据了解，目前SK海力士继续在推进这方面的开发工作，接下来会提供192GB容量的产品。SK海力士在现场还展示了256GB的DDR5-5600 RDIMM，可以让服务器每个插座达到4TB容量（八通道，每通道两个RDIMM）。

SK海力士还解释为什么会推出48GB和96GB这样非常规容量内存的原因，推测可能与价格有关。DDR5在初期比DDR4内存要贵得多，如果容量继续翻倍提升，无论系统容量还是构造成本之间的差距较大，从容量上突破可以为客户提供一个相对折中的解决方案。

这种非常规容量的DDR5内存不会是SK海力士的专属产品，传闻美光和三星都打算这么做，正在开发48GB和96GB的DDR5 RDIMM，不过没有在现场展出。可以预见，至少在服务器上，内存容量将改变过往容量以2次幂递增的历史。

2012年，在半导体产业的缩减投资趋势下，SK海力士在亏损状态下大幅度增加超过10%的投资，最后在年末成功扭亏为盈。到了2015年，SK海力士在市场不透明的情况下，为了应对即将到来的存储器半导体繁荣期，果断决定投资建设利川M14工厂，在2017年开始运营两年后，业绩创下新高。在SK海力士看来，在经营环境剧变的情况下，先发制人的投资可以强化竞争力。

SK海力士在2015年以“未来展望”为中心的计划中，宣布了持续10年的投资。除了利川M14工厂，随后又追加了清州M15和利川M16工厂。虽然近期全球经济低迷，供应链也不稳定，市场需求急剧下滑，但SK海力士认为存储器半导体市场的变动周期有缩短的趋势，市场会在2024年开始恢复，2025年逐渐提升，M15X工厂正是为了提早应对扩张而建设的，SK海力士希望其承担重要的角色。

早在2018年，SK海力士就研发了96层NAND闪存，超越了传统的3D方式，导入了4D架构，为此SK海力士采用了电荷捕获型技术（Charge Trap Flash，CTF）和PUC（Peri. Under Cell）技术。相比3D方式，4D架构芯片具有单元面积更小、生产效率更高的优点。自2020年12月完成176层NAND闪存研发以来，时隔仅1年7个月，SK海力士就成功完成了新一代技术的研发，推出了这款238层NAND闪存。

SK海力士NAND闪存开发负责人Jungdal Choi表示，基于4D NAND闪存技术，SK海力士成功研发了全球首个238层NAND闪存，进而确保了成本、性能、产品质量等层面的全球领先竞争力，其意义非凡，未来将持续创新并不断突破技术瓶颈。

据了解，SK海力士计划在客户端产品中首先采用238层NAND闪存，随后再延伸到智能手机和大容量服务器SSD等产品上。明年SK海力士还会发布1Tb密度的全新238层NAND闪存，密度是现有产品的两倍。

基于PCIe的CXL作为一种开放性互联协议，拥有更高的带宽，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。SK海力士从CXL联盟成立之初就积极参与其中，主导了CXL存储器的发展。

SK海力士表示，该DDR5 DRAM CXL存储器是一款96GB产品，采用了最新技术节点1anm DDR5 24Gb DRAM，通过灵活的带宽配置和经济高效的容量来进行扩展，从而更具有经济性的优势，以满足客户的需求。

为了进一步扩大CXL存储器生态系统，SK海力士开发出专用的HMSDK（Heterogeneous Memory Software Development Kit，异构存储器软件开发套件），计划于今年第四季度，作为开放源代码发布，并配备可适用于多种驱动环境中的系统性能提升功能和监控功能，这将有助于用户更有效地使用SK海力士的CXL存储器。

SK海力士目前已准备了验证使用的样品，并计划在今年8月初在全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）、9月底在英特尔技术创新峰会（Intel Innovation）、以及10月的开源计算项目全球峰会（Open Compute Project，OCP）上依次展示实物产品。

SK海力士表示，尽管DRAM产品的价格在2022年第二季度出现了下跌，但随着NAND闪存价格上涨，以及整体销售量上升，使得总体收入增加了。此外，美元的强势和子公司Solidigm的销售额增加，也对SK海力士的季度收入起到了积极作用。

SK海力士总裁兼首席营销官（CMO）Kevin Noh表示，尽管最近商业环境的不确定性有所增加，但对于存储器行业的长期增长潜力充满信心，SK海力士将专注于提高基础业务的竞争力，同时采取灵活的策略，以适应商业环境的变化。

对于下一步的经营计划，SK海力士表示将密切关注今年下半年的产品库存水平，同时也会仔细审查明年的投资计划。

英伟达向SK海力士采购的是带宽为819 GB/s的HBM3，与JEDEC今年初发布的HBM3高带宽内存标准相符。根据过往的资料，SK海力士目前提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB（196Gb），另一个则是8层堆叠的16GB（128Gb），均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。相比上一代HBM2E的460 GB/s带宽，HBM3的带宽提高了78%。此外，HBM3内存还内置了片上纠错技术，提高了产品的可靠性。

