首批英睿达Pro系列内存分为DDR4-3200和DDR5-5600两种规格，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。另外与之前Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。

新款Pro系列DDR5-5600内存的工作电压为1.1V，时序为CL46-46-45-45，DDR4-3200内存的工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22-22，相比于许多同类产品并不是十分突出。

美光在去年改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。这并不意味着美光放弃自有品牌内存，这次推出了英睿达品牌的Pro系列内存，进一步拓展了产品线，未来可能会带来更多或更为高端的发烧级内存产品。

此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，成立于1978年，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。

此前，网信办在2023年03月31日晚上20时30分发布公告，表示为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据国家安全及网络安全方面的法律法规，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司在华销售的产品实施网络安全审查。

不过在去年，美光改变了消费市场的销售策略，选择将重点放在英睿达品牌上，结束了Ballistix/铂胜品牌内存的生产和销售。这并不意味着美光放弃自有品牌内存，这次就推出了英睿达品牌的Pro系列内存，涵盖了DDR4和DDR5产品，进一步拓展了产品线。

首批Crucial Pro系列内存分为DDR4-3200和DDR5-5600两种规格，均配备了黑色的散热模块，没有RGB灯效，不过前者为绿色PCB，后者为黑色PCB，这与之前基本款的Classic系列是一样的。另外与Classic系列不同的是，Pro系列内存支持官方超频技术，DDR4产品支持Intel XMP 2.0，DDR5产品支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO，为用户带来更强的性能。

新款Pro系列DDR5-5600内存的工作电压为1.1V，时序为CL46-46-45-45，DDR4-3200内存的工作电压为1.2V，时序为CL22-22-22-22，相比于许多同类产品并不是十分突出。DDR5-5600款提供了32GB（2x 16GB）套装，价格为114.99美元（约合人民币596.73元）。DDR4-3200款提供了32GB（2x 16GB）和64GB（2x 32GB）套装，价格为69.99美元（约合人民币363.21元）和价格为141.99美元（约合人民币736.85元）。

官方称该产品为“世界上最快的PCIe 5.0 NVMe SSD”，采用了PCIe 5.0 x4接口和M.2 2280外形，搭载了群联电子的E26主控芯片，支持NVMe 2.0，针对高性能游戏、图片和视频编辑设计，合作伙伴还包括有AMD、英伟达和华硕。其特点如下：

连续读/写速度高达12400MB/s和11800MB/s。

接近于PCIe 4.0 SSD的2倍，比SATA快22倍

提供了容量1TB、2TB和4TB容量，更多地是针对游戏和UHD/8K+视频

与英特尔第13代酷睿和AMD Ryzen 7000系列处理器相兼容

向后兼容PCIe 3.0/4.0

采用美光232层TLC NAND闪存

提供了被动散热器，同时也会有不配备散热模块的产品销售

利用微软DirectStorage技术可减少游戏纹理的加载时间

使用TCG Opal 2.01进行了硬件加密，保证存储安全

目前市面上销售的PCIe 5.0 SSD，连续读/写速度一般在10GB/s和9.5GB/s附近，T700系列PCIe 5.0 SSD的12.4GB/s和11.8GB/s显然要更快一些。由于美光放弃了主动散热解决方案，用户不必担心运行时会产生不必要的噪音。美光称，搭配的散热器做了优化设计，挑选了针对性的材料，配有镀镍铜底板和铝制散热模块，表面是光滑的，以最大限度提高空气的流通。

美光是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一，成立于1978年，其主要产品包括DRAM、NAND闪存、NOR闪存、SSD固态硬盘和CMOS影像传感器，总公司（Micron Technology, Inc.）设于美国西北部爱达荷州的首府博伊西。

几天前，美光公布了2023财年第二财季财报（截至2023年3月2日），季度营收为36.9亿美元，低于分析师预期的37.1亿美元，也低于上个季度的40.9亿美元及上一财年同期的77.9亿美元，同比下降53%；净亏损为23.1亿美元，上一财年同期净利润为22.6亿美元，每股摊薄亏损为2.12美元；运营现金流为3.43亿美元，上个季度为9.43亿美元，上一财年同期为36.3亿美元。

