三星之前发布的850 Pro固态硬盘，首次使用了3D堆栈的V-NAND闪存，还是MLC规格的，但是三星欲说还休地透露了会存在TLC规格的V-NAND闪存。在刚刚开幕的PCM国际闪存会议上，三星正式宣布了3bit V-NAND闪存，也就是TLC V-NAND闪存，也是32层堆叠，这意味着840 Evo的继任者850 Evo真的不远了。

PCper网站证实了三星发布全球首款32层堆栈的TLC V-NAND闪存，其原理其实跟MLC V-NAND是一样的，主要就是每cell单元储存2bit还是3bit数据的差别，而V-NAND技术部分是差不多的。根据三星所述，TLC V-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。

V-NAND技术原理

前两年只有三星在SSD市场上力推TLC闪存，不过今年会有更多的厂商加入，东芝在PCM会议上也会展出旗下的TLC闪存硬盘，美光之前也表态年底会出TLC闪存，这已经是大势所趋。唯一的问题在于厂商会如何平衡TLC闪存的SSD的价格与可靠性。

此外，三星在PCM会议上还提出了一项名为“Storage Intelligence”（存储智能）的新技术，传统上SSD缺少与主机之间的协作能力，它对如何优化重组文件碎片无能为力，现在有了Storage Intelligence，就好比存储过程中多了一个善于指挥管理的交警，主机与SSD之间会更有协作能力，三星已经论证这个可能性，这样可以明显减少高IOPS活动下的写入延迟。

写入延迟降低了