SK海力士对于HBM的研发一直非常积极，早在去年6月份就展示了第一款HBM3，提供了665 GB/s的带宽。随后在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。在今年初的ISSCC 2022上，SK海力士还展示了带宽为896 GB/s的HBM3。

据SK海力士介绍，Platinum P41系列SSD采用了176层堆叠的3D NAND闪存，搭配了SK海力士代号为“Aries”的主控芯片，并配有DDR4 DRAM缓存。其最大的顺序读写速度分别为7000 MB/s和6500 MB/s，随机读取为1400K IOPS、随机写入为1300K IOPS，TBW最高可达到1200。

此外，Platinum P41系列SSD还经过了1000小时的高温运行寿命测试（HTOL），以确保其可靠性，MTBF也达到了150万小时。从参数来看，Platinum P41系列SSD是一款很不错的产品，SK海力士希望借此进军PCIe 4.0 SSD，与三星的980 Pro等高端产品竞争。SK海力士SSD营销主管Dae Jung Cho表示：

“我们很高兴推出Platinum P41，它是我们Platinum系列SSD中的第一款产品，旨在为计算需求带来最强的PCIe 4.0带宽体验。Platinum P41还继承了我们现有阵容的能效和稳定性，与SK海力士过往的历史保持一致，为消费电子产品提供出色的解决方案。”

SK海力士为Platinum P41系列SSD提供了500GB、1TB和2TB三种容量，价格分别为104.99美元（约合人民币706.46元）、149.99美元（约合人民币1009.25元）和259.99美元（约合人民币1749.42元），均享有五年保修。

SK海力士表示，之所以能够创下佳绩，是因为本季度存储器产品价格的下调幅度比原来的市场预期要小，且营收部分包括了新成立的子公司Solidigm。如果横向比较过往的第一财季情况，会发现虽然营收高于2018财年第一财季的8.72万亿韩元，但营业利润并没有创下新纪录，只是历史第二高，低于当时的4.367万亿韩元。

据SK海力士介绍，目前正在提高10nm级别的第四代DRAM和176层4D NAND产品的良品率，从而扩大其生产的比重，同时新一代产品的开发也在顺利进行中。SK海力士认为，在传统淡季取得这样的业绩非常有意义，随着近期面向服务器的存储器产品需求日益增加，预计存储器行情在今年下半年会逐渐好转。

SK海力士宣布与Solidigm进行首次技术与产品的合作，将SK海力士的128层堆叠的4D NAND闪存与Solidigm的SSD主控和固件专业知识相结合，推出双方第一款合作产品：新型企业级固态硬盘（eSSD）P5530。该款产品支持PCIe 4.0接口，提供了1TB、2TB和4TB容量，并针对特定数据中心用例和目标部署的性能进行了优化。

SK海力士表示，未来将会和Solidigm一起优化双方公司的运营，创造协同效应和合作伙伴关系。SK海力士期望通过与Solidigm的合作，将其NAND闪存业务的竞争力提升至与其DRAM业务相同的程度。

Solidigm首席执行官Rob Crooke表示：

“在创立Solidigm的初期，我们很高兴能与SK海力士建立强有力的合作关系。双方齐心协力优化我们的产品，为我们的客户提供了无与伦比的解决方案。P5530只是我们定义为合作伙伴关系后的第一个例子，我们将巩固在NAND行业的领导地位并创建了固态存储的新范例。”

虽然英伟达的收购没有成功，但抱有同样想法的企业可不止一间，毕竟Arm是目前最炙手可热的CPU架构之一，应用范围覆盖客户端、超级计算机、云端服务、人工智能和机器人技术等重要领域。有点让人惊讶的是，SK海力士在近日的年度股东大会上表示，正在审查是否应该与战略合作伙伴组成财团收购Arm，不过该计划仍处于初级阶段。

在SK海力士看来，他们的计划与英伟达的并不一样。SK海力士的首席执行官朴正浩表示，不一定要购买其大部分股票才能控制公司。这意味着即便软银让Arm上市，SK海力士也会尝试其他方式控制Arm，如果与其他合作伙伴组成财团参与，似乎是一个更为明智的选择。事实上，此前英特尔CEO帕特-基尔辛格（Pat Gelsinger）就曾表示，若有财团打算收购Arm，非常愿意以某种方式参与其中。

SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，在DRAM和NAND闪存方面都有着相当大的市场份额。如果可以投资Arm，将会扩展其业务范围，在全球半导体行业和供应链中扮演更重要的角色。

这周美国联邦第九巡回上诉法院裁定，针对DRAM芯片制造三巨头的指控缺乏足够可信的证据，因此驳回了起诉。原告提出了多项“证据”，以证明被告的商业行为是事先约定的。不过法院考虑了各项因素，认为更多的是作为一个整体考虑，认为这些指控并不构成原告的主张，需要通过“进一步强化事实”来予以支持。

