本周一的时候SK Hynix股价还大幅跳水7%，因为市场预期DRAM涨价到头了，随后SK Hynix股价回涨了，今天发布的财报发布之后股价涨了2%，因为SK Hynix又一次交出了史上最好的财报。今年Q2季度中，SK Hynix公司营收10.371万亿韩元（约合625亿人民币），同比大涨55%，环比增长了19%。毛利润6.608万亿韩元，同比大涨72%，环比增长24%。

运营利润为5.574万亿韩元，净利润达到了4.329万亿韩元，同比大涨了75%，环比也大涨39%。

从SK Hynix的财报来看，他们的毛利率为64%，运营利润率为54%，净利润达到了42%，这样的赚钱能力也只有三星半导体可比了。

根据SK Hynix的资料，今年Q2季度中NAND闪存平均价格跌了9%，不过位元出货量增长了19%，主要是中国智能手机行业闪存需求及SSD硬盘市场需求增加所致。

内存方面，所有产品均价增长了4%，位元出货量增长了16%，主要动力来自PC内存及服务器内存。

SK Hynix依然在扩大内存产能，预计今年9月底位于韩国清州市的无尘室扩建工作完成，明年初提供产能输出，而位于中国无锡市的无尘室扩建工作今年底完成，此外SK Hynix还在无锡市投资86亿美元建设二期工程，前不久发生火灾的就是二期厂房，预计完成后内存产能将达到20万片晶圆/月。

来自韩国贸易部门的统计称，韩国5月份出口额达到了512.3亿美元，连续四个月超过500亿美元，创下了去年10月份以来的新高。

在韩国出口的产品中，半导体、石化、石油产品及电脑产品都是两位数增长，其中半导体产品出口额达到了111.6亿美元新高，比上个月增长了39%，而这主要得益于稳定的内存芯片价格，实现了21个月连续增长。

在韩国的半导体芯片出口中，中国显然是占了最大份额的，虽然没有韩国方面公布的准确数据，不过中国海关统计的5月份进出口数据中，中国从韩国进口了1135亿元的产品，出口大概是620亿元，逆差500多亿人民币。

2017年中国进口了889亿美元的存储芯片，韩国占了463亿美元，每个月平均差不多40亿美元，占到韩国半导体芯片出口的1/3多，考虑到今年的价格还在继续增长、出货量也在增加，今年5月份中国进口的韩国存储芯片只会更多。

市场调研公司iHS Market公布了2018年Q1季度全球半导体市场报告，当季营收1157.62亿美元，环比下跌3.4%，同比增长了21.6%，环比下降主要是无线通讯市场下滑以及季度性淡季影响。

在Q1季度中，DRAM内存营收达到了397亿美元，同比增长1.7%，主要是服务器内存的强劲增长，推动了内存价格及出货量增长。NAND方面，当季收入有所下降，主要是因为单位价格降低，不过企业及消费级市场SSD需求强烈，NAND产业依然创造了季度收入第二高。

具体到每家公司中，三星在击败英特尔成为半导体市场老大之后就一直维持现在的地位，当季收入186.07亿美元，同比大涨45.4%，市场份额达到了16.1%。

英特尔公司以157.45亿美元的营收位列第二，同比增长11.1%，环比下降6.2%，市场份额13.6%。

第三名是SK Hynix，当季营收81亿美元，同比增长47.1%，环比下降0.8%，市场份额7.0%。

美光公司营收71.9亿美元，同比增长52.7%，环比增长9.8%。

博通公司位列第五，营收47.68亿美元，同比咋18.6%，下降5.1%。

高通公司当季营收40亿美元，同比增长10%，环比下滑13.6%。

再往下就是TI德仪，营收36.97亿美元，第八位是东芝，营收35.3亿美元，同比大涨27.9%，环比增长8.5%。

NVIDIA营收位列第九位，26.6亿美元的营收同比增长了55.1%，这是TOP10中增长速度最高的，要知道其他高增速的公司几乎都是存储芯片公司，主要靠的是DRAM内存在这一年中的持续涨价，当然NVIDIA公司的显卡也遇到了好时候，Q1季度正是全球矿卡的巅峰。

