美光同时还公布了2023财年的财报，显示营收为155.4亿美元，相比于上个财年的307.6亿美元大幅度下降，减少了49%；DRAM产品的营收减少了51%，跌至110亿美元，占美光总收入的71%；NAND闪存产品的营收减少了46%，跌至42亿美元，占美光总收入的27%；净亏损约为58.3亿美元，上一财年净利润为86.9亿美元；每股摊薄亏损为5.34美元；上一财年每股摊薄收益为7.75美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，库存负担已大幅减轻，除了数据中心制造商外，目前其客户的订购量已反映了消费端的需求，在部分细分领域，个别厂商正在增加每种产品的订单量和库存量。预计PC和智能手机明年都将恢复增长，不过增幅只是在个位数的中低水平，存储芯片市场在2024年将迎来复苏。

与一般的Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。虽然美光在Pro系列内存上更多地遵循JEDEC规范，而且看起来更倾向于专业类型产品，不过设计上也针对游戏玩家。

这次Crucial Pro DDR5-6000 48GB（24GB x2）套装的时序CL为48-48-48，运行电压仅为1.1V，相比于许多同频率的产品的1.35V电压更低一些，这意味着可能会有更高的超频潜力。

与AI服务器需求旺盛相比，通用服务器的订单和出货量迟迟没有回暖，Enterprise SSD采购量承压，全年采购位元量估计会低于去年。供应商只能下调产能，减缓库存的增长，而客户库存仍处于高位，导致采购动能不足，预计2023年第三季度全球Enterprise SSD均价将环比下跌约15%，可能会出现旺季不旺的境况。

三星作为Enterprise SSD最主要的供应商，受到通用服务器需求下滑冲击最为明显，2023年第二季度里Enterprise SSD营收约为5.3亿美元，环比减少34.1%，市场占有率为35.2%；SK海力士（包括Solidigm）营收环比减少了18.3%，约为3.7亿美元，市场占有率为24.9%，正视图通过价格优势扩大市场占有率；美光受惠于SATA SSD稳定的订单，加上采用176层NAND闪存的SSD开始大量供应，相比其他厂商下滑幅度较小，环比仅减少1.8%，市场占有率为14.3%；铠侠也开始大量供应PCIe 4.0 SSD，营收约为2亿美元，环比减少34.1%，市场占有率为13.6%；西部数据环比减少20%，营收约为1.8亿美元，市场占有率为12%。

资金当然是来自《美国芯片法案》的520亿美元预算，这意味着美光和英特尔一样，希望能说服政府，获得比竞争对手更多的资金份额。此前英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）就表示，英特尔的重要研发工作都在美国本土完成，而且在此处拥有规模庞大的自有工厂，应该拿到更多补贴才对。

英特尔和美光的做法也引来了争议，有人认为《美国芯片法案》的资金主要来自于纳税人，在半导体市场疲软的趋势下，这些半导体企业以包括扩大产能等各种理由申请大量补助资金，其实是让别人掏腰包去填补其自身的业绩亏损。

2021年10月，美光宣布在未来十年内，计划在全球范围内投资超过1500亿美元，用于内存制造和研发，包括提高晶圆厂的产能，以满足内存不断增长的需求。美光认为，内存和存储芯片在全球半导体行业中所占的比重正不断增长，目前约占半导体市场的30%份额。

CZ120内存扩展模块提供了高达36GB/s的带宽，相比于一般相同容量的DDR5-4800 RDIMM（带宽为38.4GB/s）只是稍慢一些。目前AMD第四代EPYC服务器处理器（代号Genoa）支持12通道DDR5-4800内存子系统，提供高达460.8GB/s的带宽，而英特尔第四代Xeon服务器处理器（代号Sapphire Rapids）支持8通道DDR5-4800内存子系统，提供高达307.2GB/s的带宽。一般情况下，这些处理器都具有足够的带宽，但某些工作负载需要更大容量的内存和更高的带宽，比如数据库软件，这时候CZ120内存扩展模块就能发挥作用了。

