据相关媒体报道，三星的HBM3已经通过了英伟达的适用性测试，不过还不打算大规模铺开，仅计划用于中国特供版的H20计算卡。传闻三星的HBM3在英伟达其他GPU上的使用仍然不确定，可能需要进行额外的验证测试，另外HBM3E还在接受英伟达的评估。

根据之前泄露的H20计算卡基准测试成绩，其内核数量相比H100减少了41%，性能下降了28%。虽然规格上打了折扣，但是H20仍有着不错的销售前景，受到了客户的欢迎，预计2024年英伟达将向中国出售超过100万块H20，每块售价大概在1.2万至1.3万美元，意味着销售额将达到120亿美元以上，这将超过上一个财年英伟达在中国的总收入。

有消息称，三星在今年5月启动了一项代号“Nemo”的内部战略计划，要求所有的部门优先考虑英伟达的订单，这意味着与英伟达相关的业务已成为三星的首要任务。此前三星还否定了坊间有关HBM3和HBM3E芯片一直没有通过英伟达验证是由于运行过热和功耗过高的说法，强调通过持续的合作来确保产品的质量和可靠性，以便向客户提供最佳解决方案。

已经有媒体联系了三星和英伟达，不过暂时都没有得到官方的回应。

据Wccftech报道，三星即将量产Galaxy Tab S10系列，预计时间是8月份，大家很快就能看到三星首次在其旗舰平板电脑中搭载联发科芯片，发布时间大概在10月份，将提供灰色和银色两种配色。

有业内人士透露，天玑9300+提供了良好的性能，而且相比高通骁龙8系列平台的定价更低，便宜了大概10%，这也给了联发科展示自身实力的机会，并且有可能推进与三星建立长期合作伙伴关系。据了解，三星2023年智能手机的制造成本中，有18.1%来自于高通的芯片组，而2022年这一数字为12.8%。今年由于在Galaxy S24系列里加入了Exynos 2400，占比应该会有所降低。

三星选择部分产品过渡到联发科的芯片，可以减少对高通的依赖，提升议价能力，增加了订单谈判中的筹码。与此同时，三星还在为Exynos 2500而努力，希望能用在Galaxy S25系列上，以避免过多采购高通芯片影响智能手机销售的利润率。

据The Elec报道，三星将增加2nm工艺的EUV曝光层数，相比3nm工艺高出30%以上，而现有的3nm工艺的EUV曝光层数为20层。根据第三方的报告，台积电（TSMC）在N3工艺上的EUV曝光层数为25层。随着EUV曝光层数的增加，制造成本也会上升，三星2nm工艺的定价或许会有不小的涨幅。

三星于2018年在7nm工艺上首次引入EUV技术，之后的后续制程节点上，三星不断增加EUV曝光层数。目前三星还在开发1.4nm（SF1.4）工艺，计划在2027年量产，预计EUV曝光层数将超过30层。此外，三星还打算在1.4nm工艺上增加纳米片的数量，从3个增加到4个，从而进一步提升性能和功耗的表现。

除了逻辑芯片，三星还在存储芯片上采用了EUV技术，比如第六代10nm级别的1cnm工艺上，EUV曝光层数为6或7层。

据三星的介绍，与AMD开发了将多个半导体芯片集成到单个基板上的封装技术，对CPU和GPU应用至关重要，提供了更好的性能、效率和灵活性，为超大规模数据中心产品所需要的高密度互联铺平了道路。相比于通用计算机基板相比，数据中心基板面积是其10倍、层数则是其3倍，同时对芯片的供电和可靠性的要求会更高。

FCBGA基板作为人工智能（AI）、5G、高性能计算（HPC）、智能汽车和数据中心等新兴需求应用的CPU、GPU、FPGA等高性能芯片的重要载体，业界对其的需求正在快速增长。有市场调查机构预测，基板市场将会以年均7%左右的速度增长，预计从2024年的15.2万亿韩元（约合人民币798亿元）增加到2028年的20万亿韩元（约合人民币1050亿元）。

