2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预计投资240亿美元，分为三期建设，现在启动的是第一期，主要目标是生产3D NAND闪存，2018年将启动第二期建设，规划是上DRAM内存芯片，2019年启动第三期建设，主要目标是代工服务，产能也会越来越大，2020年目标是30万片晶圆/月，2030年则是100万片晶圆/月。

今年7月份的时候，紫光公司收购了新芯科技公司多数股份，成立了武汉长江存储科技有限公司（简称TRST），紫光公司控股一半多，董事长赵伟国也将担任长江科技公司的董事长，这个项目就变成了紫光公司主导了——当初收购美光的梦想无法实现，收购西数硬盘的事也黄了，不过紫光现在总算可以正式进军存储芯片领域了。

Digitimes援引业界消息称，长江存储公司最快2017年底正式推出3D NAND闪存，32层堆栈结构，也就是说明年我们就有可能看到真正国产的闪存芯片了。

新芯科技现在主要生产NOR闪存，而NAND闪存比NOR闪存技术难度要高，他们的技术来源是飞索半导体（Spansion）公司。考虑到与三星、Hynix、东芝、美光、Intel等公司的技术差距，国产3D NAND闪存32层堆栈的起点不低了，这几家公司研发多年，第一代3D闪存也不过是24层堆栈，32层堆栈的还算是主流，不过等到明年的时候，48层甚至64层堆栈的3D闪存恐怕也早就问世了。

根据之前的报道，新芯科技预计2018年推出48层堆栈的3D闪存，那时候虽然还是追不上最顶级的水平，不过差距应该会缩小很多，国产3D闪存还有追赶的机会。

存储器芯片国家基地去年确定落户武汉，由武汉新芯科技公司主导，预计5年内投资240亿美元，2018年开始投产，第一阶段主攻NAND闪存，技术来源是跟飞索半导体合作的3D NAND闪存，第二阶段主攻DRAM内存，第三阶段则为供应商服务，进入代工业。

如今该项目已经紫光吞下，成立了长江存储科技公司，赵伟国担任董事长，杨士宁担任总经理，这几天科技部长万钢考察了长江存储科技公司。在陪同介绍中，赵伟国表示长江科技在武汉新芯的基础上建立，以3D NAND闪存为切入点，5年内月产能将达到30万片晶圆。

赵伟国表示2020年长江科技将进入世界存储器企业第一梯队，该项目将为中国芯片自给率贡献8%——中国的目标是到2020年芯片自给率达到40%，以此计算，长江存储一个公司就会占到20%的产能。

万刚一行还参观了无尘间，杨士宁介绍说公司生产区域已有九台国产设备，其中四台已完全投入使用，剩下五台则处于生产验证阶段。