此前三星不同寻常地暂停了DDR5的合同报价，过去通常都是每月定价一次。10月完成的DRAM交易非常有限，而且报价周期可能会从过去的季度转向月度。数据显示三星的32GB DDR5内存模块价格从9月的149美元涨至11月的239美元，涨幅超过60%，另外16GB和128GB DDR5内存模块价格也上涨了50%，分别达到了135美元和1194美元，即便是涨幅相对较小的64GB和96GB DDR5内存模块，也上涨了30%以上。

不仅仅是DRAM，NAND闪存也有类似的情况。供应短缺引发了部分客户的恐慌性购买，为了保证产品供应选择囤积存储芯片，这种做法也扰乱了对其他半导体部件的需求。由于DRAM在电子产品中无处不在，严重短缺或价格大幅上涨几乎会影响所有东西，从智能手机到笔记本电脑，从物联网设备到智能家电。

更为糟糕的是，真正的问题可能才刚刚开始，预计2026年短缺情况会更为严重。

据Wccftech报道，明年初三星将发布新一代Galaxy S26系列智能手机，传闻再次将12GB的LPDDR5X作为标准配置，不过新产品会有一定幅度的升级，速率将从现在的8.5Gbps提高至10.7Gbps。另外16GB容量仍然是Ultra机型所独占，速率同样是10.7Gbps。剩下的疑问是，如果在Galaxy S26 Ultra选择16GB内存，是不是像现在Galaxy S25 Ultra那样必须搭配1TB存储空间才行，还是说有其他容量选择。

近期三星公布了新款LPDDR6的规格，将在明年1月的CES 2026上做展示。其采用12nm工艺制造，速率达到了10.7Gbps，具有更多的I/O通道数量，以最大限度地提高带宽，非常适合数据密集型移动应用程序、边缘计算和AI工作负载。不过三星暂时还不打算用在智能手机上，考虑到初代LPDDR6的速率和LPDDR5X相同，性能方面的差异应该不会太大。

有消息人士透露，三星还会对Galaxy S26系列的摄像头和散热设计做改进，以满足更高速率LPDDR5X的安装要求。

据TrendForce报道，新一代AI加速器中首次采用定制HBM，均为基于HBM4的设计，以提升性能，降低延迟。到了HBM4E，有望从标准化产品转向更多的定制解决方案，其中核心部件将根据个人客户的需求进行定制，这种转变有可能成为影响供应商竞争的一个重要因素。

目前三星和SK海力士都计划在2026年上半年完成HBM4E的开发，而搭载HBM4E的AI加速器将于2027年上市。因此还需要在2026年下半年完成质量验证，为此三星和SK海力士正在加快HBM4E的开发速度，以免出现延误。

所谓的定制设计，意思是HBM基础裸片（Base Die）可以根据特定客户的要求来进行设计和制造。能进入定制HBM领域，意味着DRAM厂商需要强大的设计能力和先进的生产工艺，以快速响应客户需求。

从HBM4开始，三星就开始利用自家的代工厂生产基础裸片，这可能是其获得优势的基础。虽然SK海力士也是从HBM4开始将基础裸片的生产转移到代工厂，不过其选择与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产。

有分析人士表示，HBM4E有望在两年内成为HBM市场的主导产品，预计2027年将占据约40%的市场份额。

据TrendForce报道，三星、SK海力士、铠侠和美光这四家主要NAND闪存制造商在2025下半年都选择减少NAND闪存产量，从而导致价格进一步上涨。也就是说，目前SSD涨价是各方共同推动的的结果。

自去年以来，NAND闪存的价格一直徘徊在成本附近。三星在与全球主要客户谈判明年的供应协议时，考虑将价格上调20%至30%，甚至有可能更多。SK海力士和美光都希望赶上涨价潮，前者将产量减少了10%，后者也采取了类似的立场，谨慎地控制生产。虽然说AI驱动了存储的需求，但是在同步的产能控制下，NAND闪存的价格正在迅速攀升，仅上个季度就上涨了15%，未来几个月有可能再涨40%至50%。

