在近日举行的2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔介绍了在封装、晶体管和量子物理学方面的关键技术，概述了其未来技术发展方向。IBM则与三星携手，推出了下一代半导体芯片技术：垂直传输场效应晶体管（VTFET）。这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠，与按比例缩放的FinFET相比，性能可实现翻倍，或将耗能降低85%。
一般情况下，晶体管是以水平方式构建，电流从一侧横向导向另一侧。通过垂直传输场效应晶体管，实现了垂直构建并将晶体管分层，允许电流在晶体管中上下流动，摆脱了过去横向布局和电流导向的限制。技术人员通过放宽晶体管门长度、间隔厚度和触点尺寸的物理限制，以解决缩放障碍，并在性能和功耗方面加以优化。利用VTFET技术，不但能缩小芯片的面积，还能提高能效或提供更强的性能。
IBM和三星借助VTFET技术，向人们展示了CMOS半导体设计中，探索纳米以外的缩放性能是可能的。VTFET技术解决了许多性能上的障碍和限制，扩展了摩尔定律，让芯片设计人员可以在同样的空间里放置更多的晶体管，实现更大的飞跃。在今年宣布制造出全球首款2nm制程节点的芯片后，IBM再次展示了在半导体方面的实力。
IBM与三星在过去的这段时间里展开了密切的合作，自2014年将晶圆厂卖给GlobalFoundries后，IBM已没有了属于自己的晶圆厂，所以芯片量产方面交予了三星负责。IBM计划今年在旗下Power Systems服务器中使用其首款商用7nm工艺处理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5内存，将由三星负责制造。此外，IBM在今年HotChips 33上公布的Z系列处理器“Telum”，也将采用三星7nm工艺制造。
我匿名了 2021-12-16 09:56
希望明年（22年）就能量产。
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TR-xfc研究生 2021-12-16 01:08 | 加入黑名单
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