在这两天的FMS国际闪存会议上，多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术，国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术，SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术，这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进，堆栈层数达到了96层，TLC闪存类型，核心容量可达1Tb，U.2规格最高可做到64TB容量。

这次的FMS会议上，其实几家NAND厂商的技术都有个共同点，那就是在继续提高堆栈层数的同时尽可能提高NAND闪存的容量密度，减少外围电路所占的比例。SK Hynix的4D闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道，不知道其他厂商会不会跟进。

Anandtech网站直播了SK Hynix的发布会，简单来看下SK Hynix的4D NAND闪存都有什么好处吧。

SK Hynix有TLC及QLC两种规格，首款产品是512Gb核心的TLC闪存，96层堆栈，I/O接口速度1.2Gbps，移动封装尺寸为11.5x13mm2，可以取代两颗256Gb芯片，同时性能相近，这个闪存预计在今年Q4季度开始出样。

512Gb核心容量之外，下一步还有1Tb核心容量的TLC闪存，也是94层堆栈，IO速度1.2Gbps，BGA封装面积16x20mm2，，单颗最大容量2TB，U.2规格下SSD硬盘最大64TB，这种闪存预计明年上半年出样，

除了TLC类型还是QLC类型的，也是96层堆栈，IO速度也有1.2Gbps，核心容量能达到1Tb，SK Hynix的QLC闪存晶圆密度比TLC闪存高出20%以上，这种闪存主要用于取代HDD硬盘，预计明年下半年开始出样。

芯片面积方面，V5 4D NAND闪存的面积比目前V4 72层堆栈的3D NAND闪存低了30%，生产效率可提升20%。

性能方面，V5 512Gb的4D NAND TLC性能比V4 72层的3D TLC闪存高了25-30%，能效提升150%。

未来的4D NAND闪存还会发展到V6代，堆栈层数提升到128层，更远的未来还可以提升到2xx层甚至5xx层，不过这些就没什么时间表了