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    自从三星推出V-NAND垂直封装的MLC闪存及对应的850 Pro硬盘之后,我们就知道TLC规格的V-NAND闪存及850 EVO硬盘为期不远了,现在三星正式宣布开始量产V-NAND技术的TLC闪存,32层堆栈,128Gb核心容量,产能比现在1xnm工艺的平面NAND高1倍。

    三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存,当时是24层堆栈,今年5月份推出了第二代V-NAND闪存,堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存,不过这个还是MLC类型的,制程工艺为40nm,所以可以兼顾性能和可靠性,10年质保。

    TLC闪存相比MLC闪存成本更低,三星显然也会极力推动TLC规格(忘了说了,三星官方不提TLC这个字眼,而是叫做3bit MLC,至于原因大家都懂)的V-NAND闪存量产,之前已经确认了,TLC V-NAND闪存也是第二代技术,32层堆栈,单颗核心容量128Gb,不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平,如果维持MLC V-NAND的40nm工艺,那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

    V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能,现在双管齐下,三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比,TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

    三星现在已经量产TLC V-NAND闪存,不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。


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    已有 5 条评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    • vikutorika博士 2014-10-09 18:48  加入黑名单

      百度都说TLC很差 所以没选择三棒

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      5#

    • 游客 2014-10-09 17:44

      艹...

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      4#

    • kyo大学生 2014-10-09 17:05  加入黑名单

      总之三棒和金士顿的存储产品不要碰就好了。

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      3#

    • 游客 2014-10-09 16:46

      三星就靠逗比养肥了。

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      2#

    • 游客 2014-10-09 16:13

      关键是价格

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      1#

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