第十名是英飞凌，当季营收22.56亿美元，同比增长20.2%，环比增长8.7%。

美光5月底才发布了2018财年Q2季度财报，营收大涨58%、净利大涨270%，今天发布了截至2018年5月31日的Q3财报，当季营收77.97亿美元，上季度为73.5亿美元，去年同期55.66亿美元，同比大涨40%，环比也增长了6%。

美光Q3季度的毛利率达到60.6%，相比上季度的58.1%继续增加，去年同期则是46.9%，这使得美光当季的云盈利达到了39.5亿美元，是去年同期的两倍，而净利润也达到了38.23亿美元，上季度是33.1亿美元，去年同期是16.47亿美元，同比大涨132%，环比也增长了15%。

“得益于强劲的执行力和持续的长期需求趋势，美光公司在第三财季的财务业绩中取得了创纪录的业绩。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示“我们增强了我们的竞争优势，并在几乎所有高价值产品领域增加了收入，美光创造了SSD、移动AND和汽车解决方案以及云计算/企业级、图形DRAM内存收入的新纪录。“

来自韩国电子报的消息，韩国产业技术振兴院日前发布了一份名为中国公司进入半导体存储业对（韩）国内外波动效果分析及应对战略的研究报告，里面估算了中国公司在2022年对韩国公司公司出口内存、闪存芯片的影响，具体来说：

在DRAM内存市场上，2022年韩国公司预计销售额为695亿美元，如果中国公司加入竞争，出口将降低到628亿美元，减少67亿美元。

在NAND市场上，2022年韩国公司预计销售额为376亿美元，中国公司加入后可能降至365亿美元，减少11亿美元。

两种产品加起来的话，中国公司在2022年可能会影响韩国公司总计78亿美元的销售额，换句话说这78亿美元其实是未来的4年后中国公司能从韩国公司手中抢到的市场份额。

在全球存储芯片市场上，三星、SK Hynix两家公司都占据了相当大的市场份额，三星一家就能占据全球内存市场46%、闪存市场39、SK Hynix占到全球内存市场29%、全球闪存市场15%的分额，考虑到这两年中内存、闪存涨价使得相关公司盈利大增，三星、SK Hynix公司都在加大投资，比如三星去年不仅建成了全球最大的NAND工厂，还投资140亿美元将平泽市的二期NAND工程改成DRAM工厂，建成后预计也是全球最大的DRAM工厂之一。

SK Hynix在盈利改善之后不仅参股了东芝NAND内存业务，还在中国无锡工厂继续投资36亿美元建设新的内存工厂。

中国公司也在加大投资，紫光旗下的长江存储在武汉建设三期工程，首期工程是NAND工厂，总投资240亿美元。合肥长鑫投资额在72亿美元元左右，福建晋华的投资约为370亿元，其他规划中的投资也在几十上百亿不等。

不过从韩国公布的报告来看，国内公司虽然大举投资存储芯片，但是4年后的2022年，抢到的市场份额也只有78亿美元，不到韩国公司销售总额的10%，全球市场份额占比会更低。2017年中国进口芯片价值2600多亿美元，其中大概1/4都是存储芯片，考虑到未来四年的增长率，2022年国产内存、闪存即便全部自产自销，国内的占有率最多也就是10%，依然不能跟三星、SK Hynix、东芝等公司抗衡。

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以TSMC全球最大最先进的半导体代工厂地位，他们要是做NAND闪存芯片的话.....这个问题不止一个人关心过，早前还有传闻称TSMC参与竞标东芝NAND业务，但是TSMC官方对此事的表态倒是很理性，联席CEO魏哲家早前就明确了他们不会做标准型存储芯片，也就是说大众化的NAND闪存、DRAM内存不是他们的重点。

