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    在近日举行的2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英特尔介绍了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术,概述了其未来技术发展方向。IBM则与三星携手,推出了下一代半导体芯片技术:垂直传输场效应晶体管(VTFET)。这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠,与按比例缩放的FinFET相比,性能可实现翻倍,或将耗能降低85%。

    一般情况下,晶体管是以水平方式构建,电流从一侧横向导向另一侧。通过垂直传输场效应晶体管,实现了垂直构建并将晶体管分层,允许电流在晶体管中上下流动,摆脱了过去横向布局和电流导向的限制。技术人员通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制,以解决缩放障碍,并在性能和功耗方面加以优化。利用VTFET技术,不但能缩小芯片的面积,还能提高能效或提供更强的性能。

    IBM和三星借助VTFET技术,向人们展示了CMOS半导体设计中,探索纳米以外的缩放性能是可能的。VTFET技术解决了许多性能上的障碍和限制,扩展了摩尔定律,让芯片设计人员可以在同样的空间里放置更多的晶体管,实现更大的飞跃。在今年宣布制造出全球首款2nm制程节点的芯片后,IBM再次展示了在半导体方面的实力。

    IBM与三星在过去的这段时间里展开了密切的合作,自2014年将晶圆厂卖给GlobalFoundries后,IBM已没有了属于自己的晶圆厂,所以芯片量产方面交予了三星负责。IBM计划今年在旗下Power Systems服务器中使用其首款商用7nm工艺处理器IBM Power 10,支持PCIe Gen5和DDR5内存,将由三星负责制造。此外,IBM在今年HotChips 33上公布的Z系列处理器“Telum”,也将采用三星7nm工艺制造。

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    已有 2 条评论,共 9 人参与。
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    • 我匿名了  2021-12-16 09:56

      希望明年(22年)就能量产。

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      2#

    • TR-xfc研究生 2021-12-16 01:08    |  加入黑名单

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      1#

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