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关于 工艺 的消息

Exynos 2500能效或超第四代骁龙8,是三星首款采用第二代3nm工艺的SoC

此前有报道称,三星大概率在Galaxy S25系列上维持双平台的策略,分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本,不过暂时还不清楚定位最高的Galaxy S25 Ultra是否仅配备第四代骁龙8。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试,有着不错的性能表现,CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。

苹果A19 Pro将错过2nm制程节点,或采用增强型3nm工艺

去年苹果发布了多款3nm芯片,带动了台积电(TSMC)3nm产能的拉升,巨大收益很快便反映到台积电的季度财报上。为了进一步提高计算和图形性能,苹果已开始了下一代芯片的研发工作。此前有报道称,将成为台积电2nm工艺的首批客户,后者将会为iPhone、Mac、iPad和其他设备生产2nm芯片,预计2025年下半年量产,不少人猜测iPhone 17系列将首发搭载2nm芯片。

AMD今年或带来Instinct MI350系列:升级至4nm工艺,采用HBM3E

前一段时间,美国政府修订了最新的管制条例,针对人工智能(AI)和高性能计算(HPC)为主要用途的芯片,4月4日开始实施的APP禁令进一步加强管控的力度,采取了更为严格的控制措施。

SK海力士准备1cnm DRAM:第六代10nm级别工艺,计划2024Q3量产

去年,SK海力士宣布已经完成了现有DRAM中最为微细化的1β (b) nm(第五代10nm级别)的技术研发,并进入了英特尔数据中心的存储器产品兼容性验证。其采用了HKMG(High-K Metal Gate)工艺,相比1αnm(第四代10nm级别)工艺的产品,功耗降低了20%。

2024年3nm工艺将占台积电收入20%以上,英特尔和AMD都会下单

今年1月,台积电(TSMC)公布了2023年第四季度业绩,显示3nm制程节点的产量大幅度攀升,收入占比已从上一个季度的6%提高至15%。毫无疑问,这都来自于苹果这一个客户,生产A17 Pro和M3系列等多款芯片。

AMD下一代CPU/GPU将引入三星4nm工艺,或首先用于生产低端APU

自从出售了晶圆厂以后,AMD在过去的十多年里,基本都依赖台积电(TSMC)和GlobalFoundries(格罗方德)为其制造芯片。不过很早之前就有报道称,AMD或许会与三星建立新的合作关系,计划采用三星的4LPP工艺,制造Chromebook使用的APU。

传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍,但仍然不如台积电

三星在2022年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。不过在量产以后,三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。

英伟达RTX 50系列GPU或采用台积电4NP工艺,与Blackwell架构B100相同

在美国加州圣何塞会议中心举行的GTC 2024大会上,英伟达创始人兼CEO黄仁勋带来了Blackwell架构GPU,包括用于取代H100/H200的B200 GPU,另外还有与Grace CPU相结合的GB200。这些都属于数据中心产品,同样属于Blackwell架构的GeForce游戏显卡还要等上一些时日,最快也要到2024年底。

Cerebras发布WSE-3:采用5nm工艺,4万亿个晶体管,90万个AI核心

Cerebras宣布,推出Wafer Scale Engine 3(WSE-3),这是世界上尺寸最大的单颗裸片,几乎等于一块12英寸晶圆。其专为训练业界最大的AI模型而打造,在相同的功耗和价格下,性能是现有最快AI芯片WSE-2的两倍。WSE-3将用于Cerebras CS-3 AI超级计算机,通过2048个节点提供高达256 exaFLOPs的计算性能。

慧荣科技推出新款UFS 4.0主控SM2756:6nm工艺,面向手机、边缘和车用领域

慧荣科技(Silicon Motion)宣布,推出新款UFS 4.0主控SM2756。这是慧荣科技新一代UFS系列芯片里的旗舰型号,面向人工智能(AI)智能手机、边缘计算和车载应用等需要高效能运算的领域。此外,慧荣科技还带来了第二代UFS 3.1主控SM2753。

美光凭借工艺优势抢夺HBM3E市场,已成功吸引英伟达新款AI GPU订单

在人工智能(AI)和高性能计算(HPC)的影响下,近两年HBM产品发展逐渐加速,也推动着存储器厂商的收入增长。作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士目前在HBM市场的处于领导地位,大量供应HBM3用于英伟达的各款人工智能芯片。

分形工艺发布全新North XL机箱:木质格栅前面板,提供更大内部空间

Fractal Design(分形工艺)宣布,推出全新North XL机箱。其延续了之前North系列独创性的设计语言,做了加大空间升级,利用天然的材料和定制细节,将时尚设计元素很好地融入到生活空间里,从而颠覆了玩家对电竞PC机箱的传统印象。

三星仍需解决3nm工艺良品率问题,目前在50%附近徘徊

近年来,良品率一直是三星晶圆代工业务所要面对的最大问题。特别是在3nm制程节点上,三星率先引入了全新的下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别,也使得良品率问题进一步放大。

AMD推出Spartan UltraScale+系列FPGA:升级至16nm工艺,总功耗降低30%

AMD宣布,推出Spartan UltraScale+系列FPGA产品组合。这是AMD成本优化型FPGA和自适应SoC产品组合的最新成员,为边缘设备的各种I/O密集型应用提供成本和高能效性能,能够无缝集成并有效地与多个设备或系统连接,以应对传感器和连接设备的爆炸式增长。

三星决定为第二代3nm工艺改名:“SF3”将重新命名为“SF2”?

此前三星公布了到2027年的制程技术路线图,列出了2022年6月量产SF3E(3nm GAA,3GAE)以后的半导体工艺发展计划,其中包括了SF3(3GAP)、SF3P(3GAP+)、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原计划,今年三星将带来第二代3nm工艺技术,也就是SF3,使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,传闻已经在试产。

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