3D DRAM是一种具有全新结构的存储芯片，打破了原有的模式。目前DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，电容器漏电和干扰等物理限制明显增加，为此业界通过引入high-k材料和极紫外（EUV）设备等新材料和新设备。不过对于各个DRAM制造商而言，想要制造10nm或更先进的小型芯片仍然是一个巨大的挑战。

与当前的DRAM市场不同，3D DRAM领域暂时没有绝对的领导者。美光在3D DRAM技术竞争中起步较早，且专利数更多，三星和SK海力士可能会加快3D DRAM商业化进程，尽快地进入大规模生产阶段，以便更早地抢占市场。

目前三星和SK海力士能量产的最尖端DRAM采用的大概为12nm的工艺，考虑到越来越接近10nm，在未来的三到四年内，全新结构的DRAM芯片商业化几乎是一种必然，而不是选择。

相比于CPU和GPU，尽管DRAM使用的半导体工艺推进的速度要慢得多，但几乎所有的DRAM制造商都在不断地缩小制程节点。存储器不太热衷于采用新工艺，一定程度上是因为更先进的制程节点对DRAM的性能改善并没有CPU和GPU那么明显。

SK海力士和三星是DRAM制造商里仅有的两家采用EUV技术的厂商，在1βnm工艺上都引入了EUV技术，目前的DRAM大概能到12nm左右。去年三星就宣布，已开发出1βnm工艺的16Gb DDR5 DRAM，并与AMD完成了兼容性验证。

营收方面，三星2022年第四季度DRAM营收为55.4亿美元，环比下降25.1%，市场占有率为45.1%，依然牢牢占据市场份额第一的位置，相比第二名有明显领先；SK海力士2022年第四季度DRAM营收为33.98亿美元，环比下降35.2%，市场占有率为27.7%，排名第二；美光DRAM营收为28.29亿美元，环比下降41.2%，市场占有率为23%，排名第三。

产能规划方面，新完工的平泽半导体工厂P3L生产线今年第一季度已开始小规模试产，这是三星DRAM产能扩张的主力；SK海力士在去年第三季度宣布减产，今年第一季度产能利用率为92%，预计第二季度将下滑至82%；美光产能利用率为84%，预计2023全年将保持在相同水平。

SK海力士称，正在对SK Trichem造成的设备生产中断和更换零件等情况进行必要的审查，会按照合同条款对SK Trichem要求赔偿。目前SK海力士已暂停从SK Trichem采购材料，直到问题解决为止。

为了应付未来一段时间的生产，SK海力士所需的high-k材料暂时由UP Chemical和M Chemical供应。其中UP Chemical在数年前被国内企业收购了96.28%的股权，这是全球仅有的三家实现半导体存储芯片SOD产品稳定量产供应的半导体材料厂商之一。

SK Trichem表示，这次的原因是其提供的high-k材料的纯度有问题，导致某些设备的压力增加，从而出现停产。high-k材料属于前驱体材料，沉积在DRAM电容器的原子水平上，由于电容器直接决定DRAM的性能，因此high-k材料的质量至关重要。目前SK Trichem仍在为SK海力士同一生产线的其他设备提供材料，并计划在本月末向SK海力士恢复供应，提供符合质量要求的产品。

事实上，ChatGPT的出现似乎给存储器制造商带来了转机。据Business Korea报道，今年年初以来，三星和SK海力士的HBM订单量激增，价格也水涨船高，给低迷的DRAM市场注入了一丝活力。

相比于普通的DRAM，HBM通过堆叠方式实现了更高的带宽，与CPU及GPU协同工作中，可以提高机器学习和计算性能。除了英伟达和AMD的计算卡，近期英特尔也发布了首款采用HBM内存的x86处理器Xeon Max，上面也使用了HBM2e，越来越多涉及AI的高性能芯片选择HBM。

虽然HBM有着更强的性能，但比起普通DRAM出货量要少很多，这是由于其平均售价是普通DRAM的三倍，需要复杂的生产工艺和先进的生产技术。随着ChatGPT的出现，AI再次成为了热点，对高性能计算芯片的需求增加，也让HBM受惠。英伟达最新的H100计算卡采用了最新的HBM3，据了解，与最高性能DRAM相比，目前HBM3的价格最高上涨了五倍。

此外，存储器制造商还在原有HBM基础上集成AI引擎。此前三星就推出了HBM-PIM（Aquabolt-XL）芯片，最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式计算能力，使内存芯片本身可以执行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。通过在每个内存模块内注入了一个AI处理器，从而将处理操作转移到HBM本身，从而减轻了内存与一般CPU之间转移数据的负担，未来还会扩展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3内存上。SK海力士也在去年宣布开发出具备计算功能的GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/内存加速器），将计算功能添加到速率为16 Gbps的GDDR6上。

