这次出事的内存芯片主要是高端的服务器芯片，Digitimes援引业界消息称三星、SK Hynix的18nm DRAM芯片遇到了技术问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

由于18nm良率不稳，服务器DRAM芯片的供应已经非常紧张，用于数据中心的高端服务器内存会更加紧张。此外，由于服务器DRAM芯片供应的不稳定性增加，DRAM芯片Q3季度降价的速度可能比预期更快。（PS：原文说的就是降价，按理说供应不稳的后果不是涨价吗？）

不过出事的三星、SK Hynix内存主要是针对高端服务器市场的，这个问题对笔记本、PC及其他消费级产品的内存来说影响不大，消息人士认为这次曝出的问题不会对整体的DRAM芯片供应产生重大影响。

来自IC经销商的消息称，由于18nm DRAM芯片不稳定，包括阿里巴巴、腾讯、华为、联想在内的中国公司已经开始争抢20nm芯片订单。

无锡是SK Hynix在中国的DRAM内存芯片生产基地，现有产能在10-12万片晶圆/月，约占全球产能的10%，对全球内存产能都有重大影响。这两年内存芯片价格大涨，SK Hynix也跟三星一样在谋求扩大产能，接连在无锡投资升级洁净室，并建设二期工厂。

根据报道，这次发生火灾的是SK Hynix无锡工厂二期厂房，该项目总投资86亿美元，规划产能高达20万片晶圆/月。幸运的是火灾影响的只是在建厂房，一期工厂并没有发生火灾，对现有的内存生产没有影响，不过发生意外显然会拖累新厂房的建设过程。

这不是无锡工厂第一次发生火灾了，2013年SK Hynix无锡工厂就发生了大火，导致大量晶圆报废，直接影响了SK Hynix的内存产能，而全球内存在当时顺势涨价，影响极深。

这次发生火灾理论上不会影响SK Hynix的内存生产、供应，但是这两年的内存市场已经畸形，不少经销商、厂商都是在玩囤货，所以很难保证不会有人借机炒作。

对于内存反垄断调查，官方目前还没有发布消息，不过此前有媒体宣称中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。

经济观察网日前原因三星中国区负责人的消息证实了此事，“5月31日有过现场调查，目前我们正在协助调查，”三星中国公司相关负责人告诉经济观察网记者，这位人士还表示“中国三星在接受问询当中。”

原文还援引律师的话称反垄断调查大多数都是基于举报进行的，凡是立案调查的都必须掌握初步证据，目前已经进行立案并突袭调查了，说明官方已经掌握了一定证据。

这次调查是商务部反垄断部门发起的，而在此之前，去年底中国发改委约谈了三星公司，那次就是因为有中国手机厂商因存储芯片价格上涨而举报了三星公司，经济观察网表示举报者可能不止中国手机公司，应该还有竞争对手。

在这方面，三年前高通在中国的反垄断调查也是基于中国手机公司举报才发起的，最终高通公司被发改委处以61亿人民币的罚款。

从2016年下半年到现在为止，NAND闪存、DRAM芯片涨价已经持续了两年，NAND闪存价格目前正在回落，但是DRAM芯片价格依然居高不下，而中国是全球最大的存储芯片消费市场，根据调查数据中国去年进口了价值889亿美元的存储芯片，同比增长了40%，高昂的成本已经让中国智能手机以及其他行业承受了巨大压力。

三星、SK Hynix及美光是全球主要的DRAM芯片供应商，三家占据了全球95%的份额，三星一家就占到全球的46%份额。根据原文所述，2017财年三家公司半导体业务在中国营收依次分别为253.86亿美元、89.08亿美元、103.88亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

如果依据中国《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚，他们将会被处以上一年度销售额1%-10%的罚款，且需要考虑违法行为的持续时间，因此从2016年开始计算的话，三家公司的反垄断罚款额预计在8-80亿美元之间。

