，这可以降低生产成本。SK海力士Gold P31 M.2 SSD顺序读写速度分别为3500 MB/s和3200 MB/s，基本达到了PCI-E 3.0 x4通道的带宽上限。同时Gold P31 M.2 SSD的功耗比较低，发热量较小，有着很好的能耗比，非常适合笔记本电脑使用，得到了不错的评价。

不过时至今日，最大1TB的容量显然有点太小了，已不能满足部分消费者的需求。近日，SK海力士宣布Gold P31 M.2 SSD将增加2TB版本，其PCB也由绿色改成了黑色，仍使用名为Cepheus的主控芯片，最大写入量也提高到1200 TBW。虽然早已展示过2TB容量的Gold P31 M.2 SSD，但已经是一年多以前的事了，SK海力士是最后推出2TB容量的SSD厂商之一。

SK海力士市场营销主管Sanglae Lee表示，2TB容量的Gold P31 M.2 SSD针对的是大容量和高性能需求的用户，接下来SK海力士会不断拓展消费级SSD产品线，以提高市场占有率，满足更多消费者的需求。

目前2TB容量的Gold P31 M.2 SSD已经在亚马逊上架，价格为279.99美元。

英特尔的3D NAND和存储业务一直专注于服务器和企业存储市场，而SK海力士则几乎面向所有存储领域，在整合后不可避免地会失去一些客户。将英特尔的存储业务部门作为一个独立实体，有助于减少双方在存储市场重叠造成的客户流失，但不确定新成立的子公司是否还会继续开发自己的3D NAND闪存。

SK海力士与英特尔这笔价值90亿美元的交易里涉及的条款有点复杂，即便想进行整合也并不轻松。在获得全球各地监管机构批准后，SK海力士将向英特尔支付70亿美元，购买包括英特尔位于中国大连的工厂在内的NAND闪存业务。交易在2025年3月份完成后，SK海力士会向英特尔支付剩余的20亿美元，购买剩下的资产。在此期间，英特尔的工厂会继续正常生产，直到合同最终完成。

此前SK海力士还向其合作伙伴提供了相关的DDR5芯粒和工程样品，与即将推出的处理器进行验证。今年下半年量产之后，在消费市场上将满足英特尔Alder Lake平台的需求，到了明年上半年，还会为服务器市场的Sapphire Rapids处理器服务。SK海力士在声明中透露：

“今年下半年开始供应通过EUV（极紫外）设备量产的1a nm级工艺技术的DRAM，以及DDR5 DRAM的量产。”

在这个月初，SK海力士宣布会在本月开始量产基于1a nm级工艺技术的8Gigabit（Gb）LPDDR4移动端DRAM产品，这属于第四代10nm制程技术，是专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率。与上一代的1z nm级工艺技术相比，在使用相同尺寸晶圆的情况下，生产的DRAM产品数量增加了25%，功耗将降低20%。

明年初开始，SK海力士会将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品，代替第一代DDR5产品。除了启动DDR5的批量生产外，SK海力士还将扩大128层NAND闪存在移动端和企业级产品的使用，并会在今年晚些时候量产176层NAND闪存。

SK海力士表示，非常期待新技术带来的生产力提升，并在成本上进一步提升竞争力。预计采用1a nm级工艺技术可以在使用相同尺寸晶圆的情况下，生产的DRAM产品数量比前一代的1z nm级工艺技术增加25%，这有助于缓解全球市场的供应短缺情况。随着技术的迁移，越来越多的半导体企业采用EUV光刻设备生产芯片，一家半导体企业在技术上的领先取决于如何充分利用DUV光刻设备。

新产品的速率将稳定在4266 Mbps，是标准LPDDR4移动端DRAM规范中最快的传输速率，同时功耗将降低20%，SK海力士将从明年初开始将1a nm级工艺技术应用于旗下的DDR5产品。在未来，三星和美光都将启用EUV光刻设备生产DRAM产品，但美光会更晚一些，按计划要等到2024年。

24万片DRAM晶圆并不算是一个小数目，这种规模的事故可能涉及多个SK海力士的晶圆厂在数周内生产的产品，或者某个晶圆厂在过去几个月内生产的DRAM，不过对于晶圆厂在不同制造阶段的全面质量控制检测机制，这两种情况几乎都不可能发生。

如果真的有24万片DRAM晶圆出问题，很可能对全球供应和价格产生影响，特别是现阶段个人电脑及其他方面对DRAM的巨大需求，早已处于供不应求的状态。DRAM制造商的库存一般都很低，通常只有三到四周，而PC制造商平均达到十周。根据相关调查机构的数据，2021年第二季度DRAM价格比第一季度上涨了18%-23%，预计第三季度会比第二季度再高3%-8%。