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    目前三星和SK海力士正围绕HBM3领导地位展开了激烈的争夺,为包括英伟达及AMD在内的客户供应HBM3。双方见证了来自人工智能(AI)行业的大量订单涌入,市场需求巨大或许超过了原先的预期。

    据ZDNet Korea报道,由于英伟达H100等计算卡的需求大增,对存储器厂商的产能安排带来了很大的影响。今年本身存储半导体行情疲软,而HBM3这类高附加值产品需求激增能部分填补存储器厂商其他产品的需求减缓,这也让三星和SK海力士转移了开发重点,加大了对HBM3的投入。SK海力士已表示,2024年的HBM3订单已经排满,而同样的情况现在也出现在三星身上。

    HBM(High Bandwidth Memory)属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比提供了更快的数据传输速度,更高的带宽和更大的容量。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发,其中 HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本。SK海力士在今年8月宣布成功开发出HBM3E,而三星也在上个月宣布推出名为“Shinebolt”的HBM3E。

    SK海力士是现阶段HBM类产品的市场领导者,占据了最大的市场份额,最近获得了英伟达和AMD的订单,并开始向客户提供样品进行性能验证。三星则打算利用其整体半导体解决方案提供商的优势,提供结合下一代HBM、先进封装技术和代工产品的定制服务,从而与SK海力士抢夺市场。

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