随着性能和面积比方面的提升，新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企业应用方面，包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘。
新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构，该结构基于3D CTF（Charge Trap Flash）技术和垂直堆叠制程技术。得益于此，新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。
据Engadget报道，三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2至10倍，写入速度可以达到原来的2倍，单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。
游客 2013-08-07 09:34
该评论年代久远，荒废失修，暂不可见。
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游客 2013-08-06 18:53
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超能网友终极杀人王 2013-08-06 16:53 | 加入黑名单
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游客 2013-08-06 16:16
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我匿名了 2013-08-06 15:29
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游客 2013-08-06 12:48
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