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  • 拼 命 加 载 中 ...   三星新近宣布他们突破了现有NAND闪存技术的规模限制,开始量产业界第一款3D垂直NAND(V-NAND)闪存。

      随着性能和面积比方面的提升,新的3D垂直NAND闪存将大范围应用于消费电子和企业应用方面,包括嵌入式NAND存储和SSD固态硬盘

      新的3D垂直NAND闪存可以在单个芯片上实现128Gb的容量。它使用了三星的垂直cell结构,该结构基于3D CTF(Charge Trap Flash)技术和垂直堆叠制程技术。得益于此,新产品可以提供超过两倍于20纳米平面NAND闪存的容量。

      据Engadget报道,三星表示新技术令产品的可靠性为上一代的2至10倍,写入速度可以达到原来的2倍,单个芯片可以包含24层堆叠cell单元。

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    已有 6 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    • 游客 2013-08-07 09:34

      pe值5000降到1000 还谈寿命

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      6#

    • 游客 2013-08-06 18:53

      国内的芯片研发制造水平被他们越甩越远了。。。

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      5#

    • bolvar终极杀人王 2013-08-06 16:53  加入黑名单

      网友 [Guest] 的原贴:1楼
      容量翻倍了。。SSD的读写寿命又一次随着容量升级而升级了。估计明年512GB或者1TB的SSD会很快普及。。
      少年,你太乐观了,今明两年能普及256GB的就不错了

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      4#

    • 游客 2013-08-06 16:16

      容量翻倍了。。SSD的读写寿命又一次随着容量升级而升级了。估计明年512GB或者1TB的SSD会很快普及。。

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      3#

    • 游客 2013-08-06 15:29

      网友 [Guest] 的原贴:1楼
      降价是王道
      降价是王道

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      2#

    • 游客 2013-08-06 12:48

      降价是王道

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      1#

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