立案调查跟约谈的差别很大，约谈没有什么约束力，但是真要立案调查了，这三大内存芯片公司在国内就要面临极大的法律压力。彭博社今天援引美光方面的消息称中国国家市场监管部门在5月31日访问了美光中国办事处，寻求某些信息，美光公司周五在邮件中证实了此事，并表示正在跟中国官员合作。

在美光之外，国内还有报道称三星、SK Hynix被中国监管部门访问，但是这两家公司都没有公开回应此事。

有意思的是，在彭博社的报道中，美光对中国官方调查一事的描述很平淡，用词都是“到访、访问”之类，意图淡化此事，而在国内的媒体报道中说的是中国官员突袭了三星、SK Hynix及美光公司办事处，并带走了相关文件。

彭博社收集的信息显示，美光公司去年来自中国市场的营收大约占了一半，而中国一直试图提高国内芯片的自给率。

原文还提了中国中兴公司被美国制裁的消息，由于被发现向伊朗违规出售通信设备，中兴公司被美国商务部制裁，7年内被禁使用美国公司的芯片。

有意思的是，在中兴通讯被传解除美国制裁之后，高通收购NXP的审查据说很快就会获得中国审批通过，不过昨天官方表态称仍在审查高通收购NXP交易一事。

由于NVIDIA显卡近年来都是打包GPU核心、显存芯片给AIC厂商，所以显卡厂商使用哪种显存就要看NVIDIA给了三星、SK Hynix还是美光的订单了，GTX 1080/1080 Ti使用的是美光GDDR5X显存，仅此一家供应商，GTX 1070 Ti也是美光GDDR5显存，GTX 1070用的是三星GDDR5，近来使用较少的反而是SK Hynix的显存颗粒。

来自路透社的消息称，SK Hynix与NVIDIA签订了DRAM颗粒供货协议，合约已经开始执行，这将增加SK Hynix高端显存芯片的出货量及营收，带动SK Hynix公司股价大涨6%到94万韩元，创下了17年来新高。

至于SK Hynix与NVIDIA供应的显存颗粒具体是什么规格的，现在就没消息了，考虑到目前GTX 10系显卡的显存颗粒供应紧张，所以GDDR5显存颗粒肯定少不了。不过SK Hynix今年1月份就宣布可以出货GDDR6显存颗粒了，共有2种型号4种速率，最高可达14Gbps。

SK Hynix的GDDR6显存颗粒

此类供货协议都是长期的，可以预见SK Hynix供应的显存颗粒中也会有GDDR6颗粒，这也意味着下一代Volta游戏卡（或者是传闻的中Tuning架构）使用GDDR6显存的可能性更高了。

东芝出售NAND闪存业务一开始就不是单纯的商业行为，因为东芝是全球第二大NAND闪存企业，而且是NAND技术的发明人，常看新闻的玩家可能也注意到东芝在NAND闪存上走的路线不同，他们使用的是BiCS（Bit Cost Scaling）技术，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。

考虑到先进技术的意义，东芝出售NAND业务也让日本政府异常关注，所以东芝出售NAND业务潜在的条件就是任何可能导致日本先进技术外流的收购都不太可能被批准。这个问题其实早就明朗了，东芝董事长綱川智上周末在媒体会议上也公开了选择SK Hynix公司的理由——SK Hynix公司承诺只提供资金，不寻求拥有表决权，因此不会参与、干预东芝公司运营，所以东芝相信他们能够防止技术外流。

不过SK Hynix公司真的对东芝NAND技术没兴趣？东芝董事长的表态遭到了日经新闻的质疑，原因就是2014年东芝、SK Hynix公司发生过一次商业窃密纠纷。2008年一名东芝公司的52岁工程师偷偷复制了机密的NAND资料，然后离职跳槽到SK Hynix公司，将资料交给了SK Hynix之后又离开了SK Hynix公司。东芝公司随后发起了指控，并在当年3月份起诉了SK Hynix公司，索赔上千亿日元。

