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三星3nm GAAFET工艺节点或延期到2024年

三星在2020年的时候，宣布攻克了3nm工艺节点的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出新工艺，并在今年3月份的IEEE国际集成电路会议上，介绍了该工艺的相关细节。

吕嘉俭 | 发布于2021-07-01 12:07

三星已用GAAFET技术打造出SRAM芯片，预计2022年用在3nm工艺上

三星在去年年初就宣布他们攻克了3nm工艺的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出这种工艺，目前关于此工艺的消息甚少，tomshardware报道说三星在IEEE国际集成电路会议上，三星公布了3GAE工艺的一些细节。

Strike | 发布于2021-03-13 09:54

三星将在2022年上半年生产首批3nm芯片，计划2025年量产2nm工艺

三星在举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星代工业务总裁兼负责人Siyoung Choi博士介绍了其半导体工艺的研发和量产情况，公布了新版的技术路线图。这表明三星将继续开发先进半导体制造技术，与台积电（TSMC）和英特尔竞争晶圆代工市场。

吕嘉俭 | 发布于2021-10-08 17:04

研究人员正在开发下一代CasFET工艺，新技术将延长硅基晶体管寿命

三星在2020年宣布攻克了3nm工艺节点的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，在今年3月份举办的IEEE国际集成电路会议上，三星介绍了该工艺的相关细节。这是目前FinFET鳍式场效应晶体管工艺的继任者，重新设计了晶体管，在通道四面都有四个栅极。这可以让晶体管有更好的绝缘设计，限制泄漏，并允许在相同开关效果下应用更低的电压，也使得晶体管可以更加紧密。