据相关媒体报道，三星和SK海力士打算2024年下半年停产DDR3内存，以更好地应对HBM3和HBM3E日益增长的市场需求。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。

考虑到如今生产DDR3内存利润率，以及现阶段人工智能（AI）芯片市场的火热程度，将产能更多地分配到DDR5和HBM产品也就不足为奇了。HBM产品早已供不应求，最近传闻三星和SK海力士至2025年的HBM产能已经售罄，甚至还要扩充产能以进一步满足需求。更重要的是，HBM产品的利润率比起老旧的DDR3内存要高得多，有报告称HBM产品的价格大概比传统DRAM高出数倍（约为DDR5的五倍），而且还在不断上涨，预计明年HBM2E、HBM3和HBM3E的价格普遍上涨5%至10%。

虽然存储器三巨头之一的美光并没有像三星和SK海力士那样停产DDR3内存，但是同样大幅度减少了供应量，原因自然也是一样的。此外，像南亚科技这样规模相对较小的制造商也已经将主力产能转向DDR4和DDR5内存，仅接受部分客户的DDR3内存订单，未来几个月DDR3内存价格持续上涨似乎已是不可避免。

据The Elec报道，三星原来打算在今年夏天推出Galaxy Z Fold 6、Galaxy Z Flip 6和Galaxy Z Fold 6入门款，不过现在可能改变计划，取消掉Galaxy Z Fold机型入门款。也就是说，三星将延续以往可折叠智能手机的更新做法。

据了解，三星的供应商已经开始批量生产Galaxy Z Fold 6和Galaxy Z Flip 6所需要的零部件，但是没有收到Galaxy Z Fold 6入门款的订单。三星之所以没有跟进Galaxy Z Fold 6入门款，大概是出于产品缺乏差异化及市场充满不确定性等因素的考虑。

传闻Galaxy Z Fold 6入门款不支持S-Pen，并且在早些时候，三星已经对其进行了20余万次屏幕折叠测试以检验耐用性。尽管去掉S-Pen的支持可以降低成本，同时可以更薄，但是加入防尘防水功能后，机身厚度与中国厂商的同类产品相比并没有什么优势。

除了Galaxy Z Fold 6入门款，三星明年还计划带来Galaxy Z Flip 7入门款，似乎该项目仍在继续推进当中。

据了解，三星至今未能通过英伟达验证主要卡在台积电（TSMC）的审批环节。作为英伟达数据中心GPU的制造和封装厂，台积电也是英伟达验证环节的重要参与者，传闻采用的是基于SK海力士HBM3E产品设定的检测标准，而三星的HBM3E产品在制造工艺上有些许差异，比如SK海力士采用了MR-RUF技术，三星则是TC-NCF技术，这多少会对一些参数有所影响。

三星在上个月发布的2024年第一季度财报中表示，8层垂直堆叠的HBM3E已经在4月量产，并计划在第二季度内量产12层垂直堆叠的HBM3E，比原计划里的下半年提前了。按照三星的说法，这是为了更好地应对生成式AI日益增长的需求，所以选择加快了新款HBM产品的项目进度。

有业内人士透露，如果将检测标准做相应的调整，三星的HBM3E通过英伟达的验证环节将不成问题。

据Wccftech报道，苹果已经与三星已签下新的采购协议，后者将为首款可折叠iPhone提供显示屏。三星作为智能手机显示屏领域的领头羊，在很长一段时间内，苹果都是其最大的客户，当涉及到选择最优质的新款显示屏时，苹果再次选择三星的决定并不让人感到意外。

今年早些时候有消息称，苹果正在开发可折叠iPhone，原计划2026年发布，不过由于技术问题已经推迟了，将延至2027年第一季度。虽然三星的Galaxy Z Flip和Galaxy Z Fold经过了多次迭代，技术上已经日趋成熟，但是苹果似乎还在等待技术的进一步成熟，像屏幕的折痕是其主要的关注点之一。

三星经过数年努力，其可折叠智能手机在累积了不错的市场口碑，已连续多个季度成为了这一细分市场的最大厂商。传闻苹果可能会仿照三星的Galaxy Z Flip和Galaxy Z Fold那样，带来两种不同的可折叠iPhone机型。