最终东芝与SK Hynix公司达成了和解，SK Hynix公司赔偿东芝公司330亿日元。

有这个前车之鉴，东芝这番表态确实容易遭人质疑。事实上东芝选择SK Hynix也确实很有槽点，这两家公司本来就有竞争关系，如果说东芝担心技术外流，那么博通/银湖资本也没有问题，而且互补性很高。

如果没什么重大变化了，东芝公司预计在本月底与美日韩联盟签约，正式确定卖身协议。不过出局的东芝、西数还没有放弃，还在争取最后的机会。

与其他厂商的3D NAND闪存相比，SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多，去年其他厂商还在堆栈32层的时候，他们就做了48层堆栈的了，今年其他厂商是64层堆栈，SK Hynix搞的的是72层堆栈，不过层数虽多，SK Hynix的3D闪存核心容量并不算高，4月份发布的72层堆栈3D闪存核心容量才256Gbit，只是其他家32层堆栈的3D NAND闪存的水平，东芝、西数及三星的64层堆栈已经可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不仅会提升堆栈层数，容量也同样会提升。Tomshardware报道称他们下一代产品是96层堆栈的，核心容量将提升到512Gbit。当然，这也不是终点，原文称其他韩国SSD厂商（这是说三星？）将推出128层堆栈的3D NAND闪存，核心容量将提升到1Tbit。

这是什么概念？目前主流的闪存核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我们在SSD上常见的NAND芯片是由多个核心组成的，即便是4个核心，那么一片“闪存”的容量也有512GB了，M.2这样的SSD上正反面至少可以布置4篇闪存，那么容量轻松达到2TB，如果内部搭配的核心更多，那么4TB、8TB也很正常。

当然，128层堆栈的3D NAND闪存可能还要一两年时间才能问世，今年主流是64层堆栈，明年会提升到96层，128层大概要等到2019年了。

除了堆栈层数之外，提升NAND容量、降低成本还有别的方式，这就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未来的QLC闪存——SLC大家都知道它的好处，性能最强，可靠性最高，但是成本也是最贵的，MLC次之，可惜现在只在部分高端型号上才见到了，TLC闪存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC闪存现在已经成为主流了，特别是在3D NAND时代。

下一步就是QLC闪存，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每个cell单元容纳4位数据，比TLC的3位数据还多，好处是容量更大，但缺点也跟TLC一样，都是牺牲了可靠性及写入性能，因为QLC对信号的控制要求更严格，所需的校验更多。

从这几年的情况来看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC闪存了，它从实验室走入市场只是时间问题，这次的台北电脑展上给出了更具体的信息，明年的电脑展上就能见到QLC闪存了。不只是TH这么报道，我们的记者团在跟厂商交流时也得到了类似的信息，那就是QLC闪存在明年下半年就会崭露头角。

从TLC最初的遭遇来看，QLC初期肯定也会面临性能、可靠性等方面的质疑，不过成本更低、容量更大的要求使得QLC没有后退的可能，这条路没法逆转了。更加“悲剧”的则是以前大家觉得是次品的MLC闪存也会越来越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC闪存狗带的命运也是不可避免的。

对消费者来说，其实并不需要太在意闪存类型，早前闪存可靠性之所以受人关注，除了先天的技术问题外，还有一个重要因素就是之前的SSD容量太小，而对NAND来说，容量=寿命，大家购买的容量越大，可使用时间就越长，等到QLC闪存成熟了，SSD硬盘容量估计都是TB级的，写入寿命这事并不需要这么耿耿于怀，还是要看到技术进步的。想要了解更多SSD硬盘寿命及可靠性信息的玩家可以关注小超哥（id:9501417）微信，找他咨询相关问题。

过去两年中国内积极发展存储芯片产业的政府/公司主要有三股力量，紫光在武汉的是国家基金项目，较大的还有两个地方政府项目——福建晋华投资集团在福建晋江投资370亿元建设存储工厂，月产能将达到6万片晶圆，也得到了30亿国家专项基金支持，也算是半国家队了。

