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    在半导体业界,Intel、三星及TSMC三足鼎立,虽然他们在先进的制程工艺上竞争激烈,但实际上三方的直接竞争并不多,Intel的处理器基本是自产自销,三星跟TSMC在代工上有竞争,但是TSMC一家占据全球60%的代工份额,三星半导体更重要的是NAND、DRAM闪存。早前TSMC表态不会进入NAND、DRAM等标准型存储芯片市场,但不代表他们不做存储芯片,最近他们公开了研发多年的eMRAM及eRRAM存储芯片,最近今年底就开始试产,未来一两年量产。

    以TSMC全球最大最先进的半导体代工厂地位,他们要是做NAND闪存芯片的话.....这个问题不止一个人关心过,早前还有传闻称TSMC参与竞标东芝NAND业务,但是TSMC官方对此事的表态倒是很理性,联席CEO魏哲家早前就明确了他们不会做标准型存储芯片,也就是说大众化的NAND闪存、DRAM内存不是他们的重点。

    不过不做标准型存储芯片不代表他们不做存储芯片,TSMC搞的只是新型存储芯片,比如MRAM磁阻式随机存储芯片、RRAM电阻式随机存储芯片等等。TSMC据传早在2000年就跟台湾工研院合作开发此类芯片,但是新一代存储芯片喊了多年了,目前依然没能走出实验室阶段,商业化还远着呢。

    TSMC技术长孙元成最近在TSMC技术论坛大会上首次透露了他们研发的eMRAM、eRRAM等存储芯片的进展,前缀的e表示这两种芯片是针对嵌入式市场看法的,它们主要用于IoT物联网、汽车电子、高性能电脑、智能汽车等市场。

    根据台经济日报整理的数据,TSMC的eMRAM芯片将使用28nm工艺制造,预计在2018年底试产。eRRAM芯片则使用40/22nm工艺生产,今年底试产,2019年量产。

    搞MRAM芯片的代工厂实际上也不止TSMC一家,三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm FD-SOI工艺,也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries早前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场,也会推进eMRAM芯片研发生产。

    国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了,今年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片,这种芯片密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

    目前NAND、DRAM发展的如火如荼,MRAM、RRAM等新一代芯片不过是小荷才露尖尖角,大规模商业化还很远,但是发展前景被人看好,未来的存储芯片同时具备RAM和闪存技术的优点,性能更强而且数据不会丢失,大家要想了解更多信息,可以加小超哥(id:9501417)微信咨询。

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    • Adonis博士 2017-06-05 20:36  加入黑名单

      bolvar 终极杀人王

      理论表现好,不是不想量产,是技术还不够,Intel的3D XPoint闪存也是这样,纸面指标无敌,不过产品还是要一代代成熟才行。
      2017-06-05 17:58
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    • 感觉台积电吹起牛来,比Intel还要厉害。这个纸面指标,水分很大。

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      5#

    • bolvar终极杀人王 2017-06-05 17:58  加入黑名单

      游客

      比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造
      这么厉害并且还很简单为啥此前没见量产呢
      2017-06-05 17:22
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    • 理论表现好,不是不想量产,是技术还不够,Intel的3D XPoint闪存也是这样,纸面指标无敌,不过产品还是要一代代成熟才行。

      支持(3)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      4#

    • 游客 2017-06-05 17:22

      比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造
      这么厉害并且还很简单为啥此前没见量产呢

      支持(0)  |   反对(0)  |   举报  |   回复

      3#

    • Rio一代宗师 2017-06-05 15:16  加入黑名单

      这个出来,NAND FLASH就可以完蛋了

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      2#

    • 游客 2017-06-05 12:19

      天国的相变内存,当年诺记出了个嵌入式试产品然后就没然后了。

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      1#

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