目前MLC NAND闪存的制程已经过渡至20nm级别，不少SSD产品都已经采用了新制程的闪存。而美光科技则走得要比别人快一些，他们已经开始试产采用16nm工艺打造的128Gb MLC NAND闪存，这种制程工艺在闪存领域乃至已经试产的半导体产品中都是最先进的，堪称是里程碑。

16nm工艺128Gb MLC NAND闪存

　　据美光提供的消息称，目前试产的128Gb MLC NAND闪存主要用在消费级SSD、闪存盘、存储卡、平板电脑、智能手机、超薄移动设备以及云存储数据中心等地方。由于制程上的优势，新的闪存芯片体积更小，因此在同样面积的晶圆上可以生产出更多的成品，目前一块16nm工艺晶圆的总容量可达6TB。

16nm工艺晶圆

　　由于单颗晶圆可以切割出更多的闪存芯片，因此同样容量的16nm工艺闪存在成本上要比20nm级别产品更低，因此新工艺对降低SSD成本会起到促进作用，未来在同样的价格下，玩家可以买到容量更大的SSD产品。

　　目前美光已经开始试产16nm工艺128Gb MLC NAND闪存，主要提供给合作伙伴进行测试，真正的量产要到今年第四季度。同时美光已经着手开发基于16nm闪存的SSD产品，预计会在2014年登场。另外考虑到英特尔和美光在NAND上的紧密合作关系，我们相信英特尔的16nm工艺SSD产品也已经在研发当中，进度上应该与美光大致相同。