相比之下，合肥政府推动的存储芯片最为低调，低调到网上都没多少确切消息，负责实施的公司合肥长鑫都找不到官网，我也只能在一些招聘网站上看到他们的介绍。Digitimes报道称这家公司最近改名为Rui-Li集成电路公司（同样没在网上找到具体的中文名字），他们已经要求半导体装备供应商在2017年底要发货。

Rui-Li公司预计在2018年Q1季度开始安装生产设备，并且跟晶圆供应商谈判以确保2018年内获得稳定的晶圆供应。

这家公司背靠合肥政府支持，将投资72亿美元（国内报道是494亿元）建设12英寸晶圆厂，月产能高达12.5万片——这个产能规划相当庞大了，与SK Hynix现在的产能差不多，比福建的存储芯片项目更高，仅次于紫光在武汉的12英寸晶圆厂20万片/月的产能，当然紫光远期目标是每月100万片晶圆，这是2030年全部完工之后的产能。

至于技术来源，合肥长鑫公司自己应该是没有DRAM研发能力的，他们目前从各大内存领域公司挖人，主要有两个团队——一个团队的员工主要来自SK Hynix公司的前员工，另一家则是前尔必达公司的员工。

合肥长鑫公司现在还招募台湾华亚科公司的前员工，后者去年被美光全资收购了，也是三星、美光、SK Hynix之外第三个有能力推进20nm工艺DRAM芯片的公司。长鑫公司进来从华亚科挖走了不少员工，甚至连副总刘大维也投奔这家公司了。

不过中国大陆的公司不惜两倍甚至三倍的薪水挖人，也引发了美光、华亚科等公司的反弹，员工带着机密信息跳槽的话很容易引发各种争议，Digitimes的报道中也提到了美光公司在这方面的应对措施，我们之前也报道过紫光旗下的长江存储公司在这方面的回应。

有意思的是，目前主导紫光存储芯片项目的是高启全，他之前是华亚科创始人、总经理，大陆这边如何看待员工跳槽呢？有关详情可以找小超哥（id：95101417）微信咨询了解。

由于目前NAND市场炙手可热，东芝出售NAND业务也赶上了好时候，吸引了多家公司/财团参与竞标，东芝预期卖价至少是2万亿日元。早前流传的参与竞标的厂商/财团多大六七家，甚至都拉上了苹果等公司，不过两轮竞标下来，还在参与的主要是上述几家公司/财团，这次比较有希望的就是博通/银湖、KKR、SK Hynix/贝恩等公司。

博通与银湖资本是竞标中出价最高的，此前的消息说是出价2万亿日元，彭博社现在的消息是出价2.2万亿日元，约合200亿美元，也是目前报道中出价最高的。

美国KKR是全球最知名、最成功的杠杆收购财团之一，他们这次联手日本INCJ产业革新机构及日本开发银行出价1.8万亿日元（约合162亿美元）。

SK Hynix公司是跟贝恩资本合作的，关于他们的出价金额，不同来源有不同的说法，彭博社的新闻中说是出价1.5万亿日元，约合135亿美元，不过韩国媒体的报道中称出价1.8万亿日元。从之前SK Hynix的表态来看，他们对竞购东芝NAND业务也是志在必得，现在没到最终阶段，所以出价都不是最终的，未来有可能出更高价。

此外，SK Hynix自己也是NAND大厂，为了避免反垄断带来的潜在麻烦，这次竞标中贝恩资本为主，他们将占股51%以上，其余的则是东芝经营团队和东芝公司所有。

第二轮竞标胜出的是这三家，不过其他厂商也不是没机会。郭台铭的鸿海集团对东芝NAND业务也是垂涎三尺，此前鸿海被还被传最高出价3万亿日元参与竞标，只不过日本政府对东芝技术外流的担心成了鸿海中标的麻烦，但报道称鸿海还将参与最后一轮竞标。

