SK Hynix也是全球四大NAND豪门之一，不过自家的SSD产品在市场上比较低调，这次的PC305系列是M.2 2280规格的，长度80mm，最高厚度3.5mm，宽为22nm。该系列硬盘采用了PCI-E 3.0 x4接口，支持NVMe，容量有128GB、256GB、512GB及1TB四种。

SK Hynix的PC305硬盘性能指标如下：四种容量读取速度都是2200MB/s，不过写入速度方面128GB为470MB/s，256GB为900MB/s，512GB版为800MB/s，1TB写入速度最高为1400MB/s，单论速度的话其实跟三星950 Pro还有较大距离。

随机性能方面，除了128GB版随机读写性能是18万、12万IOPS之外，其他三款都是20万、18万IOPS。

最为重要的闪存和主控方面，SK Hynix并没有公布，不过NAND猜测是自家16nm MLC或者TLC闪存，主控也是自家的，因为SK Hynix多年前就把LAMD主控给收购了。

SK Hynix的SSD虽然性能指标不算多强（但也不算差），而且以他们之前的产品来看，PC305系列的性价比应该还可以，三星950 Pro的价格公认有点高，毕竟人家的地位和性能在那里摆着了。

根据集邦科技旗下DRAMeXchange公布的2016年Q1季度存储芯片统计报告，三星自己拿下了全球移动内存（Mobile DRAM）市场的60.4%份额，稳居全球老大，份额创造了历史新高。

同胞公司SK Hynix位居第二，在移动内存市场份额为26.9%，这两家韩国公司加起来份额达到了87.3%，这已经是“垄断”整个市场了，美光公司的份额只剩下10.4%，远远落后于这两家公司了。

不过三星、SK Hynix恐怕也高兴不起来——虽然市场份额涨了，出货量增加了，但是因为移动内存价格价格不断下滑，三星Q1季度的移动内存营收不增反减，环比下降了22.7%，营收只有20.26亿美元。SK Hynix公司当季营收同样下滑23.1%，营收为9.03亿美元。对了，SK Hynix公司的运营状况已经极度窘迫，该公司不得不发行债券筹集运营资金。

这种情况下，美光的情况只能更惨，份额只剩10.4%不说，营收也大幅下滑了45.6%，3.49亿美元的收入有点难看。

考虑到三星在18nm工艺先进制程以及产能上的优势，一家独大的情况还会继续下去，而且三星的优势还会越来越大，预计今年的市场占有率会突破七成，留给其它公司的空间不多了。

值得一提的是，大陆目前也在集中精力发展DRAM内存产业，武汉上马了国家级存储芯片基地，投资超过240亿美元，虽然初期主要是NAND闪存，但二期就开始介入DRAM内存。此外，福建、合肥、深圳等地方政府也在积极推动类似项目，而且产能规划非常高，未来一旦量产，DRAM内存可就更“热闹”了。

与同胞公司三星还能靠智能手机、SoC处理器弥补内存、闪存芯片业务不同，SK Hynix的营收几乎全部来自内存及闪存芯片，而后两者的价格近来一直在下跌，SK Hynix公司在技术水平、产能上又落后于三星，以致于今年Q1季度营收3.66万亿韩元（人民币209亿元），环比下滑了17%，同比下滑了24%。

该公司Q1季度毛利率从去年同期的33%下降到了15%，运营利润只有0.562万亿韩元，净利润是0.448万亿韩元（人民币25.5亿元），环比下降了49%，同比则是暴跌了65%，只有去年同期的1/3左右。

与上一季度相比，SK Hynix公司的DRAM芯片出货量、平均价格分别下降了3%、14%，主要原因是PC、服务器以及移动内存市场需求不振。闪存方面，出货量及平均售价也分别下降了11%、12%，原因是移动设备需求不足。

目前SK Hynix正在增加2Z nm（21nm）工艺的移动DRAM生产，并开发1Z nm DRAM芯片。闪存方面，SK Hynix公司正在向1Y nm工艺平面NAND闪存升级，并加速扩大3D NAND闪存生产，该公司预计今年下半年量产48层堆栈的3D NAND闪存。

业绩如此不景气，SK Hynix公司减少投资也成了必然之事，公司总裁Kim Joon-ho向投资者表示今年的资本投资会减少，公司将会集中精力在提升技术水平而非扩大市场份额上。

