3.3.1 闪存基础原理：为什么会有写入次数限制
这一节我们主要来看有关闪存芯片的问题。
目前SSD所用的闪存主要是NAND类型，早前还有一种叫做NOR的闪存，最早是由Intel在1988年开发出来的，曾经在手机内存中大行其道，而NAND闪存则是东芝在1989年提出来的，两种类型的闪存争夺战中最终由NAND闪存胜出，Intel不得不把NOR闪存部分卖给美光转而投身NAND阵营，现在Intel的闪存无论性能还是口碑都不输东芝，甚至还能反超。
由于NOR事实上是明日黄花，这里也不需大幅描述它与NAND的差异了，只要知道几点就够了：NOR闪存是芯片内执行（eXecute In Place），程序可以在闪存中直接执行而无需再入到系统内存中，而且可以字节数（byte）为单位读写，但是擦除和写入速度比较慢，容量密度低，反观NAND，存储密度高，写入和擦除速度更快，虽然写入以page为单位，但是擦除必须以block为单位。
NOR与NAND闪存优缺点比较
就是这样，NAND在成本、写入速度、容量等重要方面优于NOR闪存，最终成为赢家，不只是在SSD中全面开花，其他闪盘、手机内存等领域中也是NAND为主。
NAND，包括前面的NOR闪存本质上都是Floating Gate MOSFET（浮栅极-金属氧化物半导体场效应管），也是利用通电与否代表计算机可识别的1、0状态。
加电瞬间会产生强大的电场（大于1000万 vt/cm），这么强的电场会破坏隧道氧化层的原子结合，脱离的电子就会上升到浮栅极上以形成电位变化，断电之后电子还会恢复正常位置，这样反复的断电-加压就形成了不同的电位信号。
NAND的工作循环过程
加电的过程等同于HDD硬盘的数据写入操作，它被成为“Program（编程）”，断电的过程电位恢复，这相当于HDD硬盘的擦除数据，这里成为“Erase（擦除）”，完整的一次P/E循环就是NAND的写入循环，从这里也可以看出SSD要想写入数据就需要恢复默认电位，也就是以“擦除”为前提，这个特性决定了SSD的数据写入方式，也会带来其他的一系列问题。
最直接的影响就是SSD寿命，因为P/E循环次数是有限的，浮栅极不像HDD的GMR（巨磁阻尼）效应那样是永久的，存在次数限制。
目前主流25nm工艺下，P/E循环次数在3000-5000次之间，测试的14款SSD中有9款SSD的标称写入次数都是3000次，只有Intel自家520、330、浦科特M3P以及OCZ Vertex 3 Max IOPS是5000次，最强的是超极速SSD，标称10万次写入寿命，因为它是SLC，这个后面还会详细讲。
Intel自家的SSD是5000次写入寿命
三星、东芝以及其他SSD基本都是3000次写入寿命
我匿名了 2014-03-28 06:39
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游客 2012-12-18 14:53
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游客 2016-02-03 23:25
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Tech学前班 2016-01-23 11:12 | 加入黑名单
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Tech学前班 2016-01-23 11:06 | 加入黑名单
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游客 2014-03-27 16:21
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游客 2013-10-30 18:23
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ngcw1986大学生 2013-09-07 15:19 | 加入黑名单
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游客 2013-08-15 18:08
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philip管理员 2013-08-08 16:41 | 加入黑名单
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lancon 2013-07-12 22:16 | 加入黑名单
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游客 2013-06-21 20:00
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游客 2013-05-04 17:32
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游客 2013-04-19 00:51
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游客 2013-04-18 15:28
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游客 2013-02-18 14:55
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游客 2013-02-18 10:18
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游客 2012-12-31 21:04
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游客 2012-12-29 23:57
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游客 2012-12-29 13:35
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游客 2012-12-28 22:42
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游客 2012-12-27 11:11
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kingterrors学前班 2012-12-18 14:57 | 加入黑名单
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游客 2012-12-14 13:43
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游客 2012-12-09 23:26
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游客 2012-12-06 10:58
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游客 2012-12-03 14:45
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游客 2012-12-02 00:21
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游客 2012-11-27 18:32
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