至于西数公司，他们一方面是东芝公司的合作伙伴，另一方面却千方百计地限制东芝出售NAND业务，甚至不惜发起法律仲裁，背后的原因也是西数想收购东芝NAND业务，但是出价又没优势，毕竟西数公司出资190亿美元（因股价波动最终花了160亿）收购闪迪公司才过了一年而已，当初收购闪迪已经是负债累累了，现在没钱也很正常。

在当前的状况下，西数被传已经在第二轮竞标中出局。

东芝的第三轮竞标将在6月份结束，搞这么复杂、冗长的竞标过程也不外乎是卖个高价，不过现在能买、能卖的厂商/财团都已经差不多了，最终胜选的很大概率还是上面三家财团。大家认为谁能拿下东芝NAND业务呢，欢迎加小超哥（id:950147）微信发表你的预测。

每年的Q4季度是电子产业的大旺季，接下来的Q1季度则是全年的淡季，大多数公司的Q1财报中营收、利润都是环比下滑的，如果出现环比增长，那真的能说明这家公司或者这个市场有了新变化。对内存来说，这个变化就是持续不断的涨价，所以整个市场的销售额在不断增长，Q1淡季的表现也超过了去年Q4旺季的。

根据Dramexchange公布的统计数据，今年Q1季度全球内存市场营收达到了141.26亿美元，去年Q4季度为124.54亿美元，环比增长了13.4%。推动内存营收增长的原因则是涨价，去年Q4到今年Q1季度来，PC内存合约价至少涨了30%，移动内存的价格也上涨了大约10%。

集邦科技公布的2017年Q1季度内存市场营收及排名

具体到厂商来看，三星依然是全球第一大内存芯片厂商，Q1季度营收63.23亿美元，环比增长6.8%，市场份额44.8%，不过与去年Q4季度的47.5%份额相比有所下滑。

SK Hynix今年Q1季度营收40.57亿美元，环比增长了21.5%，市场份额也从之前的26.7%增加到28.7%。SK Hynix在Q1季度的表现出色，之前在全球半导体TOP10排名中SK Hynix也跃升到了今年的第三名，仅此Intel、三星。

美光则以29.6亿美元的营收排名第三，环比增长22.3%，市场份额从19.4%增加到21%。

台湾的南亚科技以3.94亿美元排名第四，环比增长3.6%，市场份额2.8%。温邦科技（Winbond）营收1.5亿美元，不过环比下降5.5%，份额1.1%。第六名则是力晶（powerchip），营收1.10亿美元，环比增长0.8%。

从Dramexchange的表态来看，今年下半年内存芯片的涨价趋势有可能平息，目前上游厂商已经加大了产能输出，三星、美光及SK Hynix都扩大了工厂投资。另一方面，市场需求也有了变化，智能手机市场Q2季度将遇冷，移动内存会短时降温，但是服务器市场需求又要起来了，Dramexchange认为PC及服务器内存的价格还会继续上涨10%。

内存涨价的趋势看起来在下半年会迎来变化，不过这个拐点并不是大家预期的从涨价变成降价，部分市场遇冷也只会让涨价放缓，整个市场的大趋势依然是没法扭转。此前的分析认为在2018年之前市场都会继续涨价，想降价要等到2018年之后再说。

内存涨价越凶猛，大家选购内存时越会谨慎，现在是直接入手8GB单条还是4GB单条先凑合着？有装机、升级要求的玩家可以找小超哥（ID:9501417）微信咨询。

IC Insights日前公布了2017年Q1季度全球TOP10芯片厂商，排名以销售额计算。Intel公司历来都是芯片厂商排名中的NO.1，这次也不例外，Q1季度他们销售额高达142亿美元。排名第二的是三星电子，芯片销售收入136亿美元，与Intel差距只有8亿美元，考虑到NAND、DRAM市场的的涨价趋势，三星超越Intel成为全球最大的半导体芯片厂商不让人意外。