不过不做标准型存储芯片不代表他们不做存储芯片，TSMC搞的只是新型存储芯片，比如MRAM磁阻式随机存储芯片、RRAM电阻式随机存储芯片等等。TSMC据传早在2000年就跟台湾工研院合作开发此类芯片，但是新一代存储芯片喊了多年了，目前依然没能走出实验室阶段，商业化还远着呢。

TSMC技术长孙元成最近在TSMC技术论坛大会上首次透露了他们研发的eMRAM、eRRAM等存储芯片的进展，前缀的e表示这两种芯片是针对嵌入式市场看法的，它们主要用于IoT物联网、汽车电子、高性能电脑、智能汽车等市场。

根据台经济日报整理的数据，TSMC的eMRAM芯片将使用28nm工艺制造，预计在2018年底试产。eRRAM芯片则使用40/22nm工艺生产，今年底试产，2019年量产。

搞MRAM芯片的代工厂实际上也不止TSMC一家，三星早前宣布4nm工艺时也提到了会针对物联网市场推出28nm FD-SOI工艺，也会生产eMRAM存储芯片。Globalfoundries早前公布的22FDX工艺也同样针对低功耗的物联网市场，也会推进eMRAM芯片研发生产。

国内的中芯国际也针对下一代存储芯片布局了，今年初他们宣布已经出样40nm工艺的ReRAM芯片，这种芯片密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具备结构简单、易于制造等优点。

目前NAND、DRAM发展的如火如荼，MRAM、RRAM等新一代芯片不过是小荷才露尖尖角，大规模商业化还很远，但是发展前景被人看好，未来的存储芯片同时具备RAM和闪存技术的优点，性能更强而且数据不会丢失，大家要想了解更多信息，可以加小超哥（id:9501417）微信咨询。

除了这三个大项目之外，其他地方政府也对存储芯片工厂蠢蠢欲动，陆续还会有新项目上马，这毕竟是国家的战略目标，上马存储芯片项目能够获得国家财政等支持，也是地方政府的政绩，所以国内投资存储芯片的冲动还会继续。

如此大手笔投入，对原有市场格局肯定会有影响，目前DRAM领域主要有三星、SK Hynix及美光三大厂商，而第四大厂商是台湾的南亚科技，此前还有华亚科，只是华亚科已经被美光全资收购了，因此南亚排到了第四，不过南亚Q1季度营收只有3.94亿美元，占DRAM市场份额只有2.8%，跟前面三家完全不能比。想要了解全球内存排名可以加小超哥（id：9501417）微信咨询。

来自日经新闻亚洲版的报道，南亚科技总裁Lee Pei-Ing本周五在媒体会议上警告中国大陆激进投资可能破坏全球市场，他表示“我们很担心大陆对存储芯片工厂的激进投资以及他们能否从关键的芯片厂商获得技术授权，这些情况会使目前健康的竞争状态转向残酷的竞争，有可能带来失控及破坏性效果。”

PS：从早前美国商务部长到台湾南亚科技，他们已经不止一次表达过类似的担心——中国大陆对存储芯片以及整个半导体领域的疯狂投资有可能破坏市场格局，导致产能过剩、扼杀创新，甚至会威胁美国国家安全。

对于他们的表态，我们也无需过度解读，市场领先的玩家当然不愿意看到别人超越他们，更怕打价格战，毕竟中国公司最擅长这个。对南亚来说，他们在DRAM市场上的份额太小了，而大陆投资的存储芯片公司规模超大，福建晋华的项目一期产能就是6万片晶圆/月，合肥的则是12.5万片/月，紫光在武汉的项目是20万片晶圆/月，2020年可达30万片/月，2030年完全建成时是100万片晶圆/月——光是合肥的项目就跟SK Hynix现在的DRAM产能差不多了，紫光的产能目标未来是奔着三星、东芝等公司去的。