这是美光过去二十年来最严重的季度亏损，上一次出现如此规模的季度亏损是2003财年第二财季，当时净亏损为19.4亿美元。美光预计2023财年第三财季的营收在39亿美元左右，高于市场预期的37.5亿美元，每股摊薄亏损为1.51至1.65美元，也高于分析师预期的亏损0.84美元。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在充满挑战的市场环境中，美光第二财季的收入在美光的指导范围内，客户的库存状况正在好转，美光预计行业的供需平衡将逐步改善。美光对长期需求仍有信心，并正在审慎投资以保持其技术和产品组合的竞争力。

美光首席财务官Mark Murphy认为，美光即将迎来季度营收增长的转折点，接下来将专注于大幅提高盈利能力，而且会在2024财年内实现正向自由现金流。

美光同时宣布，除了高级主管减薪、全面停发2023财年年度奖金外，裁员的比例从整体员工数的10%提高至15%，而且2023年12月底之前不会补充空缺的岗位。此外，美光会进一步削减2023财年的资本支出，预计投资额在70亿美元左右，相比上一财年减少超过40%，其中晶圆厂设备的资本支出预计减少超过50%，2024财年很可能还会继续缩减。

3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

营收方面，三星2022年第四季度DRAM营收为55.4亿美元，环比下降25.1%，市场占有率为45.1%，依然牢牢占据市场份额第一的位置，相比第二名有明显领先；SK海力士2022年第四季度DRAM营收为33.98亿美元，环比下降35.2%，市场占有率为27.7%，排名第二；美光DRAM营收为28.29亿美元，环比下降41.2%，市场占有率为23%，排名第三。

产能规划方面，新完工的平泽半导体工厂P3L生产线今年第一季度已开始小规模试产，这是三星DRAM产能扩张的主力；SK海力士在去年第三季度宣布减产，今年第一季度产能利用率为92%，预计第二季度将下滑至82%；美光产能利用率为84%，预计2023全年将保持在相同水平。

据Boise State Public Radio报道，美光正在考虑进一步裁员，这次大概会减少5%的员工。去年美光首席执行官Sanjay Mehrotra已宣布，将通过自愿减员和裁员相结合，并减少外部招聘的方式进行裁员，2023年将员工人数减少约10%。加上这次的5%，也就是说美光的裁员比例达到了10%。美光全球员工数量大概在4.9万人，这意味着大概有7500人受到影响。美光的裁员将在2023年内分阶段进行，除非市场情况有大幅度的改善，对美光产品的需求有明显的回升。

此外，美光还要降低资本支出，涉及的范围不仅只在2023年，还有接下来的2024年，尽管美光对新工厂的建设充满期待，但不能不面对一系列的难题。目前美光已经将DRAM和NAND闪存的产量减少了20%，同时还放缓了技术节点过渡的时间，将1γ工艺节点延后至2025年。美光在232层3D TLC NAND上停留的时间比最初计划的要长，这可能会导致美光失去市场，拱手让给三星和SK海力士这样的竞争对手，而且也会被后来者追赶。

美光将在3月底公布2023财年第二财季财务，美光预计与上一季度相比，收入将减少约3亿美元。

除了裁员以外，美光还大面积降低了高管的薪金。资料显示首席执行官Sanjay Mehrotra的薪资将减少20%，执行副总裁降薪15%，资深副总裁降薪10%，名单内的高层奖金也会全暂停发放，同时董事会里非雇员成员的报酬也将减少20%。

除了本土以外，美国在全球其他地方近期都有裁员行动。美光在中国台湾地区近日也开始了裁员，这里有着美光最大的DRAM生产基地，员工总数约为1.1万人。据称美光这次是无预警裁员，通知后马上走人，预计2月底前会有大概1000名员工受影响。此外，美国在新加坡也开始了裁员，这里约有9000名员工。这次被裁减的主要是资历较浅的员工，整个裁员行动将持续到2月18日。

美光新一代DDR5内存符合DDR5-5200和DDR5-5600标准，工作电压为1.1V，延迟均为CL46。其中DDR5-5200的单条容量为8GB、16GB和32GB，DDR5-5600的单条容量除了传统的8GB、16GB和32GB以外，还有24GB和48GB提供给用户选择。