Intel、三星的销售额遥遥领先于其他厂商，第三名的SK Hynix销售额为55亿美元，不过对SK Hynix来说这已经是很大进步了，去年他们才排第五。

第四位的是美光公司，Q1季度销售额49亿美元，排名也提升了2位。

第五到第十名分别是博通、高通、TI、东芝、NXP和英飞凌，其中英飞凌首次进入TOP10榜单。

这10家公司的营收额占据了全球Q1总营收996亿美元的56%，下个季度营收额突破1000亿是没跑了。

Q1季度的榜单中，表现优异的就是三星、SK Hynix及美光这些存储芯片供应商了，SK Hynix、美光在2016年的TOP10半导体厂商中排名不过6、7位，现在都有明显提升。IC Insights这次也特别强调SK Hynix的表现，认为存储芯片的强劲表现使得SK Hynix成为进步最多的公司。

全球TOP10的半导体公司中并没有中国公司的身影，实际上TOP20中都没有中国公司，2016年入围TOP20的门槛都要44.5美元年度营收，国内营收最高的海思去年也只有37.6亿美元，今年可能有戏入围TOP20。

从这个榜单也能看到中国发展半导体产业的必要性，不论处理器、还是存储芯片，亦或者是通讯芯片，中国公司都没有一家能跟上述公司相提并论的。不过中国发展半导体产业已经引起美国的警惕了，中美两国在这方面势必会有多次交锋，只不过中国发展半导体产业的决心是不会退缩的。对于这个问题，大家有什么要对小超哥（ID：9501417）要说的吗，可以加他微信聊聊你的看法。

在截至今年3月31日的Q1季度里，SK Hynix公司营收6.29万亿韩元（约合384亿人民币），相比2016年Q4季度增长17%，同比2016年Q1季度的3.6万亿增长72%。营收大幅增长使得SK Hynix公司的盈利水平也水涨船高，运营利润2.468万亿韩元，环比增长61%，同比大涨339%，而毛利率从去年同期的15%直接增长到39%。

SK Hynix公司今年Q1季度财报数据

盈利方面，SK Hynix当季净利润为1.899万亿韩元，环比增长17%，同比则暴涨了324%——出现这么高的盈利增长有很大一个原因是去年Q1季度SK Hynix营收不佳有关，去年这时候SK Hynix还在为内存、闪存降价而叫苦不迭，并大幅减少了投资，结果去年下半年风向完全变了，内存、闪存开始大幅涨价。

SK Hynix当季取得如此亮眼的成绩说到底还是受益于存储芯片涨价，根据官方所说，他们的DRAM内存芯片出货量只增长了5%，但是平均售价增长了24%，而NAND闪存出货量甚至下降了3%，但是平均价格也上涨了15%，这种情况下营收、利润不涨才是见鬼了。

目前大好形势下，SK Hynix也表态加快产能提升、新工艺转换，今年他们会继续扩大2Znm工艺DRAM芯片产能，同时下半年量产1Xnm DRAM芯片。闪存方面，今年也会开始供应48层及72层堆栈的3D NAND芯片。

与美光相似，SK Hynix的营收其实也是DRAM内存为主，NAND闪存比例较小，份额大幅落后于三星和东芝，这也是为什么SK Hynix也积极加入东芝NAND闪存业务竞购的原因。

说到内存、闪存涨价，大家心里都在叫苦吧，前段时间去买U盘，16GB的都要60多了，去年这时候32GB的也不过如此价格，SSD和内存涨价同样凶猛。大家最近买过什么存储产品吗，价格都涨了多少，可以加小超哥（ID：9501417）微信聊聊。

相比三星、SK Hynix公司，美光进入GDDR显存市场要比他们晚的多，主要还是得益于收购了日本奇梦达公司，不过美光在这个领域进展很快，是最快推出8GHz GDDR5显存的厂商，而在GDDR5X显存上，美光则是绝对的主力，目前NVIDIA的GTX 1080及GTX 1080 Ti使用的显存都是美光提供的。

美光官网上已经出现了GDDR6现存的规格及速率

Overclockers.ru网站称美光官网上已经出现了新一代显存的规格介绍，如上图所示——GDDR5没啥更新，就不说了，而GDDR5X中除了现有的10、11及12Gbps三种之外，还有14Gbps频率的，时钟频率为1.75GHz，不过12Gbps及14Gbps的GDDR5X目前都没有显卡应用。

