三星在14nm FinFET工艺上领先了，以致于TSMC被三星/GF抢走了高通、AMD等大客户，错失了先机，不过这一次TSMC要杀回来了，今年不仅会试产10nm工艺，7nm工艺进展也很顺利，抢回了高通等客户。

随着制造工艺接近硅基材料极限，全球半导体制程工艺升级周期已经放缓，Intel都放弃了两年升级一次的Tick-Tock战略了，改为三年一个周期，2017年才推10nm工艺，7nm工艺至少要到2020年了。Intel放缓给了其他公司超越的机会，三星、TSMC憋足了劲要在下一代工艺上赶超老大哥，特别是TSMC，他们在14/16nm节点晚了一着，被三星抢先一步，现在就指望10nm及7nm工艺赢回客户呢。

先说10nm工艺，TSMC表示今年下半年就会试产10nm工艺，为联发科生产新一代处理器，预计今年Q4季度正式量产。这个速度比Intel要快差不多一年，后者的10nm工艺要等到2017年下半年的Cannon Lake处理器才能量产。

10nm工艺之后是7nm工艺，TSMC对7nm工艺实际上更加上心，3月中旬宣布与ARM达成合作协议共同优化7nm工艺处理器，并且提到他们的7nm工艺已经获得了高通、苹果等大客户支持，几乎独揽这两家公司的订单。

这意味着高通在14nm、10nm工艺出走三星之后，将在7nm工艺再次回归TSMC公司。至于原因，高通官方是不会说的，但之前台媒援引TSMC方面的消息称说是高通并不满意三星工艺，性能指标不如TSMC的，不过这种一家之言，仅供参考。（PS：小编要说一句，骁龙820处理器其实一样很热的）

TSMC将在本月14日举办沟通会，将由TSMC两位联席CEO暨总经理刘德音、魏哲家及首席财务官何丽梅共同主持，会议规格不低，预计届时会宣布TSMC在7nm工艺上的重大进展。

TSMC公司今年Q1季度完成了7nm工艺的SRAM芯片试产，预计2018年Q1季度完成设计定案，该公司表示7nm工艺不仅可以用于移动处理器，还可以用于高性能处理器。