SK海力士表示，其以量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E，并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，计划明年上半年开始将HBM3E投入量产。SK海力士希望通过HBM3，实现牵引AI技术革新的最高性能，持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位。同时随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大，加速SK海力士的业绩反弹。

据了解，SK海力士技术团队在HBM3E产品上采用了Advanced MR-MUF2最新技术，散热性能与上一代相比提高了10%。HBM3E还具备了向后兼容性，使用HBM3的客户无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

根据SK海力士说法，早在今年2月份，就已经将LPDDR5T的样品提供给了联发科进行测试。从描述的内容来看，很可能是天玑9300移动平台，预计会在今年年内发布。此前SK海力士曾透露，计划向客户提供容量为16GB的LPDDR5T样品，数据处理速度为77GB/s。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

据SK海力士介绍，24GB LPDDR5X DRAM封装产品依旧在JEDEC规定的1.01V至1.12V超低电压范围下运行，数据处理速度为68GB/s，相当于每秒可以传输13部全高清级别的电影。自上个月进入量产后，已供货给智能手机制造商OPPO，用于新款旗舰机型“一加 Ace2 Pro”，新品很快便会上市销售。

SK海力士强调：“公司将HKMG（High-K Metal Gate）工艺引入LPDDR5X 24GB封装产品中，可同时体现业界最高水平的能效和性能。此次将目前唯一的24GB高容量封装产品添加到公司移动DRAM组合中，今后可以更广泛地应对客户的要求。”

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，实现了积极的扩展和高效率。SK海力士DRAM营销担当副社长朴明秀表示，这类型内存不仅适用于移动设备，也将扩展到PC、服务器、高性能计算（HPC）和汽车等领域。

这次SK海力士带来的是321层1Tb TLC 4D NAND闪存，首次向外界展示了现阶段开发的样品，并会介绍开发的进展情况。SK海力士表示，会进一步完善321层NAND闪存，初步计划在2025年上半年进入量产阶段。据SK海力士介绍，321层1Tb TLC NAND闪存的效率比上一代238层512Gb提高了59%。这是由于数据存储的单元可以以更多的单片数量堆栈至更高，在相同芯片上实现更大存储容量，进而增加了单位晶圆上芯片的产出数量。

随着近期Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。SK海力士也在本次活动中，推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5.0接口的企业级固态硬盘（Enterprise SSD, eSSD）及UFS 4.0。SK海力士希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

此外，SK海力士还透露，正在积极开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。

财报显示，SK海力士在2023财年第二财季的收入为7.3059万亿韩元（约合56.98亿美元/人民币407.6亿元），同比减少47%，环比增长44%；营业亏损为2.8821万亿韩元（约合22.48亿美元/人民币160.82亿元），相比去年同期是由盈转亏，不过环比增长15%；净亏损为2.9879万亿韩元（约合23.3亿美元/人民币166.71亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少16%。同时营业损失率为39%，净损失率为41%。

SK海力士表示，用于AI的存储器需求强势将在今年下半年得到延续，半导体存储器企业的减产效果或将逐渐明显，今后将以HBM3、高性能DDR5和LPDDR5 DRAM等用于AI的存储器、基于176层NAND闪存的SSD为中心，持续提高销售业绩，从而加速改善下半年业绩。SK海力士还会提升第五代10纳米级（1b）DRAM和238层NAND闪存的初期量产良率和质量，在市况好转时快速提升量产比重。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，虽然SK海力士的投资规模同比减少50%以上的基调没有变化，但将利用通过经营效率化确保的资金，针对今后主导市场的高容量DDR5、HBM3 DRAM，持续投资扩大生产能力。此外，存储器半导体市场以第一季度为低点，开始呈现恢复态势。SK海力士将以高性能产品技术竞争力为基础，为快速改善业绩做出努力。

下调的主要原因是，以存储器为主的半导体制造商在设备投资方面的恢复速度比预估的要更慢些。目前全球排名前三的存储器制造商为三星、SK海力士和美光，其中三星在今年宣布减产，其余两家在更早之前就执行了，普遍产品减产20%至30%。同时半导体市况不景气，全球通胀及消费放缓让手机和PC等消费终端需求下滑，半导体制造商设备投资的意愿减弱。

不过日本半导体制造设备协会对2024年度的预期较为乐观，认为存储器制造设备和逻辑IC的晶圆代工设备的投资将会复苏，新款CPU和以ChatGPT等生成式人工智能应用扩大使得数据中心投资加大，同时手机和PC等消费终端需求也会恢复增长，预计2024年度的销售预期按年增长10%。

根据统计，半导体市场2023年第一季度的收入为1205亿美元，相比2022年第四季度下降了9%。 半导体市场是有周期性的，比如在2020年第四季度至2021年第四季度期间，随着全球处于疫情阶段，市场需求增加，经过了多个季度连续上涨。

内存和MPU是重灾区，直接影响了整个半导体市场的收入。2023年第一季度MPU市场的收入为131亿美元，规模仅为2022年第一季度（200亿美元）的65%。内存市场情况更糟糕，2023年第一季度的收入为193亿美元，规模仅为2022年第一季度（436亿美元）的44%。在2023年第一季度里，内存和MPU两个细分市场的收入合计下降了19%，拖累整个半导体市场环比下降9%。

过去三个季度里，存储器市场遭遇动荡也让市场份额排名出现了变化。 一年前，按收入计算的前五家半导体公司中有三家来自内存领域，分别是三星、SK海力士和美光，现在只有三星仍排在前十名。 上一次SK海力士和美光没有进入前十名是在2008年，这说明了以内存产品为重点的半导体公司现今所面临的困境。