三星计划继续投资先进的基板解决方案，以满足数据中心和计算密集型应用不断变化的需求，为重要客户提供具备核心价值的产品。

据ZDNet Korea报道，三星内存部门新业务规划团队负责人Choi Jang Seok在近期的活动上，确认三星计划今年年底之前批量生产支持CXL 2.0的256GB CXL DRAM，称CXL市场预计下半年开始进入蓬勃发展阶段，到2028年将呈现爆炸性增长。根据市场调查机构的数据，全球CXL市场预计从2022年的170万美元增长2028年的150亿美元。

CXL是一种开放性的互联协议，能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足现今高性能异构计算的要求，并且提供更高的带宽及更好的内存一致性。作为下一代接口，与主DRAM一起使用的时候，可以扩大带宽和容量，满足计算市场高速数据处理的需求。三星预计引入CXL技术后，可以让每台服务器的内存容量增加8到10倍，这标志着计算能力的重大飞跃。

Choi Jang Seok表示，三星在过去多年里，一直致力于开发和大规模生产高质量CXL内存模块，目前正与合作伙伴一起测试产品，以进行性能验证。去年末，三星宣布与开源软件供应商Red Hat合作，在实际用户环境中成功验证了CXL内存模块的操作，进一步扩展了CXL生态系统。

基础裸片位于芯片堆栈的底部，是HBM的核心组件。DRAM制造商已经有能力为HBM3E等现有产品生产基础裸片，不过对于HBM4，由于客户要求的定制功能，需要额外的晶圆加工步骤。据了解，目前三星4nm工艺的良品率已超过70%，Galaxy S24系列旗舰智能手机中搭载的Exynos 2400也采用了这一制程工艺。

相比于7/8nm工艺，采用4nm工艺的成本要高得多，但是会带来更好的芯片性能，同时能耗方面也有更明显的优势。三星正在采用10nm工艺生产HBM3E，在新一代HBM4上采用4nm工艺可以增强其在HBM领域的竞争优势。

今年4月，竞争对手SK海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。SK海力士计划与台积电合作开发第六代HBM产品，也就是HBM4。

随后台积电确认将生产用于HBM4的基础裸片，计划采用N5和N12FFC+工艺，为HBM4提供前所未有的性能和能源效率。

据TrendForce报道，已经从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。由于三星会将至少20%到30%的产能转移到HBM产品，进一步收缩供应，很可能会推动DDR5内存价格上涨。

有消息称，三星的部分供应链合作伙伴最近收到了尽快下单和准备产能的信息，预示着三星的HBM产品在下半年会顺利出货，也意味着三星内部会加快DRAM芯片的产能配置，将生产线的重心转移。随着人工智能（AI）市场的快速增长，HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，已经变得越来越重要。

三星原本预计2024年第二季度就能通过英伟达的认证，但是最后推迟了，不但落后于SK海力士和美光，而且导致HBM产量低于预期。有市场人士担心HBM3E的供应不足，从而影响英伟达H200在2024年第二季度的出货。

三星表示，利用自身的晶圆代工和先进封装产品，可以支持Preferred Networks Inc.开发性能强大的AI加速器，以满足生成式AI对计算能力不断增长的需求。自业界首款GAA晶体管架构的3nm工艺量产以来，三星通过提升性能和能效，成功赢得2nm订单，巩固了其GAA技术领先地位。这次与Preferred Networks Inc.的合作，标志着日本企业在大型异构集成封装技术领域取得的首个成就，同时三星还计划加快先进封装市场的攻势。

Preferred Networks Inc.成立于2014年，主要进行人工智能深度学习开发，并吸引了包括丰田、NTT和发那科在内的各领域大公司的大量投资。据了解，三星之所以被选中，是因为其同时具备存储器和代工服务，有着较强的综合能力和技术积累，可以提供高带宽存储器（HBM）设计到生产和先进2.5D封装的全套解决方案。