据美光的介绍，如果在一台配备12条64GB DDR5内存的系统上增加四个256GB的CZ120内存扩展模块，可以使服务器处理器的内存读写带宽提高24%，而且多出的内存容量可以让其每天多处理96%的数据库查询。

美光表示，一直使用英特尔和AMD的平台开发和测试CZ120内存扩展模块，希望通过其产品创新与CXL生态系统的合作，让新标准更快地被接受，以满足数据中心及其内存密集型工作负载不断增长的需求。美光暂时还没有透露CZ120内存扩展模块的具体定价，以及出货计划，估计要等各方完成验证和认证工作后才能进行，应该要等到2024年。

据TomsHardware报道，美光希望继续保持在DRAM市场的领先优势，已经计划在2024年上半年量产32Gb DDR5芯片，为打造1TB大容量内存模块奠定基础。尽管美光没有透露新款DRAM芯片的数据传输速率，不过考虑到这是第三代DDR5内存模块，频率应该会进一步提升。

32Gb DDR5芯片将采用美光去年推出的1β（1-beta）工艺节点生产。这是目前美光在存储芯片上最先进的半导体工艺，有可能是其最后一个没有采用极紫外（EUV）光刻技术的制造工艺，此前已经向特定的智能手机制造商和芯片组合作伙伴运送了DRAM芯片样品。

与行业内很多企业不同，美光不打算在短期内全面使用极紫外（EUV）光刻技术来生产存储芯片，而是继续使用深紫外（DUV）光刻技术，同时在1β工艺节点上使用了其第二代HKMG技术，美光称，新工艺节点的能效提高约15%，位密度提高了35%以上。

32Gb DDR5芯片首先会用于数据中心的内存模块，这是对内存容量需求最为迫切的地方。据了解，美光明年首先会提供128GB的DDR5内存模块，然后再推出192GB和256GB的产品。512GB和1TBDDR5内存模块暂时还没有安排，不过有可能提前向特定客户提供。

下调的主要原因是，以存储器为主的半导体制造商在设备投资方面的恢复速度比预估的要更慢些。目前全球排名前三的存储器制造商为三星、SK海力士和美光，其中三星在今年宣布减产，其余两家在更早之前就执行了，普遍产品减产20%至30%。同时半导体市况不景气，全球通胀及消费放缓让手机和PC等消费终端需求下滑，半导体制造商设备投资的意愿减弱。

不过日本半导体制造设备协会对2024年度的预期较为乐观，认为存储器制造设备和逻辑IC的晶圆代工设备的投资将会复苏，新款CPU和以ChatGPT等生成式人工智能应用扩大使得数据中心投资加大，同时手机和PC等消费终端需求也会恢复增长，预计2024年度的销售预期按年增长10%。

美光官方称该产品为“世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD”，采用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭载了群联电子的E26主控芯片，支持NVMe 2.0，带有4GB独立缓存，针对高性能游戏、图片和视频编辑设计，合作伙伴还包括有AMD、英伟达和华硕。其特点如下：

连续读/写速度高达12400MB/s和11800MB/s。

接近于PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍

提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是针对游戏和UHD/8K+视频

与英特尔第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列处理器相兼容

向后兼容PCIe 3.0/4.0

采用美光232层TLC NAND闪存

提供了被动散热器，同时也会有不配备散热模块的产品销售

利用微软DirectStorage技术可减少游戏纹理的加载时间

使用TCG Opal 2.01进行了硬件加密，保证存储安全

目前市面上销售的PCIe 5.0 SSD，连续读/写速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe 5.0 SSD的12.4GB/s和11.8GB/s显然要更快一些。由于美光放弃了主动散热解决方案，用户不必担心运行时会产生不必要的噪音。美光表示，搭配的散热器做了优化设计，挑选了针对性的材料，配有镀镍铜底板和铝制散热模块，表面是光滑的，以最大限度提高空气的流通，不过4TB容量暂时还没有搭配散热器的版本出售。

近日，美光公布了2023财年第三财季财报，在财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra确认美光明年会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，不过没有分享其中的细节，比如GDDR7的具体速率。