过去一年里，存储器三巨头（三星、SK海力士和美光）先后决定减产，以稳定价格并控制库存水平，经过长时间的努力，业界普遍预计今年第三季度会出现反弹，需求将超过供应。据了解，服务器DDR5内存的出货比例已经从今年第一季度的10%增加到第二季度的30%以上，预计出货量按季度增加35%以上。

分析称，SK海力士的HBM类存储产品上领先于竞争对手，同时也是唯一一家大规模生产128GB容量DDR5内存的厂商，在这些市场领域里都拥有最大的市场份额，使其在这股人工智能浪潮中获益最多。

根据businesskorea的报道，SK海力士收到NVIDIA要求提供HBM3E样品的请求，目前正准备发货，现在SK海力士的HBM3E还处于开发阶段，副总裁朴明秀在今年4月的第一季度财报电话会议上透露，SK海力士准备在今年下半年实现8Gbps HBM3E的产品打样，并在明年上半年进行量产，通常来说，产品开发完成后，样品会送给用户进行评估。

现在SK海力士在HBM市场上是要领先于三星的，根据TrendForce的数据，截止去年，SK海力士在全球HBM市场份额占了50%，而三星则占据40%。

去年6月，SK海力士率先量产了HBM3，占据了市场主导，并为NVIDIA的H100“Hopper”Tensor Core GPU供货，如果他们成功交付HBM3E的话，就可巩固他们在高性能AI市场上第一的地位，毕竟NVIDIA占据了全球AI高性能计算GPU份额的90%，这会进一步拉开他们与竞争对手三星的差距。

238层4D NAND闪存是世界上最小体积的芯片，生产效率比上一代的176层提升了34%，成本竞争力得到了大幅改善。其数据传输速率为2.4Gbps，相比前一代产品提高了50%，芯片读写性能也有约20%的改善。

据了解，SK海力士计划在完成智能手机客户的验证后，首先会向移动端产品供应238层NAND闪存，随后将其适用范围扩大到基于PCIe 5.0标准的PC平台SSD和数据中心级高容量SSD产品等。SK海力士表示，会继续突破NAND闪存技术局限，并加强竞争力。

SK海力士表示，1bnm工艺技术的成功研发，意味着可以向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。SK海力士希望今年开始量产最先进的1bnm工艺技术产品，以业界最高DRAM竞争力水平改善今年下半年业绩。此外，SK海力士还打算将1bnm工艺技术扩展到LPDDR5T、HBM3E等高性能产品。

近期SK海力士的财务状况并不好，上个月公布的2023财年第一财季财务报告显示，因存储器半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌，该季度营收环比减少，且营业亏损加大。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

财报显示，SK海力士在2023财年第一财季的收入为5.0881万亿韩元（约合38.04亿美元/人民币263.33亿元），同比减少58%，环比减少34%；营业亏损为3.4023万亿韩元（约合25.43亿美元/人民币176.24亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少79%；净亏损为2.5855万亿韩元（约合19.33亿美元/人民币133.81亿元），相比去年同期是由盈转亏，环比减少25%。同时营业损失率为67%，净损失率为51%。

SK海力士表示，随着第一季度客户的库存转为下跌趋势，并且第二季度起存储器减产将使供应商的库存减少，预计下半年市场环境将得到改善。此外，随着面向ChatGPT等人工智能场景的服务器市场规模增长，采用高容量存储器的客户在增加，这一点也将对市场产生积极影响。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售，以提升营业收入。

SK海力士财务担当副社长（CFO）金祐贤表示，今年DDR5、LPDDR5、HBM3等产品呈现需求增长趋势，SK海力士将以这些产品为中心，继续巩固人工智能时代高端市场的领导地位。

索尼仍然是CMOS传感器市场无可置疑的王者，其市场份额在下滑过程中还有所增加，收入同比增长了8.1%，达到了92.55亿美元。索尼是苹果iPhone系列手机的主要供应商，主要销售的也是高端产品。安森美半导体主要为汽车提供CIS解决方案，去年收入猛增，同比增长了36.5%%，达到了12.15亿美元。

有喜也有悲，过去数年来追赶索尼的三星，在收入方面直线下降，同比减少了25.8%，为29.12亿美元，过于依赖智能手机的销售是下滑的主要原因。另外一间遭遇滑铁卢的厂商也来自韩国，是SK海力士，收入大幅度缩水至4.8亿美元，同比减少了34.4%，主要供应中低端智能手机市场使其承受了更大的压力。

除了规模的萎缩，CMOS传感器销售量的下降也是值得关注的，这一数字从2021年5.75亿减少到2022年的3.11亿，这并不寻常，说明了很可能客户出现了问题。

SK海力士认为，随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，决定从今年下半年起，将新款HBM3 DRAM推向市场，以满足市场需求。SK海力士已向合作伙伴提供了24GB HBM3 DRAM样品，客户对此产品都抱有极大的期待。

据了解，SK海力士的技术团队在新产品中采用了先进（Advanced）MR-MUF3和TSV4技术，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

HBM DRAM是实现需要高性能计算的生成式AI所必要的存储器半导体产品，第一代HBM DRAM在2013年首次亮相。最新规格的HBM3 DRAM被认为能够快速处理庞大数据的首选产品，目前大型科技公司的需求也在不断扩大。