不过苹果首款可折叠产品可能不是iPhone，有可能是iPad，甚至是MacBook，这些设备过往都传出过开发可折叠产品的消息。

负责HBM4开发的新团队由三星DRAM开发副总裁Hwang Sang-joon负责，并直接向三星存储芯片业务总裁Lee Jung-base汇报工作，内部也通过调整主要人员等手段来加强新建开发团队的实力。上个月三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。

据三星介绍，随着硬件的多功能性变得更加重要，HBM4在设计上也会针对不用的服务应用进行优化，计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（比如8/12/16层堆叠）来应对。为了解决功耗墙的问题，首个创新将从使用逻辑工艺的基础芯片开始，随后是第二个创新，从当前2.5D HBM逐步发展到3D HBM，最后预计会出现第三次创新，比如HBM-PIM，也就是具备计算功能的内存半导体技术，这点之前三星已经有过介绍。

之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。

据ETNews报道，三星正在加快半导体玻璃基板技术的开发，将采购和安装的时间提前到了9月份，并在今年第四季度开始试验运营，比最初的计划整整提早了一个季度。三星希望在2026年开始生产用于高端系统级封装（SiP）的玻璃基板，为了在2026年获得订单，需要2025年就做好准备，展示出足够的能力。

三星计划9月之前就在试验产线上为安装设备做好所有必要的准备，目前已经完成对供应商的选择，包括Philoptics、Chemtronics、Joongwoo M-Tech和德国的LPKF等公司将提供相应的组件。有报告称，三星这种设置旨在简化生产，并严格遵守其安全和自动化标准。

与传统的有机基板相比，玻璃基板克服了传统方法的弊端，具有显著的优势，包括出色的平整度、可提高光刻焦点、以及在多个小芯片互连的下一代系统级封装中具有出众的尺寸稳定性。此外，玻璃基板还有着更好的热稳定性和机械稳定性，使其更适用于数据中心要求的高温、耐用的应用环境。

去年9月，英特尔曾表示希望能成为下一代先进封装玻璃基板生产的行业领导者，其内部团队已经花了近十年的时间进行研发，并打算在亚利桑那州的生产基地进行试产，计划到2030年用于商用产品。

三星晶圆代工最近在尝试争取更多的数据中心产品订单，也需要提供更先进的封装服务辅助，而在玻璃基板上所做的这些努力，可能对未来产生至关重要的影响。

三星电子视觉显示业务执行副总裁Hoon Chung表示：“OLED显示器市场竞争激烈，因此要想达到顶峰，需要无与伦比的创新和产品质量。这一成绩说明了我们对卓越品质的追求和对消费者需求的理解，这也是我们为全球对性能有极高要求的游戏玩家生产出色的OLED游戏显示器的关键因素。”

在CES 2024上，三星宣布扩大其OLED显示器阵容，推出三款新产品：

Odyssey OLED G8（型号G80SD）- 32英寸，16:9，UHD 4K，240Hz，0.03ms GTG

Odyssey OLED G6（型号G60SD）- 27英寸，16:9，QHD 2K，360Hz，0.03ms GTG

Odyssey OLED G9（型号G95SD）- 49英寸，32:9，DQHD，144Hz，0.03ms GTG

三星将继续通过推出新款Odyssey OLED型号让旗下游戏显示器产品线变得更多样化，每款型号都会使用三星专有的OLED技术。这项创新是在采用Quantum Mini LED技术的Odyssey Neo系列以及Odyssey Ark取得成功之后推出的，后者展示了突破性的界面和外形。

TechInsights表示，市场的复苏主要受到新兴市场需求激增以及三星等主要企业在第一季度新产品周期的推动。其中非洲、中东、中拉丁美洲和中东欧地区表现强劲，引领了复苏；亚太地区喜忧参半，印度和一些东南亚国家实现了反弹，中国市场刚刚稳定下来，并在该季度实现了适度增长；与其他市场相反的是，北美和西欧市场出现下滑。