有业内人士表示，存储器制造商仅依靠制造工艺的时代已经过去，加入数据处理能力的AI半导体技术的发展将变得非常重要，可能决定芯片制造商的未来。从中长期来看，HBM-PIM这类型专用DRAM芯片的发展将使半导体行业发生巨大变化。

在确定合作之后，将会由Meta负责设计所需要使用的芯片，而SK海力士会生产这些芯片所需的晶圆，最终LG Display会把OLED沉积在晶圆上，并且把其切割成MicroOLED面板。

相比起普通的OLED，MicroOLED是从硅晶圆上切割下来而非玻璃或者塑料基板，使得MicroOLED可以在体验更小以及更薄的同时拥有高分辨率。这个特性让MicroOLED十分适合用于体积细小但需要高分辨率的显设备上，例如Meta一直计划想要扩展的混合现实设备产品。

Meta本身没有任何生产面板的设施，因此需要寻求外部合作。LG Display可以生产一般的显示面板，但是本身没有用于芯片生产的设备，所以就需要SK海力士来一起生产MicroOLED。

SK海力士计划利用其位于韩国利川的M10晶圆生产线，来生产用于MicroOLED的晶圆。这条是SK海力士最旧的生产线，原本只生产DRAM但现在也会用来生产CMOS传感器。SK海力士在利川还有M14以及M16厂房用于DRAM生产。

M10目前的产能为每月10万块12吋晶圆。有消息表示SK海力士在2025年至2026年间会从中拨出3万块的产量，以28nm或者45nm的制程来生产MicroOLED所需的晶圆。

财报显示，SK海力士在2022财年第四财季因需求不振、产品价格下降，业绩由盈转亏。其收入为7.6986万亿韩元（约合62.56亿美元/人民币423.42亿元），营业亏损为1.7012万亿韩元（约合13.82亿美元/人民币93.57亿元），净亏损为3.5235万亿韩元（约合28.63亿美元/人民币193.79亿元）。同时营业损失率为22%，净损失率为46%。这是SK海力士自2021年第三季度以来，首次出现季度营业亏损。

SK海力士2022财年全年的收入为44.6481万亿韩元（约合362.79亿美元/人民币2455.65亿元），营业利润为7.0066万亿韩元（约合56.93亿美元/人民币385.36亿元），净利润为2.4389万亿韩元（约合19.82亿美元/人民币134.14亿元）。2022财年的营业利润率为16%，净利润率为5%。

SK海力士重申了去年10月发布财报时的说法，预计场上供过于求的情况将持续一段时间，今年的投资规模减少50%或以上，估计在10万亿韩元左右。不过SK海力士仍计划持续投资DDR5/LPDDR5、HBM3等主力产品的量产和未来高成长领域，为扩大基于技术力的新市场做好准备，当市况好转时快速扭亏为盈。

有业内人士表示，SK海力士现在的CMOS图像传感器开发团队更像是一支研发队伍，而不是销售与宣传的团队。CMOS图像传感器广泛用于智能手机和IT产品，而SK海力士以往只是一个专注于20MP或更低分辨率低端产品的小玩家。SK海力士从2021年开始向三星供应CMOS图像传感器，比如用于Galaxy A系列产品。

由于受到经济衰退及电子消费端需求低迷等影响，市场对CMOS图像传感器的需求有所下降，压力主要来自于智能手机。对于面向中端机型的供应商来说尤其痛苦，单价也会因此而下降。传言SK海力士近期一直在减少图像传感器的产量，同时减少库存。

SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板，为16GB容量的封装，数据处理速度为77GB/s，最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来，在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后，仅相隔两个月就再次突破技术局限，为客户提供多种容量的所需产品，可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

SK海力士DRAM商品企划负责副社长柳成洙表示：

“跟进英特尔Sapphire Rapids的上市，我们正在与多数客户为扩大DDR5的采用进行紧密合作，将在持续增长的服务器市场中巩固领先地位。”

此次英特尔的DDR5认证里，SK海力士还成果获得了1ynm（第二代10nm级别）工艺DDR5的认证。SK海力士将以此为技术基础，为客户提供16Gb、24Gb等多种DDR5产品，提升服务器DRAM的销量。

SK海力士还与英特尔合作发行了DDR5白皮书，其中包含了DDR5的优点及基于Sapphire Rapids的1αnm级DDR5优秀性能等内容，对于采购SK海力士DDR5服务器DRAM的客户来说，可作为参考资料使用。

