近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近提升了两倍以上，但是仍然不能与竞争对手台积电（TSMC）的3nm工艺相比，良品率依然处于落后。

去年就曾传出三星3nm工艺良品率提升的消息，指出可以提升至60%的水平，与70%的及格线始终有一段距离。事实证明，这种说法可能还是过于乐观，毕竟包括英伟达在内的众多芯片设计公司都前去了解，表达了意向，只是最后都没有选择下单，至少说明良品率还是很不稳定的。三星迟迟不能提升3nm工艺的良品率，也使得高通取消了第四代骁龙8的双代工厂计划，至少未来一年仍完全依赖台积电，新的代工策略被迫推迟至2025年。

此前三星公布了到2027年的制程技术路线图，列出了2022年6月量产SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半导体工艺发展计划，其中包括了SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原计划，今年三星将带来第二代3nm工艺技术，也就是SF3，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，已经在试产。

传闻三星对第二代3nm工艺技术期望很高，功耗、性能和面积（PPA）指标甚至能与台积电N3P工艺相媲美，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。

据SeDaily报道，Mach-1属于ASIC设计，被定为为轻量级人工智能芯片，搭配LPDDR内存产品。其拥有一项突破性的功能，与现有的设计相比，能显著降低了推理应用的内存带宽需求，仅为原来的八分之一，降低了87.5%。三星认为，这一创新设计将使Mach-1在效率和成本效益方面具有竞争优势。

随着市场对人工智能设备和服务的需求不断增加，让三星坚定了进军人工智能芯片市场的决心。不过有三星这样想法的企业并不在少数，预计未来几年人工智能芯片市场的竞争会加剧，同时也进一步推动了行业的创新。虽然英伟达目前在该领域占据了主导地位，但三星有着完善的半导体供应体系，而且具备先进的半导体制造技术，某种程度上很可能使其成为一个强大的竞争者。

据了解，Mach-1目前已进行了基于FPGA的技术验证，正处于最终的SoC物理设计阶段，其中包括了放置，路由和其他布局的优化，预计将于今年底完成制造过程。

三星在去年进行了多次减产，不过随着市场回暖，已开始大幅度提高产能利用率，同时抬升价格，继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提升至70%左右。作为三星唯一在韩国以外的存储半导体生产基地，西安工厂的月产能达到了20万片300mm晶圆，占据了三星NAND闪存40%的产量。三星还计划2024年开始升级西安工厂的工艺，以便生产采用第8代V-NAND技术的产品，达到了236层。

铠侠（Kioxia）似乎跟上了三星的节奏，正在评估自2022年起执行的减产策略，计划提高产量，预计3月NAND晶圆厂的产能利用率恢复到90%左右，不过最终取决于市场需求。与此同时，铠侠可能在4月底恢复与西部数据的合并谈判，但是仍要面对来自于竞争对手的强烈反对。如果合并成功，新公司将掌握全球三分之一的NAND闪存市场，将对未来竞争格局产生深远影响。

TrendForce预计，尽管是传统的淡季，但由于订单规模的持续扩大，2024年第一季度NAND闪存产业营收仍会有20%的同比增长，这也刺激了NAND闪存合同价格平均25%的涨幅。自2023年第三季度以来，NAND闪存芯片价格已连续数月上涨，在2024年市场需求前景保守的前提下，芯片价格走势将取决于供应商的产能利用率。

不少厂商认为，2024年的需求会好于2023年，并已启动战略储备。随着供应链库存水平的显著改善和价格不断上涨，客户会继续增加采购订单，以避免供应短缺并降低成本上升的风险。

据Sedaily报道，三星成立新的跨部门联盟，横跨电子、电气工程和显示部门，合作加速“玻璃基板”技术的商业化研发工作，希望能在2026年实现量产。三星是以“比英特尔更快的速度实现商业化”为目标，过去主要由子公司三星电机负责推进项目。

“玻璃基板”是新的芯片封装技术，三星认为是大面积及高性能芯片组合的理想选择。其克服了有机封装等传统方法的弊端，有着更高的封装强度，提高了耐用性和可靠性，通杀比有机材料更薄，因此互联密度更高，能在单个封装中集成更多的晶体管，但是“玻璃基板”在商业化过程中仍然有不少的障碍。

去年9月，英特尔曾表示希望能成为下一代先进封装玻璃基板生产的行业领导者，内部团队已经花了十年的时间进行研发，并打算在亚利桑那州的生产基地进行试产。不过行业机构认为，北美地区的大规模生产没有那么快到来，预计要等到2030年。

去年美光、SK海力士和三星先后发送了HBM3E样品给英伟达，用于下一代AI GPU的资格测试，目前只有三星还没得到英伟达的订单。据Wccftech报道，三星之所以落后于竞争对手，主要原因是HBM芯片良品率偏低，传闻HBM3芯片的良品率仅在10%到20%之间，而SK海力士则是60%到70%。良品率作为芯片制造中的关键部分，决定了硅片中可用芯片的数量。