三星在2024年第一季度里位居榜首，全球出货量为6000万台，Galaxy S24系列的表现超出了预期，市场份额为20%，不过低于一年前的22%，出货量同比下降1%；苹果排在了第二名，出货量为4920万台，同比下降11%，对应的市场份额为17%，比起一年前的20%减少了3个百分点；小米保住了第三的位置，出货量为4080万台，同比增长34%，市场份额为14%，高于一年前的11%；专注于非洲、中东、亚洲、中美洲和拉丁美洲市场的传音连续两个季度排在第四名，旗下拥有大量价格实惠的智能手机型号，该季度的出货量为2850万台，同比增长88%，市场份额接近10%，高于一年前的6%；OPPO排在了第五，出货量为2480万台，同比下降10%，市场份额为8%，低于去年同期的10%。

vivo在2024年第一季度的出货量为2110万台，同比下降1%，以7%的市场份额排名第六；荣耀出货量为1700万台，同比增长34%，以6%的市场份额巩固了第七名的位置，高于一年前的5%；联想-摩托罗拉在2024年第一季度以4%的市场份额保持在第八位。出货量同比增长22%；华为排在第九，在中国市场实现了119%的年增长率；realme保持在前十名，本季度的市场份额接近4%，并实现了17%的年增长率，动力主要来自欧洲、拉丁美洲和非洲中东地区。

TechInsights预计，2024年全球智能手机出货量将增长4%，预计三星和苹果仍会排在前两名。

新思科技宣布，与三星展开了紧密的合作，后者的新款高性能移动SoC已成功流片。其采用了最新的GAA工艺，由全栈AI驱动的Synopsys.ai EDA套件对CPU进行了特定的优化，提供无与伦比的功耗、性能和面积（PPA）指标，以更低的功耗实现终极峰值性能，在三星晶圆代工的流程上实现了卓越的质量和生产力提升，带来了具有生成式AI功能的新一代芯片。

今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3（3GAP），与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。传闻Exynos 2500将是三星首款采用SF3工艺制造的智能手机SoC，很可能与Exynos 2400一样，选择应用扇出型晶圆级封装（FoWLP），不但减小了封装的尺寸，而且能更好地控制芯片发热，以提供更强的多核性能表现，并延长设备的续航时间。

按照新思科技的说法，利用Synopsys.ai EDA套件与其他解决方案相结合，进一步优化设计目标并最大限度地提高了结果质量，让三星的新款SoC频率提升了300MHz，并将动态功耗降低了10%，同时为三星缩短了数周手动设计工作。虽然公告中没有提及具体的芯片型号，但结合多方面信息，基本可以确定是Exynos 2500。

玄龙骑士G60SD具有超薄流线型设计，边框最薄处约3.9mm，背后带有涡轮灯环+，可以营造时尚氛围，让玩家打造自己的舒适空间。其采用的是三星原厂新一代27英寸QD-OLED屏幕，色深为10bit，可视角度为178度（水平和垂直），分辨率为2560 x 1440，刷新率最高可达360Hz，响应时间（GtG）为0.03ms，典型亮度为250尼特，静态对比度为1000000:1，DCI-P3色域为99%，支持HDR10和AMD FreeSync Premium Pro技术，无撕裂、不卡顿。

该款显示器带有防眩光涂层，无需遮光罩，相比于传统AGLP技术减少了约61%的眩光，让OLED屏幕纯粹的黑色和丰富的色彩得以呈现。三星还引入了新一代防烧屏解决方案，相较于传统的石墨烯散热方案，搭载的脉动热管技术（PHP）通过冷却剂循环蒸发和冷凝扩散热量，配合智能的检测技术和热调制功能有效减少烧屏风险。三星还提供了AI驱动的logo/任务栏检测技术和热量调制系统，可以针对性降低静态图像亮度，并通过算法优化屏幕亮度曲线，进一步降低烧屏风险。

玄龙骑士G60SD配备了两个HDMI 2.1接口、一个DisplayPort 1.4a接口、以及一个3.5mm音频插孔，并带有USB集线器功能，提供了两个USB 3.0接口。其配备了人体工学底座，具有0至20mm升降高度、-30°至30°水平旋转、-2°至25°前后俯仰、以及-92°至92°垂直旋转。另外还支持100 x 100 mm规格的VESA壁挂，便于玩家使用悬臂支架。

该文章的信息源自X博主PandaFlash（目前已无法查看源帖），三星将此项技术命名为“Battery AI ”，报道文章称“Battery AI ”可以在不影响性能的情况下增加智能手机的工作时间，在同等电池容量的前提下，手机使用时长可以增加5-10%。

