坏消息2020年12月初，美光在中国台湾的晶圆厂遭遇了两次生产中断。12月3日，美光位于桃园市附近的11号晶圆厂突然停电，持续了一个多小时，导致工厂瘫痪。随后，中国台湾东北沿海发生6.7级地震，迫使美光在12月10日将其桃园附近的11号晶圆厂和台中附近的16号晶圆厂生产下线。美光在12月4日的时候表示，停电的影响微乎其微，11号晶圆厂将在随后几天内恢复正常运行，12月11日又发表报告称，16号晶圆厂没有发现问题，显然这两次生产中断足以影响美光本季度DRAM的供应。

由于美光没有提供足够清晰的数据，因此目前不能确定美光出货量的减少对整个DRAM价格的影响有多大，也不清楚是否已经将其计入当前的价格中。同时美光表示，DRAM的需求在逐渐增加，定价也在逐渐增加。事实上，虽然晶圆厂的生产中断让美光损失了不少钱(设备闲置时会带来损失)，但价格的上涨和需求的增长让美光卖掉现有库存就能获利。

好消息在美光2021财年第1季(截至2020年12月3日)约57.73亿美元的营收中，DRAM业务占了70%，也就是40.56亿美元。图形内存又在其中占了一部分，这是一个可以带来可观的利润的高利润业务。在本季度，美光开始出货GDDR6X显存以及HBM2E显存，由于AMD、微软、英伟达和索尼的产品都使用了8GB到16GB的GDDR6新产品，使得美光在夏季和秋季大幅增加了GDDR6的出货量。

面临的问题个人电脑、游戏机、显卡、服务器和智能手机的强劲需求明显增加了对内存的需求，从而推动了DRAM的价格。 问题是，供应链中断导致特定组件的短缺，这种需求无法得到满足，反过来这些短缺限制了对内存等产品的需求，要不是内存的总体产量还能更高一些。 

事实上，封装组件的短缺影响了AMD、苹果和英伟达等公司的供应，显然限制了DDR4、GDDR6/GDDR6X和LPDDR4X的需求。美光负责人在电话中强调，其公司在2021财年第1季度还没有面临化学品或耗材的短缺，然而他承认，现在的半导体行业在生产供应链上存在问题。

美光桃园林口长昨天下午大概停电了1小时，本次停电并非又地震、火灾等外部因素引起，目前厂区设备在恢复供电后已经正常运作，预计几天内会恢复产能。美光在桃园林口厂区主要以生产DDR4和LPDDR4为主，从第三季的生产状况来看，1X nm工艺的占了70%，1Y nm工艺的占20%，是美光的DRAM生产重镇，月产能12.5万片，占全DRAM总产能的10%，本次停电必然会对还在生产线上的晶圆造成影响，损失还在评估中。

实际上前段时间才传出由于DRAM的出货价疲软，各个生产厂有打算控制产能让价格走稳的消息，现在美光就来玩这个，这事情对DRAM市场的影响应该不小，有趣的是这消息出来后美光的股价涨了2%，就是因为可能有利于DRAM内存的定价。

GDDR6X的关键创新是四级脉冲幅度调制（PAM4）信令，可在不增加SGRAM功耗的情况下显着提高性能。GDDR6X存储器使用PAM4多级信令技术，实现了前所未有的每引脚21 Gbps数据速率以及每个芯片高达84 GB/s的带宽。

图片来自美光

GDDR6内存（及前几代）使用二进制不归零（NRZ或PAM2）信令接口，但是这种方案在时序和功耗方面有其局限性。GDDR6X切换到新方案，PAM4每个周期使用四个信号电平发送两个数据位，因此与PAM2/NRZ相比，任何工作频率下的有效带宽都增加了一倍。而且，更复杂的信令将使GDDR6X的性能进一步提高，每引脚超过21 Gbps。