一般来说，24GB和48GB被认为是新一代服务器和工作站的最佳选择，因为系统可以更为精确地平衡内存容量和处理器内核数量，同时还可能带来更低的成本。比如构建工作站或HEDT平台，需要四通道或八通道DDR5内存，使用24GB的DDR5内存会比32GB更为便宜。由于支持XMP 3.0和EXPO技术，所以这些DDR5内存模块也是针对游戏玩家的产品。

美光暂时还没有提供这些DDR5-5200和DDR-5600内存的价格，以及具体的发售时间。由于2023年第一季度PC需求降低，DDR5内存的价格预计会下降18%到23%，美光甚至削减了内存芯粒的产品，以应对市场的变化。预计美光这些新的DDR5内存模块尽管有着更大的容量和更高的性能，但价格相对会比较便宜。

美光9400系列企业级固态硬盘采用美光176层3D TLC闪存颗粒，U3规格，向下兼容U2规格，支持NVMe 1.4协议与PCIe 4.0，工作电压3.3V，分为两个子系列：9400 Pro与9400Max。9400 Pro系列拥有7.68TB、15.36TB及30.72TB三个容量规格；9400 Max系列拥有6.4TB、25.6TB及12.8TB三种容量规格。

性能方面，9400系列企业级固态硬盘全系顺序读取速度均为7000MB/s，顺序写入速度也为7000MB/s；除30.72TB与25.6TB两个容量版本的随机读取性能为1500K IOPS外，其他容量版本随机读取速度均为160K IOPS。美光9400 Pro系列的随机写入速度为300K IOPS，Max系列6.4TB与12.8TB容量版本随机写入速度为600K IOPS，25.6TB版本随机写入速度为550K IOPS。

美光9400 Pro系列固态硬盘DWPD（每日全盘写入次数）为1，9400 Max系列为3。9400系列固态硬盘全系MTTF（平均失效时间）为两百万小时，工作环境温度为0-70度，提供5年质保。

美光表示9400系列企业级固态硬盘为数据中心、云服务器等环境设计，最大容量是上代的两倍，可实现更高的单位机架存储密度，并且效能提高77%，帮助企业节约成本，减少对环境的影响。

美光计算和网络业务部（CNBU）2023财年第一财季营收17.46亿美元，环比下降40%，同比下降49%；移动业务部门（MBU）营收10亿美元，环比下降23%，同比下降18%；仓储业务部（SBU）营收6.8亿美元，环比下降24%，同比下降41%；嵌入式业务部门（EBU）营收6.55亿美元，环比下降57%，同比下降66%。

美光表示将会通过减少资本支出、降低成本、减少晶圆生产量、减缓工艺技术节点转换进度等方式适应市场变化，之前报道的1β工艺节点也将延缓生产。

美光科技总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示

“尽管该财季的环境充满挑战，美光科技公布的第一财季营收和每股收益均在合理范围内。美光强大的技术、制造和财务状况使我们在应对近期环境方面奠定了坚实的基础，我们正在采取果断行动来削减供应和开支。我们希望改善客户库存，从而在下半财年实现更高的收入，并在我们度过这次低迷期后实现强劲的盈利。”

美光预计2023年第二财季实现营收38亿美元，上下浮动2亿美元；毛利率7.5%，上下浮动2.5%；运营费用缩减至10.85亿美元，上下浮动0.15亿美元。

该系列固态硬盘支持NVMe1.4协议，拥有2230、2242、2280三种规格，每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量。其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MB/s，最大顺序写入速度为2000MB/s，最大随机读取380K IOPS，最大随机写入为400K IOPS，TBW为150TB；512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取500K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为300TB；1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s，最大顺序写入速度为4000MB/s，最大随机读取550K IOPS，最大随机写入为600K IOPS，TBW为600TB。

美光通过优化进入与退出节能状态的过程，为控制芯片采用更先进的制程工艺，采用HMB（Host Memory Buffer）技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗，可使笔记本拥有更长的续航 。美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2.5mW，空闲功耗低于150mW，活动功耗低于5.5W。

目前已有包括长江存储，三星，SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存，估计很快会更多相应产品与消费者见面。