TrendForce预计NAND闪存合约价格将在第四季度攀升5%至10%，现货价格的升速可能会更快，短期内供应仍然吃紧，价格上涨势头将延续到下个季度。不过如果合约价格上涨过快或终端需求放缓，现货价格可能会在2026年初回落。

据Wccftech报道，三星正在为晶圆代工业务设定新目标，希望能扭转不利的形势，通过提高2nm GAA工艺的良品率以及利润丰厚的客户建立长期业务关系，在两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。由于代工业务是订单制的，而且需要提前购买工具，所以三星制定了为期两年的商业计划。

自2022年以来，三星的晶圆代工业务就一直在亏损。三星没有对外透露过具体的数字，但是有业内人士估计，每个季度晶圆代工业务的亏损在1万亿到2万亿韩元之间（约合人民币48.5亿至97亿元）。尽管三星已经在下一代先进工艺上投入巨资，不过始终没有积累到足够的订单，始终被良品率问题所困扰。

随着今年7月三星与特斯拉签下了一笔价值约165亿美元、合同期限直到2033年12月31日的订单，生产特斯拉下一代AI6芯片，让三星终于看到了曙光。目前三星将注意力放在了2nm GAA工艺，如果Exynos 2600能够顺利量产，用于明年初发布的Galaxy S26系列智能手机，加上高通可能重新下单生产骁龙8系列芯片，或许三星的晶圆代工业务会迎来真正的突破。

HBM很好，但是也很贵。HBF的设计思路类似于HBM，两者有着相似之处，都是利用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠多个芯片。同时两者共享了电气接口，不过适配的介质从DRAM切换至NAND，相当于高带宽NAND闪存。不过由于协议略有变化，所以不完全兼容。HBF实现了8层到16层堆叠，可以部分替换HBM，通过逻辑芯片和中介层连接到GPU/CPU/TPU，从而提供HBF+HBM的自定义组合产品。

闪迪和SK海力士的目标是2026年下半年发布HBF样品，预计首批搭载HBF产品的AI推理系统会在2027年初亮相。另外一家存储器巨头三星也在行动，已经开始对自己的HBF产品进行早期概念设计工作，不过暂时还没有提供时间表。

有业内专业人士表示，HBF将与HBM 一起成为主要的下一代存储技术，推动半导体制造商的增长。未来AI架构将采用多层级存储体系，其中GPU将以互补配置整合HBM与HBF，标志着AI计算和内存融合新时代的到来。

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三维尺寸方面，vivo Y500 Pro的具体数据为160.23mm（长）×74.51mm（宽）×7.81mm（厚），产品重约198.6g。

核心配置方面，vivo Y500 Pro搭载了天玑7400移动平台，这款SoC基于台积电4nm制程工艺，其CPU架构为4×Cortex-A78@2.6GHz+4×Cortex-A55@2.0GHz，GPU则使用了Arm Mali-G615 MC2。值得一提的是，天玑7400移动平台还配备了NPU 655 AI处理器，AI性能相比上一代天玑7300提升了15%。此外，vivo Y500 Pro还搭载了LPDDR4X双通道内存以及UFS 2.2闪存。

屏幕方面，vivo Y500 Pro配备了一块6.67英寸的AMOLED直屏，分辨率为1260x2800，最高支持120Hz刷新率，手动峰值亮度可达800尼特，全局峰值亮度可达1600尼特，支持HDR，支持10bit色深，支持P3广色域。护眼方面，vivo Y500 Pro支持3840Hz PWM调光。

影像系统方面，vivo Y500 Pro搭载了2亿像素主摄（三星HP5，1/1.56 英寸，f/1.88，支持AF，支持OIS，支持最高30X数字变焦）+200像素虚化镜头+3200万像素前置摄像头（f/2.4，支持最高2X数字变焦，支持FF）。软件方面，vivo Y500 Pro支持AI相机功能。