PAM4调制的使用改变了整个内存子系统的工作方式，美光科技增加了其存储芯片的复杂性，而NVIDIA必须设计一个全新的存储控制器以及全新的PHY。很明显，英伟达的GeForce RTX 3080和3090图形卡具有更为复杂的PCB设计。不过，得益于使用全新的GDDR6X显存，RTX 3090拥有高达1TB/s的带宽，远远高于RTX 2080 Ti所提供的616GB/s。

videocardz找到了一份美光的文档，当中提到了HBMnext的事情，这个名字是美光临时给它安的，不知道最终会叫HBM2的其他版本还是直接叫HBM3。预计美光会生产4堆栈8Gb、8堆栈16Gb等各种符合JEDEC标准的HBMnext芯片，速度预计能到3.2Gbps，现在NVIDIA的A100计算卡用的HBM2e的速度是2.4Gbps，而AMD Radeon VII上的HBM2则跑2Gbps。

美光预计HBMnext的上市时间是2022年年底，而Intel Xe-HP和AMD Arcturus这些专业卡大概在明年就会推出，他们虽然也会使用HBM显存，但不会是HBMnext。

美光2300系列SSD提供从256GB~2TB一共四种容量版本，其中512GB及以上的使用美光自产的96层TLC颗粒，而256GB使用的是64层的。官方标称的顺序读写速度分别为3300/2700 MB/s，除了256GB版本外其他三种容量版本均可以达到标称的速度。随机性能方面，最强的2TB有430K/500K IOPS的随机读写性能，1TB版本和512GB的随机读取性能稍弱一些，分别为400K/225K IOPS，而256GB版本则为210K/355K IOPS。寿命方面，256GB版本为150TBW，其余版本依次提高一倍，为300TBW、600TBW和1200TBW。2300全系列支持NVMe 1.3标准，是未来高性能的OEM盘之选。

美光2210系列SSD是2200系列的升级版，仍然使用的是来自美光原厂的QLC颗粒，提供从512GB~2TB一共三种容量版本。该系列提供着廉价、大容量的SSD选择，性能方面也能够满足用户的日常使用。性能方面，三版本都能提供最高2200MB/s的持续读取速度，512GB版本的写入要差一些，仅为1070MB/s，其余两个版本均为1800MB/s。因为有NAND的天生优势，随机性能要好看一些，但仍然受限于QLC的规格。寿命方面，512GB版本提供180TBW，其他两个版本依次翻倍，为360TBW和720TBW。

美光的SSD产品多见于OEM市场，通过英睿达这个子品牌面向一般消费者，我们未来可能会在笔记本等OEM产品中看到这两款新SSD的身影。

据DigiTimes报道，有知情人士称，存储器制造商美光（Micron）正在对其台湾工厂的1znm DDR4 DRAM生产线进行大量投资。1znm工艺是存储器行业中最新的节点尺寸，具有更高的密度，更高的效率和更快的速度。

据报道，在这个1znm的生产增长阶段，美光专注于生产用于台式机和笔记本电脑的16Gb颗粒的DDR4内存产品，生产在台中进行。同时，美光还计划在其桃园工厂推动1ynm内存产品的批量生产，美光在广岛的工厂现在致力于生产用于移动平台的低功耗内存产品。 预计该公司还将在1znm节点上生产其大部分早期DDR5产品，不过暂时美光的主要重点仍然是DDR4。

1znm工艺属于10nm级工艺，但10nm级工艺并不是10nm制程，这是由于20nm节点之后DRAM的工艺升级变得困难，所以DRAM内存工艺的线宽指标不再那么精确，于是有了1xnm、1ynm及1znm之分，简单来说1xnm工艺相当于16-19nm，1ynm工艺相当于14-16nm，1znm工艺大概是12-14nm级别，而在这之后未来还有1α及1β工艺等待被研发和应用。

