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关于 NAND 的消息

DRAM需求按位元增长仅8.3%创新低,NAND闪存或以降价带动容量增长

此前TrendForce的调查报告显示,由于受到多方不利因素影响,导致电子需求疲软,加上DRAM现有的库存水平,预计2022年第三季度整体DRAM价格将下跌3%到8%,某些用于PC和智能手机的DRAM产品下跌幅度可能超过8%。NAND闪存也有类似的情况,TrendForce预计NAND闪存价格下跌幅度扩大至8%到13%,趋势会延续到2022年第四季度。

SK海力士宣布研发出业界最高238层NAND闪存,并计划在2023H1量产

SK海力士宣布,已成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。目前SK海力士已经向合作伙伴发送238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。在近日举行的2022全球闪存峰会上,该款238层NAND闪存也进行了首次亮相。

美光量产全球首款232层3D TLC NAND闪存:密度最高,最先用于英睿达SSD

美光宣布,已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存,采用领先行业的创新技术,为存储解决方案带来了前所未有的性能。与过往美光的NAND闪存芯粒相比,232层的NAND闪存有着业界最高的密度,并提供了更大的容量和更高的能效,从而为客户端到云端等数据密集型用例提供一流的支持。

2022Q3的NAND闪存价格跌幅扩大,供应链将面临积压问题

由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,2022年第二季度的NAND闪存价格由跌转涨。然而消费电子产品在2022年第二季度的销量低于预期,加上NAND闪存工艺进步和产能的提升,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。

苹果M2版MacBook Pro入门机型SSD性能降级,单个NAND闪存芯片所致

在这个月的WWDC 2022开发者大会上,苹果发布了全新一代的M2芯片。搭载M2的13英寸MacBook Pro及新款MacBook Air,入门机型的配置为8GB内存搭配256GB存储空间。

2022Q3的NAND闪存市场供过于求,预计价格最多下跌5%

在2022年第二季度中,由于受到西部数据和铠侠(Kioxia)的生产材料污染事件影响,NAND闪存价格由跌转涨。不过随着生产的恢复,西部数据和铠侠的产量也在逐月增长,然而智能手机和笔记本电脑等消费电子产品的需求不再,使得NAND闪存市场开始出现供过于求的状况。根据TrendForce发布的最新调查报告,预计2022年第三季度NAND闪存价格将下跌,幅度在5%以内。

铠侠正在研发七级单元的3D NAND闪存,主控芯片开发亦成为难点

NAND闪存制造商一直尝试增加每个单元存储的位数来提高存储密度,从成本角度出发,这是一种非常具有价值的方法。Kioxia(铠侠)在这方面一直非常积极,早在2019年就开始讨论五级单元的PLC 3D NAND闪存,去年还曾展示六级单元的HLC 3D NAND闪存。

美光推出232层3D TLC NAND闪存:初始容量1Tb,2022年末量产

美光宣布,将推出业界首款232层的3D TLC NAND闪存。目前美光已准备在在2022年年末开始生产新款232层3D TLC NAND闪存芯片,并计划将其用在包括固态硬盘在内的各种产品上。

三星西安NAND闪存工厂全面投产,占全球总产量超10%

三星位于西安的NAND闪存工厂是其唯一的海外存储芯片生产厂,近期已完成了第二工厂的扩建工程,并在这个月初投产,开工率已达到100%。这将大幅度提高三星NAND闪存产量,有望扩大其市场份额。

受铠侠和西数材料污染事件影响,今年第二季度NAND闪存价格将上涨5%至10%

西部数据和铠侠(Kioxia)位于日本四日市和北上市的工厂受到材料污染事件影响,自今年1月下旬后就停产了,直到2月底才复正常运营。西部数据和铠侠合计生产的NAND闪存比行业内任何厂商都要多,占据超过三分之一的市场份额,据称至少6.5 exabytes的闪存被污染,极大地影响了3D NAND闪存的供应。

铠侠将扩建位于北上市的工厂,以提高3D NAND闪存产量

铠侠(Kioxia)宣布,将开始对位于日本岩手县北上市的工厂进行扩建,兴建新的Fab 2工厂,以提高3D NAND闪存的产量。铠侠表示,计划2022年4月开始动工,预计2023年竣工,未来会专注于BiCS Flash的生产。

铠侠和西数材料污染后续影响,群联预计5月中旬开始NAND闪存开始短缺

铠侠和西数位于日本四日市和北上市的NAND工厂因为材料污染事件影响,自1月下旬以来就停产了,直到2月底才回复正常运营,也就是说停产了将近一个月,这不可能对闪存的供应没有影响,许多分析师都认为2022年第二季度行业就能感受到供应的问题。

美光宣布送样176层NAND闪存的数据中心SSD,将于4月发售

大约半年前美光宣布推出两款采用业界首款176层3D TLC NAND闪存芯片的新款SSD,分别是2450系列和3400系列,均支持PCI-E 4.0,分别面向主流PC市场和高性能应用的消费级市场,其中美光3400现在经常在高性能笔记本电脑上看到了。随着对于176层NAND闪存技术的愈加熟练,他们已经打算将其推广到数据中心业务了。

受西数和铠侠材料污染事件影响,第二季度NAND闪存价格将飙升

此前市场调查机构TrendForce表示,进入2021年第四季度以后,由于产能紧缩问题仍未解决,持续的配件短缺影响已扩大到NAND闪存市场。同时市场需求开始减弱,整体库存水平差距在过去几个月里不断拉大,最终使得相关NAND闪存企业减少订单以降低库存。因此NAND闪存价格将开始下跌,结束连续几个月的强劲收入增长。

铠侠庆祝NAND闪存发明35周年:一项对世界产生深远影响的技术

NAND闪存在当今社会中已随处可见,无论是在PC还是智能手机,或者其他日常生活中的各种电子产品。改变世界的NAND闪存来自于日本,东芝作为发明者于1987年推出了全球首个NAND闪存芯片,至今已有35年了。铠侠(Kioxia)是东芝原业务的继承者,目前仍是世界上最具规模的NAND闪存芯片生产商之一。

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