关于 hbm 的消息

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三星将带来3D HBM封装服务，计划2024年内推出

去年有报道称，三星正在准备自己的3D芯片封装技术，能够以更小的尺寸集成高性能芯片所需要的逻辑芯片和存储芯片。目前HBM产品主要采用2.5D封装技术，不过三星打算在2025年亮相的HBM4上引入3D封装技术。

吕嘉俭 | 发布于8小时之前

HBM供应短缺促使美光扩张产能，希望进一步提升市场占有率

此前有报道称，美光将在日本广岛县建造一座新的DRAM工厂，投资金额在6000亿至8000亿日元之间，计划2026年初开工建设，目标2027年末完成工厂主体建筑建设和第一批工具的安装。其中将安装极紫外（EUV）光刻设备，以1-gamma（1γ）工艺生产DRAM芯片。

吕嘉俭 | 发布于3天之前

三星认为混合键合技术至关重要，是生产16层堆叠HBM产品的必备条件

三星直到12层垂直堆叠HBM产品，一直都在使用热压缩（TC）键合技术。不过随着HBM堆叠层数的增加，三星可能会选择改进工艺技术，以适应新一代HBM产品的生产需要。三星在之前的一篇采访文章中，再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

吕嘉俭 | 发布于5天之前

HBM4竞争已经开启：堆叠挑战依然存在，混合键合技术是关键

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM产品的需求也在迅速增长，三星、SK海力士和美光三家主要存储器制造商都加大了投入。SK海力士作为目前HBM领域的领导者，首次现身COMPUTEX 2024，展示了最新的HBM3E和MR-RUF技术，表示混合键合将在芯片堆叠中发挥至关重要的作用。

吕嘉俭 | 发布于9天之前

美光介绍新款HBM3E产品：1β工艺制造，8/12层堆叠，24/36GB容量

近期美光发布了一系列内存和存储产品组合，以加速人工智能（AI）的发展。其中新款的HBM3E产品备受外界关注，美光早些时候已经宣布开始批量生产HBM3E，将用于英伟达H200，计划在2024年第二季度开始发货。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-30 15:07

SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-29 17:28

三星否认HBM3E芯片存在问题，称与合作伙伴顺利进行HBM供应测试

此前有报道称，三星的HBM3E芯片在英伟达的验证测试过程中似乎遇到一些重大问题，包括芯片运行过热和功耗过高等。三星从去年开始，就先后提供了HBM3和HBM3E给英伟达进行验证，但是一直没有通过。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-27 12:25

传三星HBM3E芯片存在运行过热问题，导致无法通过英伟达的验证

美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。不过三星HBM3E尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，传闻主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-25 09:48

AMD宣布Alveo V80计算加速卡量产：配32GB HBM2E，针对内存密集型工作负载

AMD宣布，Alveo V80计算加速卡已进入量产阶段，这是针对内存密集型工作负载的最新高性能计算（HPC）产品。作为基于FPGA的加速器，Alveo V80有望通过极具竞争力的性能和定价来争夺严重依赖内存利用率的中端工作负载市场，被HPC、数据分析、金融、网络安全和存储应用领域大规模采用。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-18 16:09

台积电准备HBM4基础裸片：将采用N5和N12FFC+工艺制造

上个月，SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。据了解，台积电将生产用于HBM4的基础裸片（Base Die），这是双方针对搭载于HBM封装内最底层的基础裸片优化工作的一部分。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-17 12:19

国内HBM开发取得进展：两家存储器制造商跟进，目标2026年生产HBM2

近年来高带宽内存的需求急剧上升，随着人工智能（AI）热潮的到来，让这一趋势愈加明显。三星、SK海力士和美光是HBM市场的三大巨头，目前都在加速开发新产品，并积极地扩张产能。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-16 14:59

三星HBM3E尚未通过英伟达验证，卡在台积电审批环节

此前有报道称，美光、SK海力士和三星先后在去年7月底、8月中旬、以及10月初向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品。其中美光和SK海力士的HBM3E在今年初已通过英伟达的验证，并获得了订单。

吕嘉俭 | 发布于2024-05-14 14:04

SK海力士加速推进HBM4E：最早或2026年完成开发

为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。