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三星宣布投产第九代V-NAND闪存:存储密度较上代提升了50%

三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。

美光宣布量产232层QLC NAND闪存,将供应给客户端和数据中心产品

美光宣布,已开始量产232层QLC NAND闪存,并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外,还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品,比如Micron 2500 NVMe SSD。

受益于SSD价格持续上涨,三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利

随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效,存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称,2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势,其中NAND闪存会表现得更为强势,合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函,通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。

三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存,明年会有第10代430层产品

作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示,2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

西部数据确认HDD和NAND闪存短缺,警告合作伙伴价格将上涨

据TechNews报道,西部数据已发出正式的客户信函,通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。西部数据还确认旗下NAND闪存和HDD产品都出现了供应短缺,本季度将继续调整价格,其中一些变动将立即生效。西部数据表示,人工智能(AI)市场的蓬勃发展是需求激增的原因,超出了原来的预期,导致供应紧张。

铠侠目标1000层3D NAND闪存:计划2031年量产“千层面”

目前全球每天产生的数据量是非常庞大的,通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里,不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD,使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展,其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。

2024Q2存储产品价格涨势持续,DRAM和NAND闪存涨幅可达8/18%

TrendForce发布了新的调查报告,分别针对2024年第二季度DRAMNAND闪存的价格趋势。两者都会延续过去多个月的增长趋势,不过DRAM合约价季涨幅将缩小至3~8%,而NAND闪存则会保持强势,合约价将上涨约13~18%。

NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变

TrendForce表示,随着存储器供应商连续减产取得成效,存储产品的价格正在反弹,半导体存储器市场终于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看,NAND闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。

群联电子警告SSD价格飙升或导致需求减少,将阻碍NAND闪存行业发展

经过去年的多次减产及调价,过去一段时间里SSD的价格不知不觉中已经涨了不少,显然NAND闪存芯片制造商已经从中获益,至少财务上比起去年同期要好很多,而且接下来大概率会延续上涨趋势。

NAND闪存产业2023Q4营收季增24.5%,2024Q1将延续涨势

TrendForce发布了2023年第四季度NAND闪存市场的报告,显示产业收入环比增长24.5%,营收约为114.9亿美元。这主要得益于终端需求因年终促销回暖,加上零部件市场因追价而扩大订单动能,同时位元出货也比去年同期旺盛,另外一个好消息是,企业方面对2024年需求表现的看法优于2023年,且启动备货策略带动。

美光推出紧凑封装型UFS 4.0移动解决方案:基于232层3D NAND闪存,最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,称可以为智能手机提供业界最强性能,包括快速启动、应用程序启动和视频下载,并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案,也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

铠侠提出为SK海力士生产NAND闪存,希望能为与西数的业务合并扫除障碍

自2021年开始,西部数据和铠侠(Kioxia)就NAND闪存生产业务合并断断续续地进行谈判,以打造全球最大的NAND闪存制造商。不过在双方即将敲定最终计划之际,遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司,分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务,预计在2024年下半年开始执行。

江波龙官宣首颗自研2D MLC NAND闪存:构建完整的存储芯片垂直整合能力

江波龙宣布,继自研SLC NAND Flash系列产品实现规模化量产后,首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日问世。其采用了BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,有望应用于eMMC、SSD等产品上,为江波龙存储产品组合带来更多可能性。

三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示

ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

2024年DRAM和NAND闪存季度合约价预测:全年均维持上涨趋势

据TrendForce最新的市场研究显示,DRAM产品合约价自2021年第四季度开始下跌,已经连续下跌八个季度,不过从2023年第四季度开始将会起涨。 NAND闪存方面,合约价自2022年第三季度开始下跌,已经连续下跌四个季度,至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下,DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

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