可以想象，未来两年大陆的存储芯片项目开始量产时，首先遭殃的就是南亚这种规模较小的公司，所以他们担心大陆的投资很正常。考虑到大陆的DRAM及NAND技术水平短时间内不可能达到三星、美光等公司的水平，但是产能够大，价格战不可避免。

IBM这次研发突破是有关PCM存储芯片的，大家可以了解一点PCM存储的基础知识：

PCM：（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫族化物玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。（WiKi百科）

也就是说PCM芯片是通过材料热变化来存储信息的，相比传统闪存或者内存芯片，PCM具备多个优点，比如写入次数可达1000万次，远高于NAND闪存（TLC闪存写入寿命不足1000，MLC多为3000-5000，SLC多为5000-10万），速度更快，是NAND闪存的50倍之多。

不过PCM存储从1960年代就开始研发了，直到现在也没有商业化，因为它虽然理论上优点多多，但制造可用的大容量存储还面临很多难题，其中一个关键就是PCM芯片每单元只能存储1位数据，也就是1BPC（bit per cell），你可以把它理解成SLC闪存那样，也是每单元存储1bit数据。

IBM这次的突破就在于他们首次制造出了3BPC芯片，换句话说这就相当于制造出了TLC类型的NAND闪存，有助于提高PCM存储容量，降低成本，这是PCM实用化必经之路。

日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上，IBM苏黎世研究中心的科学家公布了这次研究成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据。

有兴趣的还可以看看IBM公布的这个视频（需要爬墙），里面采访了论文作者之一的Dr.Haris Pozidis，介绍了PCM的相关知识和进展。

不过写完这篇新闻之后，搜索了一下以前的旧闻，发现2011年我们就报道过IBM在多位存储PCM上的进展了，当时也是说IBM成功研发出多位存储PCM芯片了，只是没公布具体的数据。这么算的话，PCM存储离商业化应用还真的是非常遥远....

目前在闪存、内存领域堪称革命化同时能量产的只有Intel、美光研发的3D XPoint闪存，它的性能、可靠性指标虽然没有PCM这么强大，但性能、可靠性也达到了NAND闪存的1000倍，以及10倍容量密度，而且在2016年就能上市，进度是PCM比不了的。

联电公司发言人昨天证实该公司已经针对利基型记忆体代工成立专案小组，将由瑞昱电子（Realtek，俗称小螃蟹的网卡、声卡芯片公司）前总经理陈正坤领导。目前该小组主要目标是扩大招募工程师队伍，并在台湾南科建设小型生产线。

不过联电最终目标是在福建泉州建设12英寸晶圆厂，争抢大陆存储芯片市场商机，不过技术授权、投资金额等具体信息要等到双方签订协议之后才能透露。

联电扩大存储芯片业务不是秘密，他们本来有嵌入式闪存技术，挖来陈正坤之后又规划了利基型记忆体（指的是非PC所用的标准存储芯片之外的芯片，比如移动设备所用的DRAM/NAND等）业务，因为联电也知道大陆这边已经把内存、闪存等存储芯片业务列为重点，投资巨资发展半导体业务。

联电是台系半导体公司登陆最早的公司之一，在厦门有合资的联芯半导体，原本联芯也争取列入中国的国家级NAND/DRAM指标企业，但没有成功，紫光旗下的同方国芯最终出线。

联电当然不甘心失败了，国家级不成功，那就找地方政府合作，泉州市政府争取到了联电的合作机会，双方将在泉州建设存储芯片代工厂。

大陆发展半导体业务的雄心壮志已经成了很多公司的机会，国内目前有三股势力，首先是外资公司，三星在中国西安有NAND工厂，目前是三星公司生产V-NAND闪存的主力，SK Hynix在无锡有内存工厂，当前一把大火导致内存涨价的就是这里了。Intel在中国大连的Fab 68工厂原本封装测试用的，但工艺已经落后，Intel去年宣布斥资55亿美元改造工厂，以后也要生产3D NAND闪存了。

