自从三星推出V-NAND垂直封装的MLC闪存及对应的850 Pro硬盘之后，我们就知道TLC规格的V-NAND闪存及850 EVO硬盘为期不远了，现在三星正式宣布开始量产V-NAND技术的TLC闪存，32层堆栈，128Gb核心容量，产能比现在1xnm工艺的平面NAND高1倍。

三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存，当时是24层堆栈，今年5月份推出了第二代V-NAND闪存，堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存，不过这个还是MLC类型的，制程工艺为40nm，所以可以兼顾性能和可靠性，10年质保。

TLC闪存相比MLC闪存成本更低，三星显然也会极力推动TLC规格（忘了说了，三星官方不提TLC这个字眼，而是叫做3bit MLC，至于原因大家都懂）的V-NAND闪存量产，之前已经确认了，TLC V-NAND闪存也是第二代技术，32层堆栈，单颗核心容量128Gb，不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平，如果维持MLC V-NAND的40nm工艺，那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能，现在双管齐下，三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比，TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

三星现在已经量产TLC V-NAND闪存，不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。