关于 NAND闪存 的消息
SK海力士公布2024Q2财报：季度收入创历史新高，NAND闪存连续两季度盈利
近日，SK海力士（SK hynix）公布了截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告，季度收入创历史新高，营业利润自2018年以来重回5万亿韩元水平。SK海力士称，时隔一个季度债务减少了4.3万亿韩元，将以稳定的财务结构为基础，巩固面向人工智能（AI）的存储器全球领先的地位。
三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟
今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。
消费性电子需求持续不振，预计NAND闪存价格2024Q3涨幅缩窄至5-10%
TrendForce针对2024年第三季度NAND闪存的价格趋势，发布了新的调查报告，表示除了企业端持续投资服务器建设，尤其Enterprise SSD受惠AI扩大采用继续接收订单，消费性电子需求持续不振，加上原厂下半年增产幅度趋于积极，供过于求比例上升至2.3%，NAND闪存均价涨幅将缩窄至5-10%。
铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图：目标2027年实现1000层堆叠
进入2024年后，存储芯片价格的上涨势头持续，铠侠（Kioxia）选择结束了自2022年10月起开始施行的NAND闪存减产策略，将生产线的开工率重新提升至100%。与此同时，铠侠也在推进其技术开发计划，尝试在存储单元上堆叠更多的层数，目标直指1000层。
铠侠结束NAND闪存减产，工厂开工率已恢复至100%
在2022年末，各大DRAM和NAND闪存芯片制造商都先后选择了减产，人为限制产能输出，从而遏制价格下跌，弥补亏损缺口。经过了长时间的努力，2023年末已初见成效，结束了长时间供过于求的局面，进入2024年后，DRAM和NAND闪存芯片价格的上涨势头持续。
西数介绍BiCS8 2Tb QLC NAND闪存芯片：拥有业界最高密度
近日，西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存，这是目前业界最高密度的闪存芯片，将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术，非常地小巧，可以放在指尖上。
NAND闪存产业2024Q1营收季增28.1%，增长趋势将延续到第二季度
TrendForce发布了2024年第一季度NAND闪存市场的报告，显示产业收入环比增长28.1%，营收达147.1亿美元。这主要得益于人工智能（AI）服务器自今年2月起扩大了企业SSD的采购，大容量订单涌现，同时PC和智能手机客户因为价格上涨，调高了库存，从而带动了NAND闪存量价齐升。
2024Q2存储产品价格涨幅扩大，DRAM和NAND闪存可达18/20%
TrendForce针对2024年第二季度DRAM和NAND闪存的价格趋势，发布了新的调查报告，表示两者不但会延续过去多个月的增长趋势，而且涨幅扩大。其中DRAM合约价季涨幅将达到13~18%，而NAND闪存的合约价季涨幅将扩大至15~20%。
三星宣布投产第九代V-NAND闪存：存储密度较上代提升了50%
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。
美光宣布量产232层QLC NAND闪存，将供应给客户端和数据中心产品
美光宣布，已开始量产232层QLC NAND闪存，并已经在选定的关键SSD中发货。除了消费客户端产品外，还会向企业存储客户及OEM厂商提供对应的产品，比如Micron 2500 NVMe SSD。
受益于SSD价格持续上涨，三星和SK海力士在NAND闪存业务或再盈利
随着过去一年多里存储器供应商的连续减产策略取得成效，存储产品的价格正在反弹。上个月有报告称，2024年第二季度DRAM和NAND闪存在价格方面都会延续过去多个月的增长趋势，其中NAND闪存会表现得更为强势，合约价将上涨约13~18%。此前西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。
三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
西部数据确认HDD和NAND闪存短缺，警告合作伙伴价格将上涨
据TechNews报道，西部数据已发出正式的客户信函，通知其合作伙伴将上调NAND闪存和HDD产品的价格。西部数据还确认旗下NAND闪存和HDD产品都出现了供应短缺，本季度将继续调整价格，其中一些变动将立即生效。西部数据表示，人工智能（AI）市场的蓬勃发展是需求激增的原因，超出了原来的预期，导致供应紧张。
铠侠目标1000层3D NAND闪存：计划2031年量产“千层面”
目前全球每天产生的数据量是非常庞大的，通过HDD和SSD存储在大容量的服务器和数据中心里，不过SSD在读/写速度、能耗和设备尺寸上都优于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD单位成本的扩展，其中一个原因归功于在存储单元上堆叠更多的层数。
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