传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍，但仍然不如台积电

三星在2022年6月末宣布，其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。

近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近提升了两倍以上，但是仍然不能与竞争对手台积电（TSMC）的3nm工艺相比，良品率依然处于落后。

去年就曾传出三星3nm工艺良品率提升的消息，指出可以提升至60%的水平，与70%的及格线始终有一段距离。事实证明，这种说法可能还是过于乐观，毕竟包括英伟达在内的众多芯片设计公司都前去了解，表达了意向，只是最后都没有选择下单，至少说明良品率还是很不稳定的。三星迟迟不能提升3nm工艺的良品率，也使得高通取消了第四代骁龙8的双代工厂计划，至少未来一年仍完全依赖台积电，新的代工策略被迫推迟至2025年。

此前三星公布了到2027年的制程技术路线图，列出了2022年6月量产SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半导体工艺发展计划，其中包括了SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原计划，今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，已经在试产。

传闻三星对第二代3nm工艺技术期望很高，功耗、性能和面积（PPA）指标甚至能与台积电N3P工艺相媲美，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。