为了解决HBM芯片生产上的良品率问题，三星正在采购新的设备和材料，并改进HBM芯片的封装技术。有消息称，三星可能改用SK海力士早在HBM2E上就已引入的MUF技术，取代现有的NCF技术，不过随后三星予以否认，表示将继续依靠自己的封装技术。

投资者也注意到三星在HBM竞争中处于不利的局面，这已经体现在股价上：三星今年以来股价累计下跌了7%，而SK海力士和美光在同一时期内，估计分别上涨了17%和14%。

最近一份来自DSCC的报告显示，虽然三星仍然是2023年第四季度最大的可折叠智能手机品牌，但是华为和荣耀已经迎头赶上。三星有可能在2024年第一季度失去全球可折叠手机市场第一名的位置，而华为可能首次在这一市场登顶，结束三星长达四年的统治。

去年全球可折叠手机市场共出货了23款机型，2023年第四季度里排名前十中，有四款来自三星，荣耀和OPPO各有两款，剩下华为和小米各有一款。其中Galaxy Z Flip 5排在第一名，Mate X4排在第二，三到五名分别是Magic VS2、Galaxy Z Fold 5和Find N3 Flip。

不过进入2024年后，可折叠手机市场的情况会发生变化，华为有望凭借Mate X5和Pocket 2两款机型超越三星，而三星则要等到下半年Galaxy Z Fold 6/Flip 6上市才有机会卷土重来，显得有点太晚了，几个月的时间可能市场形势就完全不同了。

据了解，2024年大约会有27款可折叠手机发售。

三星负责存储器生产的研究员Young Seog Kang表示，作为一名用户，更关心的是总成本问题，目前Low-NA已经投入使用，芯片制造商可能更愿意使用Low-NA EUV以双重曝光或采用先进封装技术作为补充，这可能是更经济可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV来完成。Young Seog Kang认为，逻辑芯片的布局更为复杂，新技术可能在更长时间内适用，而存储器在扩展新技术时，性能和成本方面都存在潜在的挑战。

相比于三星，英特尔对High-NA EUV的前景更为乐观一些。按照英特尔的新计划，将会在Intel 14A工艺引入High-NA EUV，英特尔掩模业务总经理Frank Abboud称，过往在DUV发挥重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系统工程总监Jan van Schoot概述了几种提高光刻分辨率和扩展EUV光刻应用的方法，表示正在研发新的光源和其他改进k1的策略，现在已经有了一些新想法。

JSR（光刻胶供应商）的总裁Mark Slezak认为，EUV技术可以持续20年，DUV技术的持续时间也比预期要长得多。

近日有网友透露，三星当初确实考虑过将天玑9000用于Galaxy S系列智能手机，不过受制于联发科的芯片供应量不足，最终双方未能达成协议。此外，还对于最近有关三星打算采用联发科旗舰SoC用于高端智能手机的消息给予否定的答案。

据了解，联发科最早推出天玑9000的时候，并没有生产足够多数量的芯片，估计仅为1000万块芯片，而且要同时供应几家客户，考虑到每年Galaxy S系列的出货量是这数字的三倍，大概为3000万，让交易最终落空。

此前有报道称，三星的订单在2023年第四季度占据了高通40%的收入，成为了后者最大的单一客户，两者可以说在业务上已经相互依赖。传闻目前第三代骁龙8的定价为200美元，对三星来说已经相当高了，而今年的第四代骁龙8可能会更贵，多少会让三星产生想法，包括加紧开发新款Exynos芯片用于替换，或者引入其他的供应商。

虽然在高端机型上双方没有实现合作，不过三星和联发科之间仍然保持业务联系，Galaxy A系列里也有采用联发科芯片的产品。

据相关媒体报道，经过长时间的挣扎后，三星的DRAM和NAND闪存业务终于看到了曙光，今年1月份的月度财报里显示已实现了盈利。如果这种趋势能够得以延续，三星的DRAM业务将迎来五个季度以来的首次季度盈余。

近期TrendForce发布的2023年第四季度DRAM产业和NAND闪存调查报告显示，三星都是排名第一的厂商，而且增长幅度也是最大的。其中DRAM业务季度增幅超过了50%，达到了79.5亿美元，而NAND闪存业务环比增长44.8%，达到了42亿美元。

不过也有业内人士认为，虽然现在市场的情绪是积极的，但还没到松懈的时候。供应商积极减产推动了价格的上涨，供需环境得到了改善，但是市场需求仍然存在较大的不确定性，这可能是一个意想不到的变量，同时还要密切关注库存水平。

据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方面依然有一些问题需要解决。不过这次的消息里，没有具体说明到底是初代的3nm GAA / 3GAE，还是已经试产、且今年即将量产的第二代3GAP。三星去年曾表示，其3nm工艺量产后的良品率已达到60%以上，不过现在看来，似乎有点过于乐观。

有行业分析师表示，三星GAA流程方法尚未稳定，这多少能解释为什么良品率一直都上不去。不过在4nm工艺上，三星的表现明显更好，良品率已提升至75%，过去一系列的努力终于有了回报。对于谷歌来说也是个好消息，毕竟今年用于新款Pixel 9系列旗舰智能手机的Tensor G4将采用4LPP+工艺制造。