在图形方面，行业分析师继续预计图形的TAM复合年增长率（CAGR）将超过更广泛的市场，这得益于客户和数据中心应用的支持。我们预计客户的库存将在第三季度恢复正常。我们计划在2024年上半年在我们行业领先的1ß节点上推出我们的下一代GDDR7产品。

目前市场上销售的产品里，GDDR6最高的速率为20 Gbps（Radeon RX 7900系列），美光为英伟达GeForce RTX 40系列提供的GDDR6X最高达到22.4 Gbps（RTX 4080）。去年三星曾表示，计划推出速率达36 Gbps的GDDR7产品，不过没有提及具体的时间表。如果按照显存位宽为384位计算，36 Gbps的GDDR7可以为显卡提供1.7 TB/s的最大理论显存带宽，比现在的旗舰产品RTX 4090高出70%左右。

现有的GDDR6使用了NRZ/PAM2信号编码机制，速率从14 Gbps起步，而英伟达和美光合作共同开发的GDDR6X使用了PAM4信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

美光预计2023财年第四财季的营收在39亿美元左右，与市场预期值基本一致，每股摊薄亏损为1.34至1.41美元。美光在2023财年第三财季的资本支出为13.8亿美元，前三个财季累计资本支出为62.15亿美元，预计整个2023财年的资本支出约为70亿美元，这意味着第四财季的资本支出规模会缩减。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra称美光在2023财年第三财季的收入、毛利率和每股收益均高于指导区间的平均值，认为存储器行业已经度过了收入的低谷期，随着行业供需平衡的逐步恢复，预计利润率将有所提升。Sanjay Mehrotra也承认，网信办对美光作出不予通过网络安全审查的结论是一个重大的“逆风险”，中国大陆和香港的收入占其全球收入的四分之一，其中一半面临风险影响。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

美光两个阶段的投资总额在8.25亿美元，并会在未来数年内创造多达5000个直接在美光工作的新岗位，另外还有15000个社区工作岗位。根据印度政府的补贴政策，美光会从印度中央政府获得项目总成本50%的财政支持，同时从古吉拉特邦获得项目总成本20%的奖励。这意味着美光自身加上政府机构的补助，总投资额将达到27.5亿美元。

美光全球封装和测试运营高级副总裁Gursharan Singh表示，该项目是美光与印度政府官员进行了长达一年多的讨论才决定的，新工厂将专注于将晶圆转化为球栅阵列（BGA）集成电路封装、存储模块和固态硬盘。

美光移动业务部副总裁兼总经理Mark Montierth表示：“美光最新的移动解决方案将我们一流的UFS 4.0技术、独有的低功耗控制器、232层NAND闪存和高度可配置的固件架构紧密结合在一起，提供了无与伦比的性能。这些技术将美光置于提供客户所需的性能和低功耗创新的最前沿，从而为旗舰智能手机提供卓越的用户体验。”

美光的UFS 4.0闪存提供了三种容量，分别为256GB、512GB和1TB，这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。

美光表示，2023年下半年将开始批量生产UFS 4.0存储产品，为移动生态系统提供高性能移动闪存，以助力下一波5G和人工智能的创新与设备体验。

96GB DDR5-4800 RDIMM可以满足AMD第四代EPYC服务器处理器的要求，比如可用于Supermicro 8125GS，这是一个高性能计算、人工智能和深度学习培训以及工业服务器工作负载的优秀平台。

美光公司计算产品部副总裁兼总经理Praveen Vaidyanathan称，提供大容量内存解决方案，能为计算密集型工作负载提供合适的性能，而这次推出的内存模块为客户建立了一个新的优化总拥有成本的解决方案，加上与系统供应商的密切合作，可以利用各自的优势，为客户提供最新的内存技术，以解决最具挑战性的数据中心需求。

今年不少内存厂商开始提供单条容量为24GB、48GB和96GB的DDR5内存，这意味着内存容量将改变过往以2次幂递增的历史。这类产品被认为是新一代服务器和工作站的最佳选择，因为系统可以更为精确地平衡内存容量和处理器内核数量，增大内存容量的同时，还可能带来更低的成本。