法院在法庭案件分析里提到，被告的行为“更有可能通过行业中的合法、未经设计的自由市场行为来解释”，而不是通过非法协议。简单来说，就是三星、SK海力士和美光相似的行为，原因在于理性地分析市场后做出了较为一致的决定。这意味着三星、SK海力士和美光躲过了这一次反垄断案，若再次提起，则需要更多额外、过往不曾看见的证据。

三星和SK海力士过去曾因涉嫌操纵价格，被美国司法部罚以巨款。三星在2005年，因涉及限定DRAM价格和妨碍公平竞争的行为被罚3亿美元。SK海力士也因类似的行为在同一年被指控，最后认罪并支付了1.85亿美元的罚款。

韩国另一间DRAM大厂SK海力士今天宣布，已开发出具备计算功能的下一代内存半导体技术，首款基于该技术的产品为GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。在2月24日举行的ISSCC 2022（IEEE 国际固态电路会议）上，SK海力士将公开PIM芯片技术的开发成果。

与一般GDDR6标准工作电压（1.35V）相比，GDDR6-AiM的工作电压降低至1.25V，加上与CPU和GPU数据传输的减少，功耗降低了80%，从而可以减少设备的碳排放，改善ESG表现。SK海力士表示，与传统DRAM相比，将GDDR6-AiM与CPU、GPU相结合的系统可在特定计算环境中将演算速度提高至最高16倍，新产品有望在机器学习、高性能计算、大数据计算和存储等领域有广泛应用。

SK海力士相信未来存储半导体可以在智能手机等ICT产品中发挥更为核心的作用，甚至实现“存储器中心计算（Memory Centric Computing）”。接下来SK海力士计划与SAPEON Inc.合作，推出与人工智能半导体相结合的全新技术。

无论三星还是SK海力士，看起来都将PIM技术视为未来存储半导体发展的关键。前者似乎优先选择在数据中心方面切入，目前已经有厂商使用了加入PIM技术的AXDIMM内存在服务器上进行测试，而后者更在意与AI技术和ITC产品之间的结合。

此外，SK海力士在2021年第四季度的合并收入为12.377万亿韩元（约合99.01亿美元），同比增长了55%，利润为4.22万亿韩元（约合33.76亿美元）。销售额历史上首次按季度突破12万亿韩元，利润连续两个季度达到4万亿韩元。随着第一阶段收购英特尔NAND闪存以及存储业务结束，SK海力士预计在新公司Solidigm的加持下，NAND闪存的销售规模会进一步增长，销售额将比去年翻一番。

SK海力士计划扩大招聘计划，具体日程会在下个月公布。SK海力士将会在今年第一季度启动一系列校园招聘，以及招募有丰富经验的业界资深人士，为接下来的增长做准备。无论是美国子公司Solidigm，还是全面进入运营的M16晶圆厂，都需要大量制程工艺、器件、设计、测试、封装、SoC、软件、数据科学、产品规划与战略等人才。

JEDEC表示，HBM3是一种创新的方法，是更高带宽、更低功耗和单位面积容量的解决方案，对于高数据处理速率要求的应用场景来说至关重要，比如图形处理和高性能计算的服务器。新一代HBM3内存主要属性包括：

将经过验证的HBM2架构扩展到更高的带宽，将HBM2的每引脚数据速率提高一倍，并定义高达6.4 Gb/s的数据传输速率，相当于819GB/s。

将独立通道的数量从HBM2的8个增加到16个，每个通道有两个伪通道，HBM3实际上支持32个通道。

支持4层、8层和12层TSV堆栈，并为未来扩展至16层TSV堆栈做好准备。

支持单层8Gb到32Gb的存储密度，意味着容量从4GB（4层8Gb）到64GB（16层32Gb），预计第一代HBM3设备将基于单层16Gb。

为了满足市场对高级平台RAS（可靠性、可用性、可维护性）的需求，HBM3引入了片上纠错技术（ECC），以及实时错误报告和透明度。

通过在主机接口上使用低摆幅（0.4V）信号和较低 （1.1V）工作电压来提高能效。

技术营销总监兼JEDEC HBM小组委员会主席Barry Wagner表示，凭借HBM3内存更强的性能和可靠性，将对需要海量内存带宽和容量的新应用提供有力的支持。此外，美光、SK海力士和Synopsys等企业的负责人也对HBM3内存标准的发布感到高兴。

在去年10月份，SK海力士已宣布成功开发出了HBM3内存，成为全球首家开发出新一代HBM内存的公司。SK海力士提供了两种容量，一个是12层硅通孔技术垂直堆叠的24GB，另一个则是8层堆叠的16GB，均提供819 GB/s的带宽，前者的芯片高度也仅为30微米。