续航充电方面，vivo Y500 Pro配备了7000mAh电池，最高支持90W有线充电。

其他功能方面，vivo Y500 Pro支持IP68&IP69防尘抗水，支持屏下光学指纹，支持蓝牙5.4，支持GPS（L1、L5）和北斗卫星定位（B1I、B2a），支持NFC，支持红外遥控，搭载OriginOS 6系统。

vivo Y500 Pro共提供有祥云金、浅绿、柔粉以及钛黑四款配色，各内存配置以及具体售价如下：

8+128GB：1799元

8+256GB：1999元

12+256GB：2299元

12+512GB：2599元

三星表示，M.2 2242版PM9E1是一款面向OEM的产品，专为高端游戏PC、下一代设备端AI和高端计算设备而设计，最高连续读取速度可达14.8GB/s，最高连续写入速度13.4GB/s，达到了行业领先的水平。即便是空间受限的计算系统，性能也不会受到影响。

M.2 2242版PM9E1搭载了三星内部开发的“Presto”主控芯片，采用了第8代V-NAND TLC闪存，还带有LPDDR4X作为DRAM缓存，确保卓越的能效、响应能力和耐用性。同时M.2 2242版PM9E1提供了最大4TB容量，也是该尺寸类型SSD中前所未有的（美商海盗船的MP700 MICRO有相同容量但性能没那么好）。不过由于要满足4TB容量，所以没办法做到单面PCB设计，在散热方面多少会有些限制。

M.2 2242版PM9E1强大的架构支持使用SPDM（Security Protocol and Data Model，安全协议与数据模型）v1.2实现设备级认证与固件完整性，保障数据操作安全。无论是加速AI工作负载还是串流传输超高分辨率内容，PM9E1都重新定义了快速、安全且紧凑的存储未来。

近日三星在一份官方稿件内，公布了新款LPDDR6的规格，将采用12nm工艺制造，速率达到了10.7Gbps，具有更多的I/O通道数量，以最大限度地提高带宽，非常适合数据密集型移动应用程序、边缘计算和AI工作负载。

三星的LPDDR6还带有动态电源管理系统，可根据工作负载智能调整功耗，相比于LPDDR5X能效提升了约21%，意味着设备可以在减少五分之一的功耗下获得相同的带宽和速度。同时三星还引入了增强的安全机制来保护数据完整性，将其应用范围从移动领域扩展到工业和关键任务的AI环境。凭借其可扩展的跨平台架构和环保设计，LPDDR6在性能、节能和可靠性之间取得了强大的平衡，将成为未来智能系统必不可少的内存解决方案。

按照三星的说法，接下来LPDDR6的速率将进一步提升，达到14Gbps。在明年1月的CES 2026上，三星会公布更多LPDDR6的细节信息。

据Wccftech报道，今天高通公布了2025财年第四财季财报，在随后的财报电话会议上，高通暗示三星将在明年的Galaxy S26系列恢复双平台战略，暂时设定的SoC供应占比为75%。按照高通的说法，过去正常情况下这个数字是50%，到了Galaxy S25系列因为独占，达到了100%，现在则将基准线设定在75%，这也表明了高通对自身产品整体优势的绝对信心。

最近一段时间泄露的Exynos 2600基准测试成绩显示，其性能上与第五代骁龙8至尊版相当接近，甚至表现比苹果的A19 Pro要更好。尽管如此，三星似乎对Exynos 2600也不是那么有信心，这有可能与2nm生产线的良品率有关，阻碍该款芯片的大规模应用。

传闻现阶段三星仍然没有办法完全解决良品率的问题，预计明年仅有30%的Galaxy S26系列机型可以搭载Exynos 2600。据了解，Galaxy S26系列将分为基本型、Plus和Ultra三款机型，其中顶级的Ultra型号上大概不会出现Exynos 2600的身影。

据Wccftech报道，ASML正在组建一个团队来帮助三星在泰勒工厂安装设备，以支持EUV光刻机的初始启动，目前正在招聘工程师。有业内人士透露，ASML的举动标志着泰勒工厂越来越接近进入实际运营阶段。

虽然三星的泰勒工厂正在提速，但是特斯拉似乎有些放慢了脚步。近日埃隆-马斯克表示，AI5芯片今年会发送样品，还会有少量出货，不过大批量生产预计要等到2027年才能实现，比最初计划的2026年要晚一些。下一代AI6芯片将使用相同的晶圆厂，提供两倍于AI5芯片的性能，目标是2028年中旬量产。

