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关于 3D NAND 的消息

铠侠目标1000层3D NAND闪存:计划2031年量产“千层面”

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的,通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里,不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展,其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。

美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案:基于232层3D NAND闪存,最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,称可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载,并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案,也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

传小米采购长存232层3D NAND闪存,用于最新款智能手机

长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上,正式发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片,名为X3-9070。相比上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度,也是首个进入零售市场的200+层3D NAND闪存解决方案。目前X3-9070主要用于国内销售的存储产品上,不过很快可能会出现在全球销售的终端设备里。

美光推出7500系列SSD:面向数据中心,采用232层3D TLC NAND闪存

美光宣布,推出7500系列SSD,相比之前的7450系列SSD,性能有所提升。新产品沿用了PCIe 4.0 x4接口,主要面向数据中心存储应用,包括了云服务器和企业服务器,是全球目前唯一一款搭载200+层NAND闪存的主流数据中心SSD。

铠侠展示CXL内存扩展模块:分别基于BiCS 3D NAND和第二代XL-Flash

近日在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会(Flash Memory Summit 2023)上,作为世界上最主要的NAND闪存制造商之一的铠侠(Kioxia),介绍了其基于Compute Express Link(CXL)和第二代XL-Flash或BiCS 3D NAND的解决方案。

美光推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案:采用232层3D TLC NAND闪存

美光宣布,推出其首个UFS 4.0移动存储解决方案,目前正在向部分智能手机制造商和产品供应商发送样品。美光表示,最新的移动闪存在几个关键的NAND基准测试中领先于竞争对手,可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载。

东京电子开发出全新蚀刻技术,用于堆叠超过400层的3D NAND闪存芯片

东京电子(TEL)宣布,其等离子体蚀刻系统的开发和制造基地已经开发出一种创新的通孔蚀刻技术,用于堆叠超过400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺首次将电介质蚀刻应用带入低温范围,从而打造了一个具有极高蚀刻率的系统。

铠侠和西部数据将展示300+层3D NAND闪存,进一步提高性能和密度

2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行,铠侠(Kioxia)和西部数据将展示最新的创新成果,以支持未来更高容量、更高性能的3D NAND存储设备。

铠侠演示七级单元3D NAND闪存,将低温环境与新的硅工艺技术相结合

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的,预计到2025年将达到175ZB。大量的数据存储在大容量的服务器和数据中心里,使用的是HDD和SSD,不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展归功于三维方向上将存储单元堆叠更多的层数,同时一个存储单元里存储更多的比特数。

铠侠和西部数据宣布推出218层3D NAND闪存,引入开创性的CBA技术

铠侠(Kioxia)和西部数据宣布,推出218层3D NAND闪存。其采用了先进的缩放和晶圆键合技术,以极具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性,非常适合满足广泛细分市场中数据呈指数级增长的存储需求。

SK海力士公布第8代3D NAND闪存:堆叠层数超过300层,性能提高18%

近日,SK海力士在ISSCC 2023会议上公布了在3D NAND闪存开发方面的最新突破。SK海力士表示,一支由35名工程师组成的团队为这次演示的材料做出了贡献,带来了一款堆叠层数超过300层的新型3D NAND闪存原型。

长江存储已量产232层3D TLC NAND闪存,领先于三星、美光、SK海力士等厂商

长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上,正式发布了基于晶栈3.0(Xtacking 3.0)架构的第四代3D TLC NAND闪存芯片,名为X3-9070。相比上一代产品,X3-9070拥有更高的存储密度、更快的I/O速度。

铠侠和西部数据庆祝Fab 7投产,162层3D NAND闪存计划明年初出货

铠侠(Kioxia)大概在半年前,宣布已经与西部数据达成协议,共同投资四日市市的Fab 7工厂。铠侠和西部数据对这次的合作都非常满意,认为这是双方20年战略合作伙伴关系的又一个重要里程碑。

铠侠削减3D NAND闪存产量,下调幅度约为30%

此前TrendForce表示,2022年第三季度供应链库存积压有蔓延的趋势,同时分销商去库存缓慢,客户也普遍持观望态度,使得供需平衡快速恶化。预计2023年第三季度NAND闪存价格下跌幅度将扩大至30%到35%,到第四季度可能会再下降20%。

部分厂商将PCIe 5.0 SSD速度限制在10GBps,或与3D NAND芯片采购策略有关

在过去一段时间里,已经有数家SSD厂商发布了PCIe 5.0 SSD,包括了技嘉、美商海盗船和Goodram,都采用了群联电子(Phison)E26系列主控芯片,不过只有技嘉的产品数据传输速率达到了12.4 GBps,其他两家厂商都限制在了10 GBps。目前没有任何3D NAND芯片的速度足能完全喂饱主控芯片,厂商限制PCIe 5.0 SSD的速度是有原因的。

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