根据SK Hynix公司报告，他们向中国无锡、韩国清川及仁川市的工厂投资了6.6万亿韩元（人民币约376亿）。

据韩国媒体报道，加拿大皇家银行RBC高级分析师Amit Daryanani本周一发表分析报告，预测2016年全球存储芯片资本支出额为502亿美元，比上一年减少4%。看起来变动不多，但三星一家就减少了40亿美元的支出，同比下降了31%。

三星是DRAM厂商中工艺最先进的，前不久宣布率先量产18nm工艺DRAM芯片，而目前的产能有70%都已经升级到20nm工艺节点，但这也意味着三星不会大规模投资产能建设了，内存领域的资本支出将减少26亿美元。

闪存方面同样如此，三星数年前在中国西安投资70亿美元建设3D NAND闪存工厂，去年底该工厂已经开始规模量产第三代V-NAND闪存了，随着工厂进入全功能运营阶段，三星在NAND领域的投资也将下降到10亿美元。

另一家韩国公司SK Hynix同样也会削减资本投资，预计今年会减少6万亿韩元。分析师称SK Hynix正在为升级20nm DRAM芯片产能投资，但在3D NAND领域进行重点投资的可能不大，他们的产能ASP平均售价及技术面临挑战。

三星、SK Hynix放缓存储芯片投资跟营收表现息息相关，预计今年Q1季度的财报中双方都会披露新的投资计划。分析师称宏观经济压力导致了半导体产业下降，进而抑制了资本支出。厂商们的运营利润下降速度历史性地超过了营收下降速度。

SK Hynix预计Q1季度的运营利润只有5000亿韩元，去年同期还有1.58万亿韩元。三星日子也没好到哪里去，去年Q1季度运营利润是2.93万亿韩元，今年Q1季度降到了2.6万亿韩元。此外，三星存储芯片之外还可以依赖处理器芯片弥补部门法损失，而SK Hynix主要的营收都是来自DRAM及NAND存储芯片，情况比三星更糟。

美国调研公司IHS日前公布了2015年全球DRAM内存市场报告，三星在全球的占有率达到了45.3%，其次是SK Hynix的27.7%，这两家韩国公司加起来就占据了全球DRAM市场的73%，Q4季度更是达到了74.5%，创造了历史新高。

具体细分上，服务器内存芯片市场中，三星份额高达50.3%，SK Hynix达到了32.2%，两家合计82.5%，美光的份额只有17%。

移动内存市场上，三星占有率达到了52.7%，SK Hynix大约是27.1%，两家分走了8成份额，留给其他厂商的空间也不大。

这两家不光是份额上领先，技术上的优势也在加大。三星前几天宣布率先量产18nm工艺的DRAM内存芯片，这是2014年三星率先量产20nnm工艺的DRAM之后再一次领先其他厂商。SK Hynix的18nm工艺还在研发中，预计今年底完成技术研发，明年可以量产。

但是美光与前两家的差距就大多了，上月底公布的财报中美光录的净亏损9700万美元，DRAM及NAND营收都在下滑，20nm DRAM内存芯片虽然已经量产了，但所占比例并不高，预计到今年Q3季度才能占到内存芯片一半的比例，新一代的18nm工艺遥遥无期。

Digitimes援引台湾南亚科技总裁Pei Ing Lee（前董事长高启全加盟紫光之后，Pei Ing Lee出任总裁)的消息称2016年下半年内存价格面临不确定性，因为三星、SK Hynix及美光三巨头的内存产能都在提升。

他强调今年第二季度的价格压力不光影响DRAM内存，还要扩展到其他市场，比如移动设备、服务器及消费市场。不过他相信二季度的价格波动幅度并没有第一季度那么大。

至于下半年，Lee表示相比第一季度的需求会继续增强，但市场空间就不太好说了，因为三星、SK Hynix及美光的内存产能都在快速增加。

至于会降价多少，20%-30%的降幅是可能的，但如果新产能爬升太快的话，25-40%的降幅也是可能的。Lee表示2015年的降幅是20-30%。

PS：正如文中所说，随着台系的南亚科技被美光收购，如今的内存市场只剩下三星、SK Hynix及美光三巨头了，不过市场竞争并没有减少，随着20nm及更先进的1xnm工艺的量产，内存芯片的产能确实在不断增大，降价的压力也越来越大。

PS：实际上，这半年来内存的价格确实是稳中有降的，特别是DDR4内存，如今单条8GB DDR4-2133的主流价格已经降到了199-249元左右，与DDR3内存相差无几。只要更多平台开始支持DDR4内存，包括AMD的Zen处理器，DDR4普及就会很快了。