尽管特斯拉的芯片计划在时间表上存在不确定性，不过三星并没有减速，甚至希望泰勒工厂能够提前安装设备，以便早日投入运营。

根据三星和英伟达的联合声明，三星将向“AI Megafactory”供应最新的DRAM产品，包括HBM3E、HBM4、GDDR7和SOCAMM2，另外还会提供代工服务。三星强调，正在就HBM4的供应与英伟达展开密切磋商，如此高调的做法在三星身上是很罕见的。

三星的HBM4结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片，数据传输速率突破了11Gbps，远远超过了JEDEC制定的8Gbps行业标准及客户预期。对于三星来说，HBM4是其在HBM领域赶超竞争对手SK海力士及重夺DRAM市场领导地位的关键，需要以最快的速度抢占先机。

不过有业内人士表示，三星面临的最大挑战仍然是良品率问题。传闻三星目前HBM4样品的良品率大概在50%，这个数字来自于产量有限的晶圆测试，在全面量产之前，三星需要确保良品率达到70%以上。

据TrendForce报道，最近市场传出三星已基本暂停了DDR5的报价，直到11月中旬之前不大可能会恢复。其他DRAM制造商采取了观望的态度，或许稍后会跟上，这很可能会继续推动DRAM价格飙升。数据显示10月完成的DRAM交易非常有限，而且报价周期也从过去的季度转向月度。

服务器DRAM合同价格在2025年第四季度走强，带动了DRAM价格整体上涨。市场研究机构已调高了第四季度传统DRAM的价格预期，涨幅从之前的8-13%提高至18-23%，而且有可能进一步上调。

由于AI服务器需求保持强劲，DDR5合同价格预计在整个2026年保持涨势，特别是在上半年会比较明显。有业内人士表示，AI推理需求的爆炸式增长令HBM和DDR5承压，而且同时冲击了NAND闪存，甚至影响到机械硬盘。其中HBM已经飙升至所未有的水平，使得DRAM制造商将资本支出转向HBM生产，由于HBM需要三倍于DDR5的晶圆消耗，从而让整体产能收紧。

DRAM制造商也在选择扩产，需要大量资金和时间。如果选择采用最先进的1cnm（第六代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，每月增加1万片晶圆产量需要大约100亿美元的资本支出。设备交货周期也很长，加上工艺复杂，产能无法迅速提高，进一步加剧了供应紧张。

三星在今年第三季度财报电话会议上称，随着行业将传统产品线过渡到先进制程节点，传统产品的价格在今年下半年大幅上涨，而且明年的供应也将受到影响。得益于人工智能的推动，三星认为明年上半年半导体市场将保持强劲，不过存在像关税等不确定性的影响。

当被问及英伟达是否已批准HBM3E供应时，三星并没有正面回答，只是补充说HBM3E正在扩大销售至所有客户。结合之前的市场传言，普遍认为三星已开始向英伟达提供HBM3E。三星、SK海力士和美光都在准备明年推出HBM4，将出现在英伟达下一代Rubin架构GPU上，三星希望可以争取夺回失去的DRAM市场份额。

财报显示，三星2025年第三季度的营收为86.1万亿韩元，同比增长8.9%，是至今为止最高的季度收入，其中存储器业务有很大贡献。

财报显示，三星2025年第三季度的营收为86.1万亿韩元（约合人民币4287.78亿元），高于去年同期为79.1万亿韩元，同比增长8.9%，也高于上一个季度的74.6亿韩元；营业利润为12.2万亿韩元（约合人民币607.56亿元），相比去年同期的9.2万亿韩元同比增长32.9%，大幅高于上一个季度的4.7万亿韩元；毛利润为33.5万亿韩元（约合人民币1668.3亿元），高于去年同期的30.0万亿韩元，也高于上一个季度的25.5万亿韩元；净利润为12.2万亿韩元（约合人民币607.56亿元），高于上一季度的5.1万亿韩元，也高于去年同期的10.1万亿韩元。

展望第四季度，人工智能行业的快速增长预计将为DS和DX部门开辟新的市场机会。其中DS部门计划通过增加针对AI的高附加值内存产品的销售来专注于提高业绩，在持续的AI投资势头的推动下，半导体市场预计将保持强劲。