TSMC台积电在28nm、20nm及16nm FinFET工艺上的领先使得全球代工市场一家独大，TSMC自己占据了60%的份额，远超三星、GF格罗方德、UMC联电及大陆的SMIC中芯国际，昨天又公布了雄心勃勃的7nm及5nm计划。今年1月份UMC联电宣布自家的14nm FinFET工艺将在Q1季度量产，一个月的今天UMC又宣布14nm工艺已经为客户量产芯片。随着联电14nm工艺的量产，他们的28nm产能也可以转移到大陆合资的联芯电子了。

联电CEO颜博文昨日对外界表示该公司的14nm工艺已经成功进入客户芯片量产阶段，出货给客户的晶圆良率达到了业界竞争水平。算上之前的Intel、三星以及GF公司，联电是第四个量产14nm FinFET工艺的代工公司了。

根据联电公司资料，他们的14nm FinFET工艺技术水平达到业界标准，性能比28nm工艺快55%，功耗减少约50%，晶体管密度则达到两倍。

联电在台湾南科12厂开始量产14nm工艺之后还有个好处，那就是可以把28nm产能转移到大陆合资的联芯公司中以便争取大陆市场的订单。由于对岸政府对半导体公司赴大陆投资有限制——技术水平必须落后台湾本土至少一代，由于联电跳过了20nm工艺节点，所以14nm量产之后就可以把上一代的28nm产能转向大陆工厂了。

28nm工艺虽然两三年前的工艺了，不过这代工艺会很长寿，目前在移动处理器上高通、联发科依然有许多产品使用28nm工艺，大陆市场需求依然很高，联电现在可以把28nm产能转移到厦门地区合资设立的联芯电子了。

联电及关联公司和舰持有联芯一半股份，联芯电子去年11月份投产，设计月产能为5万片晶圆，初期产能不到1万片晶圆/月，只要工艺还是55nm及40nm，很快就可以转移联电的28nm产能了。