相比HBM一代，HBM 2显存继续保持1024bit位宽，8个通道，但容量及速度进一步提升，支持2-Hi、4-Hi及8-Hi堆栈，速度也翻倍到等效2Gbps，因此JESD235A标准的HBM显存单个容量分别为2GB、4GB及8GB，带宽从128GB/s提升到256GB/s。目前AMD及NVIDIA下代显卡都会搭配4组HBM显存，等效位宽4096bit，总带宽可达1024GB/s，也就是NVIDIA之前宣传的TB/s级别带宽。

三星虽然没有介入HBM一代显存，但在HBM 2显存上率先量产，一步到位推出了4GB HBM2显存，已经被AMD Poalris以及NVIDIA的Pascal显卡选中，而SK Hynix在HBM 2可以说赶了个晚集，最新消息显示他们的4GB HBM2显存预计在今年Q3季度量产，Q4季度则会推出容量更大的8GB HBM2显存。

SK Hynix先输了一着，不过HBM2显存市场很大，不会被三星独吞，就跟目前的GDDR5显存一样，之前显卡用三星颗粒的多，但后来也有很多显卡转向了SK Hynix的GDDR5颗粒。

来自韩国ETNEWS的报道称，三星、SK Hynix及美光这三家厂商都在致力于明年量产1x nm工艺的DRAM芯片，其中三星的进度最快，他们去年3月份才量产了20nm工艺，但现在正在修改工艺，已经完成了1x nm工艺的的量产验证工作，明年Q1季度就要量产新工艺DRAM内存。

SK Hynix的进度比三星略慢，2016年他们计划提升20nm工艺DRAM芯片的产能，但2016年上半年也会完成1x nm工艺的DRAM开发工作，2016年下半年争取量产。

在这三家中美光这两年的表现就比较差了，工艺进度也比韩国两家公司落后1-2代，不过美光CEO Mark Durcan也表态称2016年他们的目标除了提升20nm产能之外，也争取开始量产1x nm工艺的RAM芯片。

原文说的这个1x nm等同于18nm工艺，但实际上并没有这么简单，并不是从数字20到18这么简单，如果制程只是改变了2个nm，厂商肯定不会这么大动干戈。在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后，厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了，20nm之后是1x nm工艺，再往后则是1y nm工艺，还有1z nm工艺的说法，至于XYZ具体的含义，由于每家公司的工艺并不一样，所以缺少详细的解释。

SK Hynix拒绝紫光巨额投资的一大原因就是害怕中国公司一旦获得了NAND技术就会用低价击垮其他竞争对手，甚至摧毁整个市场，这方面已经有LCD液晶及LED两个先例了。不过话说回来，紫光背后代表的是中国庞大的市场，SK Hynix不可能不动心，而且现在NAND市场基本上被四大家族垄断，SK Hynix在最新的NAND市场上排名只是第五，落后于三星、东芝、闪迪及美光，如果与中国公司达成合作，借助中国低廉的生产成本，SK Hynix可以更好地与对手竞争。

韩国时报援引欧美投行分析师的话称SK Hynix虽然拒绝了紫光的投资协议，但还是很想跟紫光合作的，有意签署专利授权协议，让紫光为SK Hynix代工NAND闪存等产品，这样可以降低成本，扩大SK Hynix的市场占用率。

此外，韩国政府一样存在着技术转移限制，虽然不如美帝那般苛刻，不过韩国也始终提防着中国公司，企图保持自己的技术制高点优势，这也让SK Hynix、紫光成立合资公司的难度加大，只不过中国公司在半导体领域崛起是大势所趋，正如中国研制C919大飞机一样，但在自己开发的过程中，波音、空客也同样没有放弃中国市场。

根据Q3季度的销售额排名，SK Hynix目前是全球第五大NAND闪存供应商，仅次于三星、东芝、闪迪及美光，他们在今年的全球20大半导体公司排行榜中也位列第四。目前SK Hynix的主力产品是DRAM内存及NAND闪存，不论地位还是技术都有独特之处，算起来是个很不错的入股目标，毕竟韩国的审查不向美帝那么苛刻。

台湾中时电子报援引大陆媒体的报道称，从华亚科离职、现任紫光全球执行副总的高启全从中搭桥引线，紫光与SK Hynix公司CEO朴星昱本月初举行了会谈，商讨双方的合作协议，可能的方式是紫光公司投资入股SK Hynix公司，获得15-20%股份，然后SK Hynix要在中国建设晶圆厂，紫光获得一部分产能。

