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      不久前,东芝宣布推出24nm工艺NAND闪存芯片。而半个月后的今天,东芝再次宣布,正式推出19nm工艺的NAND闪存芯片,单芯片容量达8GB,是目前密度最高的8GB NAND闪存芯片。


    24nm工艺已成过去?

      根据东芝方面表示,该款19nm工艺的NAND闪存芯片采用了2位元(bit-per-cell)结构,容量达64Gb(即8GB),是目前体积最小、密度最高的8GB NAND闪存芯片。凭借这款芯片,智能手机、平板电脑等便携式设备即可轻松达到128GB的储存容量。

      另外,东芝还表示该款19nm工艺的NAND闪存芯片支持DDR 2.0技术,稍后还会推出3位元结构的产品,更多详情可浏览东芝官方网站

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    已有 3 条评论,共 3 人参与。
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    • 游客  2016-01-07 07:56

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      2#

    • 游客  2011-04-21 23:51

      尖端移动设备和各类芯片相辅相成

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      1#

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