熟悉电子产品的读者可能都会知道，目前市面上几乎所有品牌的手机或电脑都具有软件管理电量功能，但这些软件往往会降低CPU和GPU的性能，否则根本无法达到省电的目的。报道文章称“Battery AI”在运行时可能会清除设备上不必要的后台任务以实现延长使用时长的效果。

但有趣的是，wccftech称爆料者并没有提到“Battery AI”将在Galaxy S25系列中出现，但是他的大部分帖子都围绕着三星即将推出的旗舰产品，而“Galaxy AI”目前是三星重点营销的一项功能，因此wccftech推测“Battery AI”很可能会实装在Galaxy S25系列的机型当中。

据Business Korea报道，三星将在今年6月16日至20日举行的“VLSI Symposium 2024”上发表一篇关于2nm（SF2）工艺中应用第三代GAA（Gate-All-Around）晶体管工艺技术特性的论文，并带来更多关键细节。

三星称，新工艺将进一步完善多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，具有独特的外延和集成工艺。与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%至46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。按照三星的规划，SF2的技术开发工作将于2024年第二季度完成，届时其芯片合作伙伴将可以选择在该制程节点设计产品。

三星的努力不仅仅在突破技术界限上，过去一段时间里正不断加强2nm工艺生态系统的建设，已经拥有50多个合作伙伴。今年2月，三星宣布与Arm展开合作，提供基于最新的GAA晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核，尽可能地提高了性能和效率，以将用户体验提升到一个新的水平。

与此同时，三星还计划推出第三代3nm工艺，继续提高密度并降低功耗，另外还需要继续提升良品率。三星初代3nm工艺很难说得上成功，传闻早期的良品率仅为20%，主要用于生产加密货币使用的芯片，缺乏大客户的订单支持。

三星已经在本月量产了HBM3E 8H DRAM，以及第9代V-NAND技术的产品，并计划在第二季度内量产HBM3E 12H DRAM和基于1β (b) nm（第五代10nm级别）32Gb DDR5打造的128GB DRAM产品，比原计划里的下半年提前了。按照三星的说法，这是为了更好地应对生成式AI日益增长的需求，所以选择加快了HBM和1β (b) nm 32Gb DDR5的项目进度。

近期企业级QLC SSD的需求攀升，而目前市场上可以提供经验证的企业级QLC产品的厂家只有Solidigm和三星。为此三星已确认，第三季度会量产QLC版本的第9代V-NAND产品，以尽可能地满足企业用户的使用需求。

不少人还关心三星的晶圆代工业务，但三星称，由于市场需求疲软和持续的库存调整，复苏的速度相对比较迟缓。不过三星表示，目前晶圆厂的运营效率已经有所提升，新一代2/3nm制程工艺的开发也较为顺利，另外4nm制程工艺的良品率已日趋稳定。

三星计划下半年量产第二代3nm制程工艺，也就是SF3，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，之前已在试产。

财报显示，三星2024年第一季度的营收为71.92万亿韩元（约合人民币3768.61亿元），低于去年同期为63.75万亿韩元，同比增长12.82%，也高于上一个季度的67.78亿韩元；营业利润为6.61万亿韩元（约合人民币346.36亿元），相比去年同期的6400亿韩元增长了931.87%，相比上一个季度的2.82万亿韩元也有超过翻倍的增长；毛利润为26.03万亿韩元（约合人民币1363.97亿元），不但高出去年同期的17.74万亿，也高出上一个季度的21.66万亿韩元；净利润为6.75万亿韩元（约合人民币353.7亿元），略微高于上一季度的6.34万亿韩元，相比去年同期的1.57万亿韩元猛增329%。

作为全球最大的芯片制造商之一，过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷，让三星损失惨重。随着存储芯片需求增长，现在三星的半导体业务终于缓过来了，本季度DS部门营收为23.14万亿韩元（约合人民币1212.54亿元），营业利润为1.91万亿韩元（约合人民币100.08亿元），这是该业务自2022年以来的首次恢复盈利。

三星预计随着长期低迷局面结束，在人工智能（AI）需求的驱动下，DS部门的营收将恢复到2022年的水平，从而拉动集团的盈利增长。