目前SK Hynix公司市值207亿美元，紫光要是收购20%股份，将为SK Hynix公司带来53.8亿美元的现金，足以建设一座新工厂。而对紫光来说，这次合作以及之前间接收购的闪迪公司，紫光可以在瞬间成为全球第三大NAND公司。

不过最终的合作并未成行，SK Hynix已经公开表态拒绝了紫光的建议，但没有给出拒绝的原因。巴伦周刊网站援引伯恩斯坦分析师Mark Newman的话称“通过研究中国公司在其他产业（智能手机、太阳能、LCD屏幕等）的表现，你会发现一旦中国进入某个市场，他们就不会停止前进，直到用价格统治整个市场，而经济系统也会因此被毁灭，SK Hynix公司显然也是害怕这样的情况。”

这个分析师说的在理，中国公司的“可怕”之处确实是这样，现在中国公司虽然技术和人才上差一点，但是不差钱，不论是LCD还是太阳能，这些产业确实都被或者正在被中国公司占领，因为中国公司的价格更低，直接颠覆了这个行业。但另一方面，低价的中国产品也确实影响了整个行业，一味的低价是错误，不足以推动行业良性发展。

作为全球内存及闪存芯片中的一哥，三星早在2014年3月份就量产20nm内存芯片了，其3D闪存芯片更是发展了三代了，今年8月份开始量产48层堆栈的V-NAND闪存了，单核心容量可达256Gb即32GB。与上一代的单核心128Gb容量的产品相比，第三代3D V-NAND不仅容量翻倍，功耗也有30%下降，而且还可以在现有生产线的基础上进行生产，生产效率提升40%。

有这样逆天般的大哥存在，SK Hynix只能抢到第二把交椅了，好在这个结果也不算坏，毕竟除了三星之外其他公司的进度比SK Hynix更慢。

来自Businesskorea网站的报道，现在SK Hynix公司也能量产20nm工艺的DRAM内存芯片了，该公司已经在本月中旬的财报会议上证实了此事，他们还承认在20nm工艺量产上遇到了困难，但现在已经克服了，之前已经给客户出样了，现在正在量产20nm内存芯片。

至于3D闪存，SK Hynix高管表示他们今年会少量生产36层堆栈的闪存，但是该公司并不打算大规模量产，他们要在明年直接上48层堆栈的3D闪存。

在SK Hynix之前，三星今年5月份也宣布了大规模半导体投资，将投资15.6万亿韩元（143亿美元）在韩国平泽市新建一座晶圆厂，建成之后将成为三星最大的晶圆厂。虽然三星没公布该工厂具体生产什么产品，但三星提到了移动及服务器市场，猜测也是跟DRAM内存相关。

现在SK Hynix的投资规模比三星还大，46万亿韩元大约是382亿美元，投资规模是三星的两倍还多，其中的15万亿韩元将投向最近落成的利川市M14晶圆厂，用于扩增内存芯片产能。剩下的31万亿将用于新建两座晶圆厂，一座位于利川市，一座位于清州市，不过新建的这两座工厂具体生产什么产品还没公布。

过了几年好日子之后，内存产业现在也因竞争激烈而不断降低价格，如今的内存产品价格快要降回前两年4GB单条199元的水平了，即便是最新的DDR4内存价格也开始亲民了。移动市场的内存市场还算过得去，但移动市场现在也逐渐饱和，增长速度没有之前那么快了。

在这样的环境下，三星、SK Hynix还要大手笔扩建内存厂，市场担心DRAM产能继续扩大会导致DRAM过剩风险更大，DRAM产品价格也会进一步下跌。

再次介绍一下UFS 2.0，其全称为Universal Flash Storage通用闪存，UFS标准最早是高通和东芝合作在2011年发布，采用串行界面，支持全双工运行、同时读写、指令队列等，去年年初升级到现在的UFS 2.0，性能有了质的飞跃，比eMMC 5.0快近3倍，更接近SSD级别，功耗更是降低了50%，4K视频什么的都不是问题。

至于SK Hynix推出的这一款，基于High-Speed Gear 3接口、双数据通道，采用自家16nm NAND闪存和自主研发主控芯片，目前最高容量是64GB（三星最高128GB），连续读写性能高达780MB/s和160MB/s，随机读写性能则有32000 IOPS和17000 IOPS，不要说eMMC 5.0了，就连eMMC 5.1也能轻松拿下，不过实际表现如何，还要等到相关产品上市才知道了。

接下来，SK Hynix将会改变三星在UFS 2.0一家独大的局面，未来将有更多厂商的智能手机可以拥有这一强劲的力量。