如果三星想要在未来与台积电（TSMC）甚至英特尔代工服务竞争，必须要提升良品率。三星对明年的Exynos 2500寄予厚望，被认为是其SoC设计的翻身之作，计划采用3nm工艺制造，如果良品率问题得不到解决，很难想象如何与高通及联发科的同类产品抗衡。

据ZDNet报道，有消息人士称已收到了三星的通知，原来的第二代3nm工艺技术将改为2nm，为此去年与三星签订的合同里所写的3nm也变成了2nm。据称，三星计划在今年下半年开始为客户生产“2nm”芯片，看起来除了名字改了，其他与原来的SF3并没有分别，何况也不太可能在短时间内突然使用不用工艺技术为客户生产原先采用SF3的芯片，毕竟这需要重新去做设计。

上个月有报道称，三星已经从日本人工智能（AI）初创公司Preferred Networks Inc.（PFN） 处收到2nm芯片订单。结合这次的信息，有可能当时所称的2nm芯片，其实采用的是原有的第二代3nm工艺技术。

传闻三星正在推动“BSPDN（背面供电网络）”技术的应用，计划在明年量产的2nm工艺上引入，这是SF3所不具备的。如果三星确实将SF3改为SF2，那么之前公布的制程技术路线图也会改变，先前的SF2可能会有一个新的名称。

相比之下，三星名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术要今年晚些时候才到来，时间上应该落后于台积电和英特尔。去年帕特-基尔辛格曾向媒体表示，自己认为“Intel 18A比台积电N2工艺更好一些”。原因是Intel 18A工艺采用了RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术，比竞争对手领先好几年，能为芯片提供了更好的面积效率，这意味着更低的成本、更好的供电和更高的性能。此外，帕特-基尔辛格还暗示N2工艺太贵了，Intel 18A有机会从寻求更高成本效益的客户那里获得订单。

在2024年2月21日举办IFS Direct Connect活动中，英特尔分享了Intel 18A工艺之后的计划，公布了新的工艺路线图，新增了Intel 14A制程技术和数个专业节点的演化版本。同时英特尔宣布首推面向AI时代的系统级代工，名为“英特尔代工（Intel Foundry）”，取代了原来的英特尔代工服务（IFS），还包含了封装的业务。

虽然英特尔信心满满，不过近日传出英特尔下一代Arrow Lake上，仅有非K的酷睿Ultra 5及以下型号才会采用Intel 20A工艺，其余都将启用台积电N3B工艺代替。如果连新一代处理器最核心的计算模块都改用台积电代工，似乎很难让客户愿意冒险改用Intel 18/20A工艺。

据Notebookcheck报道，三星正在新款Exynos芯片的开发上全力以赴，即便与高通达成了新的协议，也没有妨碍其自主研发的努力。有消息称，三星计划明年所有Galaxy S系列机型都搭载Exynos芯片。

Galaxy S25系列将会在明年发布，包括了Galaxy S25、Galaxy S25+和Galaxy S25 Ultra三款机型，全部采用Exynos 2500。三星也会遵守与高通之间的协议，明年在Galaxy Z Fold7和Galaxy Z Flip7上采用第四代骁龙8平台，也有可能是定制的Galaxy版本。此外，面向主流的Galaxy A系列将继续依靠自家的Exynos和联发科的天玑系列SoC。

还有传言称，Exynos 2400将是最后一款同类产品，三星会给后续的继任者起个新的名字。三星一直对Exynos 2500寄予厚望，被认为是其在移动AP领域的中大回归，内部称为“Dream Chip”，最后如果以换新名字代表新的开始也不会让人感到意外。

三星内存品牌产品事业组副社长Hangu Sohn表示，通过两款新的microSD卡，为用户提供了有效的解决方案，以满足移动计算和设备上人工智能日益增长的需求。尽管尺寸很小，但这些存储卡提供了类似SSD的强大性能和容量，可以帮助用户从要求苛刻的现代和未来应用中获得更多。

这是三星首次推出以SD Express接口为基础的microSD卡，是与客户成功协作创建的定制产品。其低功耗设计以及针对高性能和热管理进行优化的固件技术，使得在相当小的尺寸下提供了相当于SSD的性能。相比于基于UHS-1接口的传统microSD卡的读取速度被限制在104MB/s，SD Express产品可以提高到985MB/s。这次三星提供的SD Express microSD卡提供了800MB/s的顺序读取速度，是SATA SSD（最高560MB/s）的1.4倍。此外，利用Dynamic Thermal Guard（DTG）技术让SD Express microSD卡保持最佳问题，确保性能稳定及可靠性。

1TB UHS-1 microSD卡采用了三星第8代V-NAND技术的闪存芯片，实现了过去SSD才有的大容量封装。新产品通过了业界最严苛的测试，即便在苛刻的使用环境中里也能保证可靠性，具有防水、极端温度、防摔设计、磨损保护以及x射线和磁保护等功能。

256GB SD Express microSD卡会在今年晚些时候上市，1TB UHS-1 microSD卡则会在今年第三季度开卖。