最近三星电子在DRAM和存储领域疯狂的刷存在感，从MWC 2019展会发布eUFS 3.0存储芯片，到eMRAM存储器，再到高容量LPDDR4x内存。而现在三星再次更新内存技术，在NVIDIA的GTC大会上专门为数据中心、GPU等高性能计算带来了更新的HBM2E内存。这款芯片是业界首款符合HBM2E规范的产品。

在性能上， 这款产品将传输速率从2.4Gbps提升到3.2Gbps，提升幅度达到33%。同时每芯片的容量提升了两倍，达到16Gb。而HBM产品一般通过TSVs（硅穿孔技术）进行多层堆叠，所以通过这个技术进行8-Hi堆叠，可以让HBM2E内存容量达到16GB。同时采用1024位宽的总线可以让HBM2e内存的带宽高达410GB/s。相比前代产品有了大幅度提升。

三星将这款产品定位于下一代数据中心、超级计算机以及人工智能/机器学习应用。事实上，三星的上一代HBM2芯片在规格上就已经超过了HBM2规范，最高带宽达到了307.2GB/s，同时容量最大为8GB，而工作电压仅为1.2v。而实际上的HBM2规范为最高256GB/s的带宽和4GB的最大容量，同时工作电压为1.35v。而这次三星再次提高HBM内存的性能，但遗憾的是，这次三星并没有公布这款芯片的工作电压。

HBM内存在功耗和性能上相比于常见的GDDR5或GDDR6芯片都更有优势，同时采用TSV技术，并与GPU等封装在一起，所以占用更小的面积。但是由于成本原因，这些HBM芯片通常只有高端产品才会配有，如AMD的Radeon VII、NVIDIA的GV100或Intel的FPGA。但作为一款全新的产品，目前并没有产品宣布使用这款芯片。虽然三星官方目前已经公布了这款产品，但是并没有宣布量产。相信这款产品离量产不会太久。