过去Preferred Networks Inc.也曾与台积电合作，这次转向三星，一定程度上也是从供应链方面考虑，并减少对台积电的依赖。

近日，三星发出了2024年第二季度财报的盈利指引，显示合并销售额约74万亿韩元（约合人民币3907.2亿元），高于2024年第一季度的71.92万亿韩元和2023年第二季度的60.01万亿韩元，另外合并营业利润约10.4万亿韩元（约合人民币549.12亿元），也高于2024年第一季度的6.61万亿韩元和2023年第二季度的0.67万亿韩元，大幅度超出了市场的预期。

显然三星受益于全球人工智能（AI）市场的快速增长，以及存储器需求的反弹，这很可能是过去数年里三星最为强劲的销售额与营业利润增长。其中销售额同比增长了23.31%，已连续两个季度保持在70万亿韩元以上。营业利润同比暴增1452%，大幅高出8.55万亿韩元的市场平均预期，也是继2022年第三季度（10.85万亿韩元）之后。再次单季度营业利润超过10万亿韩元，甚至比2023年全年6.57万亿韩元的营业利润还要高。

本月31日，三星将正式公布2024年第二季度财报，届时可以了解更为详尽的业绩报告。

据TrendForce报道，三星已经成立了新的“HBM开发团队”，将专注于HBM3、HBM3E和下一代HBM4技术的相关开发工作，以提高三星在HBM市场的竞争力。三星早在2015年就在DRAM部门里组建了专门负责HBM产品开发的团队，甚至还成立了特别工作组，而这次组织架构的改组进一步做了加强。

三星希望能够加快HBM产品的开发进度，抢夺高附加值DRAM市场。早在今年2月，三星就宣布完成了HBM3E 12H DRAM的开发，并在4月量产了HBM3E 8H DRAM。三星从去年开始，就提供了HBM3E给英伟达进行验证，包括了8层和12层堆叠的产品，但是一直没有通过，预计第三季度末能够部分完成验证工作。

此前三星还发表了一篇采访文章，介绍了目前HBM产品的开发情况，并再次重申了HBM4正在开发当中，将于2025年首次亮相。之前还有传言称，三星打算在下一代HBM4引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。

三星表示，BM1743比起BM1733在性能上也实现了翻倍的提升，提供的最大顺序读取/写入速度分别为7200 MB/s和2000 MB/s，最大随机读写分别为1600K IOPS和110K IOPS，适合应付读密集型工作负载。以四级单元（QLC）更高存储密度的同时，带来了接近于三级单元（TLC）性能水平，为数据中心提供了强大的解决方案。

BM1743可选两种外形规格，分别是U.2和E3.S。前者支持PCIe 4.0接口，容量可达61.44TB，并拥有扩展至122.88TB的潜力；后者支持PCIe 5.0接口，进一步提升了性能。相比之下，BM1733仅支持PCIe 3.0接口。在可靠性方面，BM1743为0.26DWPD，断电数据保持时间为3个月，而BM1733这两项分别为0.18DWPD和1个月。

过去一段时间里，随着节能成为AI推理服务器优先考虑的方向，带动了企业级QLC SSD的需求攀升，其中更为积极的Solidigm受益最多。三星希望BM1743能够与Solidigm去年发布的D5-P5430展开直接竞争，降低数据中心的TCO成本。

据Business Korea报道，近期三星调整了半导体领域的开发计划，将以人工智能芯片为战略核心，同时放缓汽车半导体项目的开发速度，这将对三星未来的芯片战略产生重大影响。

三星正在进行业务和组织结构调整，对开发中的下一代Exynos Auto系列车用处理器（代号KITT3）重新做评估。原有开发团队里的部分工程师已被重新分配到人工智能SoC团队，这是现阶段三星芯片开发的重点，集中了100到150名专业的芯片设计人员。

三星在2018年推出了“Exynos Auto”品牌，开始进军高性能汽车半导体市场。去年三星推出了Exynos Auto V920芯片，这是其面向新型车载信息娱乐（IVI）系统推出的第三代汽车芯片，并与现代汽车展开合作，将芯片搭载到后者2025年的新车型里。除了各种车用芯片外，三星还针对汽车半导体市场推出了针对性的存储解决方案和半导体工艺。

有三星内部人士透露，将重点转向人工智能芯片开发是明确的，但目前还没有确定组织结构调整的具体内容。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。