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。

集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。

DRAM均价小涨带动原厂第一季获利能力提升第一季因疫情导致出货受阻，「价涨量缩」的情况下，三大DRAM原厂第一季营收均呈现小跌，三星跌幅约3%、SK海力士约4%，美光则约11%（本次财报季区间为2019年12月至2020年2月）。市占方面，三星约44.1%、SK海力士为29.3%，美光则为20.8%。展望第二季，由于产能规划大致相同，因此集邦咨询预期市占比例不会有太大变化。

三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。

三大原厂产能规划保守，资本支出续降观察各厂产能与技术能力，三星持续将部份产能(Line13)由DRAM转向图像传感器(CMOS image sensor)，不过平泽二厂预计下半年投入DRAM生产，弥补Line13的投片下滑，同时提高1Z制程的比重。整体而言，考量疫情对需求面的冲击，三星审慎规划产出，2020年产能增加幅度不高；SK海力士持续将M10厂的DRAM投片转向图像传感器，并增加M14的产出，另将于下半年小幅提高无锡厂的产能。但全年的整体产能增加幅度不高，主要由1Y纳米制程比重提升贡献；美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。

整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。

台厂重心皆为先进制程的研发与转换南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

尽管营收表现分歧，但台厂今年重心都在下一代制程的研发，如南亚科宣布不使用美光授权后专注于1A/1B纳米，华邦持续提升25纳米新制程的良率和产品多样性，力晶则专攻25纳米DDR4产品的稳定度与兼容性。

HSE可以驱动各类数据库应用，还有在高性能计算、大数据、IoT和AI等领域中也能够起到相当有效的作用。随着新闻稿的发布，美光也同步将这套系统开源到GitHub上去了，页面上还给出了它在业界标准测试中产生的对比数据。

可以看到当MongoDB切换到HSE作为引擎之后，其性能有大幅度的提升，而面对Facebook家的RocksDB时它也有很大的优势。

由于3D XPoint等存储级内存或者叫持久性内存在性能上有很大优势，但又较为昂贵，如果能更好的利用它的长处来为整个存储系统做贡献，那收益还是相当可观的，这套HSE引擎就是采用了这种理念。

Crucial P5没有像之前的Crucial P1那样使用QLC闪存，而是TLC的，所以性能不会像之前的P1那样糟糕，它的最高连续读取速度可达3400MB/s，最大连续写入速度是3000MB/s，250GB的写入速度只有1400MB/s，速度相当之快，非常适合高性能游戏PC和创作者PC，SSD支持动态写入加速技术，据我猜测应该就是动态SLC Cache，。

Crucial P5的写入质保是150 TBW到1200 TBW，平均无故障时间180万小时，保修期5年，并配送数据转移软件“Acronis True Image for Crucial”。

英睿达P2系列相比英睿达P1系列在顺序读取性能上小有提升，拿500GB的版本来说，500GB版本的英睿达P1可以提供高达1900MB/s的连续读取速度，而500GB版本的英睿达P2可以提供高达2300MB/s的连续读取速度。不过需要注意的是，从美光公布的数据来看，250GB版本的英睿达P2在顺序写入性能上要比500GB的还要高，500GB版本的英睿达P2顺序写入性能为940MB/s，而250GB版本的英睿达P2顺序写入性能为1150MB/s。而关于英睿达P2系列的随机读取性能，美光这次并未公布。

对于QLC颗粒的固态硬盘来说，其使用寿命应该是用户最关心的，与英睿达P1一样，英睿达为P2系列提供5年有限质保。该品牌还为P2系列SSD提供两个软件：用于SSD监控和优化的Crucial Storage Executive和用于系统迁移的Acronis True Image。英睿达P2 250GB和500GB SSD在英睿达网站上的售价分别为54.99美元和64.99美元。 

原本美光在DRAM技术上并不落后于其他两家，不过前几年他们将研发重点转移到了GDDR5X和HMC上，这两类产品的失败让美光的研发出现了短暂的滞后，在转移路线后他们很快推出了自己的GDDR6产品，但HBM2却不见踪影。

