• 尔必达与飞索研发新NAND,容量更大速度更快

    Strike 发布于2010-09-03 11:11 / 关键字: charge-trapping NAND

      尔必达与飞索半导体最近宣布,他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存,这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术,与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。

      相比于floating-gate NAND闪存,charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强,内部结构更简单。其性能更加优秀,读写速度更加快。

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