SK海力士确认了CES 2023参展产品阵容，包括一系列企业级SSD、CXL存储器、GDDR6和HBM3产品等，强化服务器用存储器市场领先企业地位。其中企业级SSD为PS1010 E3.S，这是由176层4D NAND构建的产品，支持PCIe 5.0标准，相比上一代产品，读写速度分别最高可提升130%和49%，还带来了75%以上的能耗比改善，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。

针对高性能运算（HPC），SK海力士除了提供最高性能HBM3，还有添加了运算功能、PIM技术的GDDR6-AiM，以及灵活扩张存储器容量和性能的CXL存储器。SK海力士NAND商品企划负责人表示：“在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的SSD产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的NAND事业竞争力进一步加强。”

SK海力士采用了全新的方法来提高DDR5的数据传输速率，一般情况下，DDR5的运行速度取决于单个DRAM芯片的速度，而SK海力士另辟蹊径，通过提高整个模块的速度来实现更高的速度，并非单个DRAM芯片。该产品设计时，以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器（data buffer）同时运行两个内存列。

据SK海力士介绍，传统DRAM模块每次只能向CPU传输64个字节的数据，而在MCR DIMM模块中，两个内存列同时运行可向CPU传输128个字节的数据。这样的设计使得每次传输到CPU的数据量增加，数据传输速率提高到8 Gbps以上，是单个DRAM的两倍。

SK海力士还与英特尔、瑞萨电子进行紧密合作，将自身DRAM模块设计能力与英特尔至强处理器、瑞萨电子的缓冲器技术融为一体，并加快了开发到性能验证等各个阶段的速度。

SK海力士预计，在高性能计算对于内存带宽提升需求的驱动下， MCR DIMM模块的市场将会逐步打开。SK海力士计划在未来量产该款产品，不过没有透露具体的时间。

SK海力士提供的1y nm、1a nm 16 Gb DDR5 DRAM模块，以及1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块，可在第四代EPYC服务器处理器上实现4800 Mbps的支持，相比现有的DDR4产品多提供50%的内存带宽。SK海力士还提供了CXL存储器，这是一个容量为96GB的产品，基于1a nm 24Gb DDR5 DRAM模块构建，为客户提供高满意度，灵活配置带宽和容量、以及经济高效的扩展。

SK海力士DRAM产品规划和支持负责人Sungsoo Ryu表示，与AMD的合作将加强SK海力士作为服务器市场内存解决方案供应商的领导地位，最新的EPYC 9004系列服务器处理器将为SK海力士新的DDR5和CXL存储产品铺平道路，为市场提供卓越的性能。

相比于常规的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有竞争力的特性之一，这是由于移动设备功率有限，因此有必要尽可能地延长使用的时间，这就是降低功耗与提高运行速度同样重要的原因。SK海力士利用HKMG工艺，既提高了性能，又降低了功耗，可谓是一石二鸟，实现了积极的扩展和高效率。

随着低功耗LPDDR5X的引入，移动设备充电一次就可以使用更长的时间了。同时这次SK海力士的LPDDR5X数据传输速率提高到了8533 MT/s，比前代产品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽车高分辨率增强现实/虚拟现实和使用AI的边缘计算等应用场景的内存性能。

近年来，SK海力士在移动DRAM上紧跟市场趋势，研发投入相当大。去年SK海力士就量产了18GB的LPDDR5，这也是目前业界同类产品中最大的容量。随着这次集成HKMG工艺的LPDDR5X的推出，以更少的电力消耗提供了更快的速度，SK海力士进一步巩固了其在内存半导体领域的领导地位。

SK海力士还公布了截至2022年9月30日的2022财年第三季度财务报告，显示因全球宏观经济环境恶化，DRAM和NAND产品需求低迷，销量和价格均有所下降，因此营收和利润均出现下滑。

财报显示收入为10.983万亿韩元（约合77.26亿美元/人民币559.3亿元），环比下降20%，同比下降7%；营业利润为1.656万亿韩元（约合11.65亿美元/人民币84.33亿元），环比下降61%，同比下降60%；净利润为1.103万亿韩元（约合7.76亿美元/人民币56.17亿元），环比下降62%，同比下降67%。其中营业利润率为15%，净利润率仅为10%。

SK海力士预计，市场上供过于求的情况将持续一段时间，因此决定将明年的投资规模减少50%或以上，估计在10万亿韩元左右。SK海力士表示，今后计划以利润相对较低的产品为中心，减少产量，意思是在一定时期内，将投资维持在较低的水平，等待市场恢复供求平衡。