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HBM4竞争已经开启:堆叠挑战依然存在,混合键合技术是关键
吕嘉俭 发布于6天之前 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, HBM4E
近年来,人工智能(AI)、高性能计算(HPC)和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发,市场对HBM产品的需求也在迅速增长,三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者,首次现身COMPUTEX 2024,展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术,表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。
据Trendforce报道,SK海力士的MR-RUF技术是将半导体芯片附着在电路上,使用EMC(液态环氧树脂模塑料)填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。现阶段MR-RUF技术可实现更紧密的芯片堆叠,散热性能提高10%,能效提高10%,最多可实现12层垂直堆叠,提供36GB容量的产品。
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SK海力士计划扩大存储市场布局,与HLDS共创Super Multi品牌
吕嘉俭 发布于7天之前 / 关键字: SK海力士, SK hynix
SK海力士是全球主要的半导体企业之一,也是存储器市场除了三星以外最大的制造商。与三星不同,SK海力士更多地关注存储芯片的生产,自家旗下的产品也主要以商用领域为主导,消费领域相对来说资源投入较少。不过近年来,SK海力士也开始在消费端发力,比如Platinum P41系列SSD就获得了不错的市场口碑。
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SK海力士打算在1cnm DRAM上采用Inpria MOR光刻胶,三星也有同样的考虑
吕嘉俭 发布于2024-05-30 16:20 / 关键字: SK海力士, SK hynix
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SK海力士希望进一步提升HBM4E性能:将集成计算和缓存功能
吕嘉俭 发布于2024-05-29 17:28 / 关键字: SK海力士, SK hynix, HBM4E
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SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发
吕嘉俭 发布于2024-05-14 09:13 / 关键字: SK海力士, SK hynix, HBM4, HBM4E
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SK海力士针对端侧AI手机,开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”
吕嘉俭 发布于2024-05-09 12:09 / 关键字: NAND, SK海力士, SK hynix
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SK海力士公布2024Q1财报:收入创历史同期新高,开始转向全面复苏期
吕嘉俭 发布于2024-04-25 11:01 / 关键字: SK海力士, SK hynix
近日SK海力士(SK hynix)公布了截至2024年3月31日的2024财年第一季度财务报告,收入创历史同期新高,营业利润也创下了市况最佳的2018年以来同期第二高。SK海力士认为公司业绩摆脱了长时间的低迷期,开始转向了全面复苏期,凭借旗下面向人工智能(AI)的存储器顶尖竞争力,业绩将持续改善。
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SK海力士将清州M15X定为DRAM生产基地,以应对HBM需求的大幅增长
吕嘉俭 发布于2024-04-24 17:27 / 关键字: SK海力士, SK hynix
今天SK海力士宣布,为应对用于人工智能(AI)的半导体需求的大幅度增长,决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM等新一代DRAM的生产能力。在SK海力士看来,提高以HBM为主的DRAM产能是其面临的首要问题。
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SK海力士将选择台积电7nm工艺,用于生产HBM4的基础裸片
吕嘉俭 发布于2024-04-23 17:15 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 台积电, TSMC, HBM4
近日,SK海力士宣布与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。
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三星和SK海力士竞争升级:争夺下一代AI半导体市场主导权
吕嘉俭 发布于2024-04-22 15:24 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix
在进入人工智能(AI)时代后,两大存储器生产厂商三星和SK海力士的竞争不断升级。双方都在努力通过加快新产品的开发和批量生产,以抢夺市场先机,争夺下一代人工智能半导体市场的主导权。随着英特尔的加入,全球半导体战线正在扩大。
据Business Korea报道,近期三星和SK海力士都公布了下一代半导体计划,问题的关键是:谁能首先将新产品推向市场?要知道SK海力士因为在HBM3上抢得先手,去年几乎垄断了英伟达HBM3订单,在存储器市场低迷时期以最快的速度扭转了颓势。
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SK海力士和台积电签署谅解备忘录,在HBM4研发和下一代封装技术上展开合作
吕嘉俭 发布于2024-04-19 12:37 / 关键字: SK海力士, SK hynix, 台积电, TSMC, HBM4
SK海力士宣布,已经与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品,也就是HBM4,预计在2026年投产。
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受益于SSD价格持续上涨,三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
吕嘉俭 发布于2024-04-13 16:54 / 关键字: 三星, Samsung, SK海力士, SK hynix, NAND
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SK海力士准备1cnm DRAM:第六代10nm级别工艺,计划2024Q3量产
吕嘉俭 发布于2024-04-09 18:08 / 关键字: SK海力士, SK hynix
去年,SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm(第五代10nm级别)的技术研发,并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG(High-K Metal Gate)工艺,相比1αnm(第四代10nm级别)工艺的产品,功耗降低了20%。
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SK海力士将在美国印第安纳州建造先进封装工厂,并与当地研究机构进行R&D合作
吕嘉俭 发布于2024-04-04 10:11 / 关键字: SK海力士, SK hynix
SK海力士宣布,将在美国印第安纳州西拉斐特建造适于人工智能(AI)的存储器先进封装生产基地,同时与美国普渡大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作,计划向该项目投资38.7亿美元。在当地时间4月3日,SK海力士与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动。
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