在GDDR6显存方面，美光有四种速率的——10、12、13及14Gbps的，时钟频率分别是1.25、1.5、1.625及1.75GHz。这个速率跟GDDR6显存目标速率16Gbps相比还有点差距，不过16Gbps本来也是GDDR6规范中的高端产品，10Gbps起步还是很正常的，也预示着GDDR6显存取代GDDR5显存也是一步步来的。

与SK Hynix的大饼相比，美光的GDDR6显存虽然速率较低，但是有可能在进度上领先。年初美光公布存储芯片路线图时就提到过最快今年底就会有GDDR6显存问世，这个时间点要比SK Hynix更早一些。当然，GDDR6显存量产时间还是要等到2018年，而真正得到显卡支持、上市的时间可能会更晚一些，需要NVIDIA的Volta、AMD的Navi等新一代架构。

有意思的是，AMD、NVIDIA这两家谁会抢先用上GDDR6显存呢？大家可以关注小超哥（ID：9501417）微信，说说你的看法。

现在的GDDR5显存已经非常成熟了，不过它也到了一个瓶颈期，在速率提升到8Gbps之后已经没多大空间了，美光在GDDR5基础上搞出了GDDR5X显存，速率可以提升到12-14Gbps，不过GDDR5X过渡意味浓厚，而且目前量产的频率也不过11Gbps，带宽比标准GDDR5有了明显提升，但还谈不上质变。

真正升级换代的还是GDDR6显存，它是在下一代DDR5内存基础上衍生而来的，去年的HotChips国际会议上，三星就已经提到过GDD6显存的一些目标——速率在14-16Gbps，电压1.35V，也就是说数据频率要比目前的GDDR5显存翻倍。

业界去年就讨论过GDDR6显存的一些规范

GDDR6显存跟DDR5显存一样都是瞄准2020年之前实用化，预计明年就会有产品问世。SK Hynix公司上周公开了旗下GDDR6显存的一些进展——他们将使用20nm工艺生产8Gb核心容量的GDDR6显存，速率可达16Gbps，在384bit位宽下其带宽可达768GB/s。

注意SK Hynix举的例子，他们提到的是384bit位宽，目前这个位宽只有NVIDIA的旗舰卡在用，而AMD主流显卡位宽是256bit，高端显卡因为使用HBM显存，等效位宽是1024bit或者512bit，今年的Vega显卡虽然用了HBM 2显存，速率2Gbps，但是位宽比上一代减少一半到512bit，所以512GB/s的总带宽依然没有提升，比NVIDIA的Tesla P100的720GB/s也要低。

早前有消息称NVIDIA今年Q3季度就会推出下一代Volta显卡，进度提前了，所以SK Hynix说的这个384bit位宽被YY到了与Volta显卡有关，不过据我所知NVIDIA今年确实有可能推出Volta显卡，但Volta首个产品可能并不是消费级显卡，而是跟Tesla P100一样用于HPC超算，他们跟IBM合作的最强超算Summit今年秋季问世，它的节点就使用了6块Volta显卡。

不论怎样，如果业界真的能在2018年量产GDDR6显存，他们超高的频率下GDDR6也能带来超高的带宽，至少384bit位宽下不输HBM 2显存——后者要是搭配1024bit位宽，带宽确实能达到1024GB/s，但是因为HBM成本昂贵，AMD、NVIDIA在大量应用HBM 2显存上都很为难，要么用于HPC加速卡，要么削减规格只用2颗，这就导致HBM 2带宽相比GDDR6没有什么优势了。

AMD今年台北电脑展上就会推出新一代Vega显卡了，使用的是2颗4GB的HBM 2显存，带宽512GB/s，超能网届时也会亲临一线报道，详情可以加小超哥（ID：9501417）微信，第一时间推送HBM 2显存的消息。