大陆本土的力量主要是紫光、新芯科技，紫光准备在深圳或者华南地区建设DRAM工厂，而武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地上月底已经开工，预计有三个阶段，首先生产3D NAND闪存，之后是DRAM内存，再之后是代工业务。

联电为代表的是台系力量了，将在泉州建设12英寸晶圆厂，主打的是嵌入式闪存及利基型存储芯片。当然，在存储芯片之外，联电在厦门还有代工厂，TSMC在南京投资的晶圆厂也开始动工了。

武汉存储器产业基地背后的出资人有国家队的大基金，也有地方队的湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金及湖北科技投资集团，预计5年内投入240亿美元，2018年建成投产。至于产能，当初提到的是每月20万片晶圆，这个产能已经很强大了，不过后期还会继续增加，2020年预计产能可达30万片晶圆每月，到了2030年则会提升到100万片每月。

国际通行的半导体产能衡量指标是统一到8英寸晶圆产能上，根据2015年统计的数据，全球产能最大的半导体公司是三星，总产能是每月253.4万片，第二名是TSMC，每月产能为189.1万片，第三名是美光，每月产能160万片晶圆，第四、第五分别是东芝/闪迪、SK Hynix，产能134.4万片、131.6万片，第七名则是GlobalFoundries，产能为76.2万片。

产能TOP5的公司都是经过多年投资的大厂，而武汉存储器基地建成之时的20万片晶圆产能算不上，但2030的100万片晶圆产能就不可小觑了，差不多能达到SK Hynix与GlobalFoundries之间的量级了。——用15年后的产能比现在的水平虽然不公平，但别忘了武汉的晶圆厂只是中国发展半导体产业的一部分，其他城市还有更多类似项目，总体发展速度远远超过国际公司，后者新建晶圆厂的动机并不高。

此外，武汉基地的晶圆厂瞄准的是整个存储器产业，第一阶段的晶圆厂会主攻NAND闪存，而且是3D NAND闪存，第二家工厂则是针对DRAM内存芯片，第三个阶段的工厂要为供应商服务。

国内投资建设的项目从来不缺资金，发展目标同样也非常远大，100万片晶圆产能依然是个开始，这个项目的目标是做全球行业龙头。中国大基金总经理丁文武在采访中也表示大基金的投资方面就是做行业龙头，不做一般的风险投资、天使投资。

不过在巨额资金及雄心壮志背后，武汉基地的存储芯片技术水平依然是个迷，虽然直接切入新一代的3D NAND闪存，但今年国际主流的3D堆栈层数已经达到了32-48层，新芯科技与飞索半导体研发的3D NAND据说只有8层堆栈，建成工厂还需三年左右时间，届时技术差距又该如何缩小呢？

台湾经济日报援引财新周刊的报道指出，紫光肯定会自建工厂，但赵伟国并没有透露是否有计划收购内存大厂。此外，赵伟国强调，“在中国建立中国资本控制的工厂，这不仅是企业自身的需要，也是国家的需要。”

紫光自检存储芯片工厂还需要过几关，资金问题肯定不用发愁，更关键的还是技术和人才。紫光去年38亿美元入股了西数公司，后者又花了190亿美金把闪迪公司买下了，有可能从这两笔交易中获得技术授权。

不过紫光虽然花了大钱成为西数公司第一大股东，但只有1个董事席位，而且不能参与经营（美帝摆明是只要中国公司的钱，经营问题就别插手了），如何获得技术授权是个问题。对此赵伟国并没有明确回复，只说所有过程都会符合美国知识产权监管要求。

此外，赵伟国表示紫光今年的工作重点是完成旗下同方国芯的定增案，根据此前的公告，同方国芯定向增资规模高达800亿人民币，其中有600亿要投向存储芯片工厂，但并没有透露这笔钱是用于收购还是自建工厂。

根据业界分析，DRAM内存及NAND闪存等重要存储芯片专利都掌握在国际大厂手中，中国无力自建工厂，因此该笔600亿元的资金很可能遵循之前投资美国西数公司的方式，拿来投资入股美光公司。