• IM Flash Technologies试产25nm TLC 闪存芯片

    Strike 发布于2010-08-18 11:12 / 关键字： 25nm TLC NAND, IM Flash Technologies

    　　一年前Intel和镁光合资公司IM Flash Technologies宣布34nm TLC NAND闪存芯片研发成功，现在随着新工艺研制成功，该公司宣布开始试产25nm工艺TLC NAND闪存芯片。　　TLC NAND闪存又叫3bps NAND闪存，每个存储单元能存储3bit的数据。新的TLC NAND芯片容量为64Gb，即一颗芯片存储空间就达8GB，这是目前最小存储密度最大的NAND芯片，相信采用该芯片的话U盘、SD卡和MP4、手机这类消费电子产品的存储空间会大大提升。

    　　其核心面积为131mm2，相比25nm MLC NAND闪存，相同容量的TLC NAND闪存尺寸缩小20%，有更好的成本优势，Intel相信该芯片会有很强的市场竞争力。

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