不久前,东芝宣布推出24nm工艺的NAND闪存芯片。而半个月后的今天,东芝再次宣布,正式推出19nm工艺的NAND闪存芯片,单芯片容量达8GB,是目前密度最高的8GB NAND闪存芯片。
24nm工艺已成过去?
根据东芝方面表示,该款19nm工艺的NAND闪存芯片采用了2位元(bit-per-cell)结构,容量达64Gb(即8GB),是目前体积最小、密度最高的8GB NAND闪存芯片。凭借这款芯片,智能手机、平板电脑等便携式设备即可轻松达到128GB的储存容量。
另外,东芝还表示该款19nm工艺的NAND闪存芯片支持DDR 2.0技术,稍后还会推出3位元结构的产品,更多详情可浏览东芝官方网站。
游客 2016-01-07 07:56
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2016-01-06 13:22
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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游客 2011-04-21 23:51
该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
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