由于能够提供高速、充足的带宽，HBM2被高性能计算市场所青睐，比如各类为AI技术服务的NPU，还有用于计算市场的大规模GPU，都需要HBM2作为内存。美光因为之前的路线错误而在这方面损失了不少市场份额，在两年之后，他们终于要推出自家的HBM内存了。

不过美光并没有在本次财务会议上面公布他们HBM2内存的规格，但可以肯定的是，他们的HBM2显存将会基于自家的第二代或第三代，也就是1y或1z nm工艺来生产。

在结束了与美光在NAND和3D XPoint上的合作关系后，Intel还卖掉了它在3D XPoint生产工厂中的股份，这使得它不得不向美光购买3D XPoint的产品，这种供应关系已经持续了很长时间，但Intel尚未将3D XPoint转移至大连的Fab 68进行生产，所以他们仍没有独立的3D XPoint生产能力。

但Intel似乎也没有在傲腾，也就是他们的3D XPoint产品上面挣到钱。有分析师认为Intel于2017年和2018年在3D XPoint产品上面分别损失了20亿美元，在2019年损失了15亿美元。这也就是说，虽然傲腾的定价很高，但实际上它的利润空间可能非常有限。

美光虽然坐拥工厂，但仍然只是纸面发布自己的3D XPoint产品，并没有太多推动3D XPoint产品市场化的举措。而Intel就不一样了，他们在继续推动3D XPoint，在推出基于3D XPoint的傲腾SSD之后他们还继续推出了使用3D XPoint做缓冲介质的混合SSD和以DIMM为接口形式的傲腾非易失性内存，并且在自家的处理器上面加入了相对应的支持。这些举措表明Intel相信3D XPoint将会有更大的舞台，因此花更大的价钱向美光买供应也是可以理解的了。

美光uMCP5已双通道排列方式将12GB LPDDR5内存、256GB UFS闪存以及主控打包在一起进行封装，LPDDR5内存采用了其第二代10nm工艺技术制造，闪存方面则是没有公布更多信息。

美光将内存和闪存打包封装之后，一个很直接的效果就是减少了相关元器件的空间占用。据美光公司透露的数据，uMCP5的空间比独立的LPDDR5内存以及UFS闪存的占用空间少了40%。此外，美光还表示，相较于上一代解决方案，uMCP5的存储以及存储带宽也都增加了50%。

在5G网络的逐步普及、手机硬件堆料越来越疯狂的情况下，如何减少元器件的内部占用空间则是成为行业需要思考的一个问题。美光通过把内存和闪存芯片打包的方式来释放这些元器件所需要的空间，面向中端5G机型。而高端机型，则是可以以PoP的方式把SoC以及RAM封装在一起。

除了压缩空间之外，美光uMCP产品的出现也将满足手机对于LPDDR5内存以及更高规格闪存的需求，特别是在5G手机逐渐普及以及相机硬件变得更为强大的情况下。

美光的DDR5技术文档也得以让我们一窥DDR5内存的特性。首先，在同样的等效频率下，DDR5内存能够提供更高的有效带宽，比如同样处于3200MT/s下，DDR5-3200的有效带宽比DDR4-3200的要高出36%；其次是DDR5（在JEDEC标准范围内）的等效频率能够去到更高，可以达到DDR5-6400，而在DDR5-4800时，其有效带宽就已经是DDR4-3200的1.87倍了。

最近几年CPU的核心数在显著的增多，不止是服务器端，桌面端在Coffee Lake和Zen、Zen 2的推动下也是有越来越多的核心，核心数是多了，但是内存带宽仍然只有这么点，这使得每个核心在同时间可以吃到的内存带宽在减少，这将给处理器整体的性能带来负面影响，目前在桌面端它表现的还不是非常明显，可能也就是Ryzen 9 3950X这种用着双通道DDR4内存的16核处理器上能够看到。

美光还在计划新的工艺节点，在目前的1z nm节点之后，他们规划了1α、1β和1γ，将继续提升内存的存储密度，这也将是DDR5的一个重要特征。