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    在这两天的FMS国际闪存会议上,多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术,国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术,SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术,这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进,堆栈层数达到了96层,TLC闪存类型,核心容量可达1Tb,U.2规格最高可做到64TB容量。

    这次的FMS会议上,其实几家NAND厂商的技术都有个共同点,那就是在继续提高堆栈层数的同时尽可能提高NAND闪存的容量密度,减少外围电路所占的比例。SK Hynix的4D闪存其实也是3D NAND,它是把NAND闪存Cell单元的PUC(Peri Under Cell)电路从之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND闪存,本质上其实还是3D NAND,4D NAND闪存有很强的商业营销味道,不知道其他厂商会不会跟进。

    Anandtech网站直播了SK Hynix的发布会,简单来看下SK Hynix的4D NAND闪存都有什么好处吧。

    SK Hynix有TLC及QLC两种规格,首款产品是512Gb核心的TLC闪存,96层堆栈,I/O接口速度1.2Gbps,移动封装尺寸为11.5x13mm2,可以取代两颗256Gb芯片,同时性能相近,这个闪存预计在今年Q4季度开始出样。

    512Gb核心容量之外,下一步还有1Tb核心容量的TLC闪存,也是94层堆栈,IO速度1.2Gbps,BGA封装面积16x20mm2,,单颗最大容量2TB,U.2规格下SSD硬盘最大64TB,这种闪存预计明年上半年出样,

    除了TLC类型还是QLC类型的,也是96层堆栈,IO速度也有1.2Gbps,核心容量能达到1Tb,SK Hynix的QLC闪存晶圆密度比TLC闪存高出20%以上,这种闪存主要用于取代HDD硬盘,预计明年下半年开始出样。

    芯片面积方面,V5 4D NAND闪存的面积比目前V4 72层堆栈的3D NAND闪存低了30%,生产效率可提升20%。

    性能方面,V5 512Gb的4D NAND TLC性能比V4 72层的3D TLC闪存高了25-30%,能效提升150%。

    未来的4D NAND闪存还会发展到V6代,堆栈层数提升到128层,更远的未来还可以提升到2xx层甚至5xx层,不过这些就没什么时间表了

     


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    • 超能网友等待验证会员 2018-08-10 10:04    |  加入黑名单

      超能网友 终极杀人王

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。
      2018-08-09 22:01 已有7次举报
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    • 该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      5#

    • 超能网友终极杀人王 2018-08-09 22:01    |  加入黑名单

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      4#

    • 超能网友终极杀人王 2018-08-09 20:21    |  加入黑名单

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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      3#

    • 游客  2018-08-09 16:52

      该评论年代久远,荒废失修,暂不可见。

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