今年的NAND闪存会继续提升制程工艺到15/16nm，新制程虽然会提升NAND的容量，但是负面影响也很多，3D NAND倒是个不错的综合性解决方案。三星去年推出了3D堆叠的V-NAND闪存，日前又宣布推出第二代V-NAND闪存，堆叠层数从之前的24层提高到了32层。
三星第二代V-NAND闪存
三星去年8月份推出了V-NAND闪存（NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解），每个NAND的Die容量是128Gib（16GB），通过3D堆叠技术实现了24层堆叠，当时使用的制程工艺还是30nm级别的，P/E寿命可达35000次，可靠性更高，而且编程时间短，写入性能更高。
三星现在推出的第二代V-NAND闪存提高了堆叠层数，从之前的最多24层提高到了32层，如果继续保持之前的die容量128Gib来算，那么NAND容量将从384GB提升到512GB，提升了三分之一。
第二代V-NAND的制程工艺等具体信息也没有提及，与去年的V-NAND相比应该没什么变化。三星宣称的3D NAND相比传统的2D MLC闪存有2倍的可靠性，功耗降低了20%。
三星此次推出的二代V-NAND闪存的SSD有128、256、512及1TB容量可选，接口为SATA
6Gbps，但是并没有具体的型号，因为目前推出的产品都是面向OEM市场的，今年下半年会推出面向消费级市场的零售型号。
